2830 S.锦绣街
圣安娜，CA 92704
电话： （ 714 ） 979-8220
传真： （ 714 ） 559-5989
MSAFA1N100D
快速MOSFET死
植入式心脏除颤器
应用
描述：
N沟道增强型高密度的MOSFET芯片
钝化：氮氧化物， 4UM
前侧（顶）金属化：铝/ 1 ％的Cu对铝引线接合， 9微米的典型。
背面金属：钛 - 镍（ 1微米） - 银（ 0.2微米）的软钎焊连接
低通态电阻
雪崩和额定浪涌
高频率。开关
超低漏电流
额定UIS
可提供批量验收测试规格MSAFA1N100DL ， " ， L"后缀
产品特点：
最大额定值：
符号
V
DSS
V
GS
I
D1
I
D2
I
DM1
I
AR
E
AR
E
AS
T
J,
T
英镑
参数
漏 - 源极电压
栅 - 源电压
连续漏电流@ T
C
= 25° C
°
连续漏电流@ T
C
= 100° C
°
漏电流脉冲
@ T
C
= 25° C
°
雪崩电流
重复性雪崩能量
单脉冲雪崩能量
工作和存储：结温范围
价值
1000
±20
1
.8
4
1
待定
待定
-55到150
单位
伏
伏
安培
安培
安培
安培
mJ
mJ
°
C
静态电气特性：
Symbo
L
BV
DSS
V
GS(TH)2
V
GS(TH)1
R
DS(ON)1
R
DS(ON)2
R
DS(ON)3
R
DS(ON)4
R
DS(ON)5
I
DSS1
I
DSS2
I
DSS3
I
GSS1
I
GSS2
I
GSS3
特性/测试条件
漏 - 源极击穿电压（V
GS
= 0V时，我
D
= 0.25毫安）
栅极阈值电压（V
GS
=
V
DS
,
I
D
= 1 m
A，T
J
= 37° C
°
栅极阈值电压（V
GS
=
V
DS
,
I
D
= 1 m
A，T
J
= 25° C
°
漏 - 源极导通电阻（V
GS
=
10V ，我
D
=
I
D1,
T
J
=
25° C)
°
漏 - 源极导通电阻（V
GS
=
7V ，我
D
= 5 ...... 150毫安
,
T
J
= 37
°
C)
漏 - 源极导通电阻（V
GS
=
7V ，我
D
= 5 ...... 150毫安
,
T
J
= 25
°
C)
漏 - 源极导通电阻（V
GS
=
7V ，我
D
= 5 ...... 150毫安
,
T
J
= 60
°
C)
漏 - 源极导通电阻（V
GS
= 7
V，I
D
=
I
D1,
T
J
= 1
25° C)
°
零栅极电压漏极电流（V
DS
= 80％ BV
DSS
,
V
GS
= 0V,
T
J
=
25° C)
°
零栅极电压漏极电流（V
DS
= 80％ BV
DSS
,
V
GS
= 0V,
T
J
= 37
°
C)
零栅极电压漏极电流（V
DS
= 80％ BV
DSS
,
V
GS
= 0V,
T
J
= 1
25° C)
°
门源漏电流（V
GS
= ±20V,
V
CE
=0V)
门源漏电流（V
GS
= ±20V
V
CE
= 0V ） ， TJ = 37℃
°
门源漏电流（V
GS
= ±20V
V
CE
= 0V ） ， TJ = 125°C
°
10
500
1
100
±100
2
民
1000
3.4
3.5
12.5
12.5
11.5
15
23.5
10
4.5
13.5
典型值
最大
单位
伏
伏
伏
欧姆
欧姆
欧姆
欧姆
欧姆
uA
uA
uA
nA
nA
nA
MSC1054.PDF 99年6月23日
所有评分：设备在包装TO-3或Microsemi的CoolPack包，T
C
= 25 ° C除非另有说明
MSAFA1N100D
快速MOSFET死
植入式心脏除颤器
应用
动态特性：
符号
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Qg
QGS
QGD
特征
输入电容
输出电容
反向传输电容
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅 - 漏极（ "Miller" ）充电
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
二极管的正向电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
测试条件
V
GS
= 0V
V
DS
= 25V
F = 1 MHz的
V
GS
= 10V
V
DS
= 0.5BV
DSS
I
C
=
20毫安
电阻开关（ 25 ° C）
°
V
GS
= 10V, V
DS
= 0.5BV
DSS
I
D
= 20毫安
R
g
= 1.6
电阻开关（ 25 ° C）
°
V
GS
= 10V, V
DS
= 0.5BV
DSS
I
D
= 100毫安
R
g
= 1.6
V
GS
=0 V,
I
S
= 1 A
I
S
= 1 A，D
I
S
/ DT = 100 A /美
I
S
= 1 A，D
I
S
/ DT = 100 A /美
