MSAFA75N10C
SANTA ANA区划
N沟道增强模式
功率MOSFET
产品预览
描述
新一代N沟道增强型功率MOSFET，具有
坚固的多晶硅栅结构和快速开关内部整流。该
TM
非常坚固Coolpack2
表面贴装封装，重量轻，空间
节能和密封的高可靠性和/或军事/空间
应用程序。
重要提示：
有关最新资料，请咨询
Microsemi的
网址：
http://www.microsemi.com
主要特点
超快体二极管
增加松开
感应开关（ UIS）
能力
密封，表面
安装功率封装
极低的封装电感
极低的热阻
反极性可用
致函索取
W W W .
Microsemi的
.COM
应用/优势
应用/ BENEFIT S
DC- DC转换器
电机控制
不间断电源
供应（ UPS ）
直流斩波器
同步整流
逆变器
最大额定值@ 25 ° C（除非另有说明）
描述
漏极至源极电压（栅极短路到源）
连续的门 - 源电压
短暂的门 - 源电压
连续漏电流
峰值漏极电流，脉冲宽度有限的
T
JMAX
重复性雪崩电流
重复性雪崩能量
单脉冲雪崩能量（ 3 ）
总功率耗散@T
c
=25°C
结温范围
存储温度范围
连续源电流（体二极管）
脉冲源电流（体二极管）
热阻，结到外壳
符号
V
DSS
V
GS
V
GSM
I
D25
I
D10
0
I
DM
I
AR
E
AR
E
AS
P
D
Tj
马克斯。
100
+/-30
+/-40
75
60
300
75
30
1500
540
-55
+150
-55
+150
75
300
0.23
单位
伏
伏
伏
安培
安培
安培
mJ
mJ
瓦
°C
°C
安培
安培
° C / W
T
j
= 25°C
T
j
= 100°C
T
英镑
I
S
I
SM
θ
JC
MSAFA75N10C
MSAFA75N10C
版权
2000
MSC1594.PDF 2000年9月20日
Microsemi的
SANTA ANA区划
2830 S.锦绣街，圣安娜， CA. 92704 ， 714-979-8220 ，传真： 714-557-5989
第1页
MSAFA75N10C
SANTA ANA区划
N沟道增强模式
功率MOSFET
产品预览
W W W .
Microsemi的
.COM
电气参数@ 25 ° C（除非另有说明）
描述
漏极至源极击穿电压
（门极短路到源）
栅极 - 源极漏电流
漏极至源极漏电流（零门
电压漏电流）
栅极阈值电压
静态漏 - 源极导通电阻（ 1 ）
符号
BV
DSS
I
GSS
I
DSS
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
条件
V
GS
= 0 V,
I
D
= 250
A
V
GS
=
±
30
V
DC
,
V
DS
= 0
V
DS
=0.8BV
DSS
V
GS
= 0 V
V
DS
=
V
GS
,
I
D
= 1毫安
V
GS
= 10V,
I
D
= 37.5A
I
D
= 75A
I
D
= 37.5A
T
J
= 25°C
T
J
= 25°C
T
J
= 125°C
T
J
= 25°C
T
J
= 125°C
民
100
典型值。
最大
±100
250
1000
单位
V
nA
A
V
2.0
0.02
0.035
5100
1900
800
16
40
50
20
200
40
92
4.0
0.019
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
总栅极电荷
栅极 - 源极充电
栅极 - 漏极（米勒）电荷
体二极管正向电压（ 1 ）
反向恢复时间（体二极管）
反向恢复电荷
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
G（ ON）的
Q
gs
Q
gd
V
SD
t
rr
Q
rr
V
GS
= 0 V,
V
DS
= 25 V ， F = 1兆赫
6120
2660
1200
32
40
75
40
300
60
180
1.3
pF
V
GS
= 15 V,
V
DS
= 50 V,
I
D
= 37.5 A,
R
G
= 1.6
ns
V
GS
= 10 V,
V
DS
= 50V,
I
D
= 37.5A
nC
I
s
= 75A,
V
GS
= 0 V
I
F
= 10 A， di / dt的= 100 A / μs的
I
F
= 10 A， di / dt的= 100 A / μs的
200
1.4
V
ns
C
ELECTRICALS
ELECTRICALS
版权
2000
MSC1594.PDF 2000年9月20日
Microsemi的
SANTA ANA区划
2830 S.锦绣街，圣安娜， CA. 92704 ， 714-979-8220 ，传真： 714-557-5989
第2页
MSAFA75N10C
SANTA ANA区划
N沟道增强模式
功率MOSFET
产品预览
W W W .
Microsemi的
.COM
CoolPack
TM
2
机械概要
注：图中所示针脚的
标准极性
包数据
包数据
版权
2000
MSC1594.PDF 2000年9月20日
Microsemi的
SANTA ANA区划
2830 S.锦绣街，圣安娜， CA. 92704 ， 714-979-8220 ，传真： 714-557-5989
第3页
MSAFA75N10C
SANTA ANA区划
N沟道增强模式
功率MOSFET
产品预览
W W W .
Microsemi的
.COM
笔记
笔记
版权
2000
MSC1594.PDF 2000年9月20日
Microsemi的
SANTA ANA区划
2830 S.锦绣街，圣安娜， CA. 92704 ， 714-979-8220 ，传真： 714-557-5989
第4页
QQ：2880707522 复制