民
典型值
290
36
15
20
1
10
6.3
5.9
315
2.6
6.3
5.8
76
470
最大
350
45
25
单位
pF
pF
pF
nC
nC
nC
ns
ns
ns
us
ns
ns
ns
ns
t
d
（上）
t
r
t
d
（关闭）
t
f
t
d
（上）
t
r
t
d
（关闭）
t
f
V
SD
TRR
Q
rr
1
130
.7
V
ns
uC
重复评价：脉冲宽度有限的最高结温。
-
I
C
= I
C2,
V
CC
= 50V ，R
CE
= 25Ω ， L = 300μ H，T
J
= 25° C
°
T
J
= 150° C
°
见MIL -STD -750方法3471
DIE探头参数（ 100 ％测试） ：
符号
BV
DSS
V
GS
（ TH ）
R
DS
（上）
I
DSS
I
GSS
特性/测试条件
漏源击穿电压（V
GS
= 0V时，我
C
= 0.25毫安）
栅极阈值电压（V
DS
= V
GS
, I
C
= 1000μ A，T
J
= 25° C
°
漏源导通电阻（V
GS
= 10V ，我
C
= 1 A
,
T
J
= 25° C)
°
零栅极电压漏极电流（V
DS
= 800 V, V
GS
= 0V ，T
J
= 25° C)
°
门源漏电流（V
GS
= ±20 V, V
DS
=0V)
民
1000
2
典型值
最大
4.5
14
25
±100
单位
伏
欧姆
uA
nA
MSC1054.PDF 99年6月23日
所有评分：设备在包装TO-3或Microsemi的CoolPack包，T
C
= 25 ° C除非另有说明
MSAFA1N100D
快速MOSFET死
植入式心脏除颤器
应用
机械特性
V的s νs的V·D S V的ID
4.9
4.7
4.5
VGS （ V）
4.3
4.1
3.9
3.7
3.5
0.01
ID = 1 0 0为m的
ID = 5 0为m的
ID = 1 0微米的
ID = 1米
0.1
1
10
100
V·D S（ V）
MSC1054.PDF 99年6月23日
所有评分：设备在包装TO-3或Microsemi的CoolPack包，T
C
= 25 ° C除非另有说明
2830 S.锦绣街
圣安娜，CA 92704
电话： （ 714 ） 979-8220
传真： （ 714 ） 559-5989
MSAFA1N100D
快速MOSFET死
植入式心脏除颤器
应用
描述：
N沟道增强型高密度的MOSFET芯片
钝化：氮氧化物， 4UM
前侧（顶）金属化：铝/ 1 ％的Cu对铝引线接合， 9微米的典型。
背面金属：钛 - 镍（ 1微米） - 银（ 0.2微米）的软钎焊连接
低通态电阻
雪崩和额定浪涌
高频率。开关
超低漏电流
额定UIS
可提供批量验收测试规格MSAFA1N100DL ， " ， L"后缀
产品特点：
最大额定值：
符号
V
DSS
V
GS
I
D1
I
D2
I
DM1
I
AR
E
AR
E
AS
T
J,
T
英镑
参数
漏 - 源极电压
栅 - 源电压
连续漏电流@ T
C
= 25°C
°
连续漏电流@ T
C
= 100°C
°
漏电流脉冲
x
@ T
C
= 25°C
°
雪崩电流
重复性雪崩能量
单脉冲雪崩能量
工作和存储：结温范围
价值
1000
±20
1
.8
4
1
待定
待定
-55到150
单位
伏
伏
安培
安培
安培
安培
mJ
mJ
°
C
静态电气特性：
符号
BV
DSS
V
GS(TH)2
V
GS(TH)1
R
DS(ON)1
R
DS(ON)2
R
DS(ON)3
R
DS(ON)4
R
DS(ON)5
I
DSS1
I
DSS2
I
DSS3
I
GSS1
I
GSS2
I
GSS3
特性/测试条件
漏 - 源极击穿电压（V
GS
= 0V时，我
D
= 0.25毫安）
栅极阈值电压（V
GS
=
V
DS
,
I
D
= 1 m
A，T
J
= 37°C
°
栅极阈值电压（V
GS
=
V
DS
,
I
D
= 1 m
A，T
J
= 25°C
°
漏 - 源极导通电阻（V
GS
=
10V ，我
D
=
I
D1,
T
J
=
25°C)
°
漏 - 源极导通电阻（V
GS
=
7V ，我
D
= 5 ...... 150毫安
,
T
J
= 37
°
C)
漏 - 源极导通电阻（V
GS
=
7V ，我
D
= 5 ...... 150毫安
,
T
J
= 25
°
C)
漏 - 源极导通电阻（V
GS
=
7V ，我
D
= 5 ...... 150毫安
,
T
J
= 60
°
C)
漏 - 源极导通电阻（V
GS
= 7
V，I
D
=
I
D1,
T
J
= 1
25°C)
°
零栅极电压漏极电流（V
DS
= 80％ BV
DSS
,
V
GS
= 0V,
T
J
=
25°C)
°
零栅极电压漏极电流（V
DS
= 80％ BV
DSS
,
V
GS
= 0V,
T
J
= 37
°
C)
零栅极电压漏极电流（V
DS
= 80％ BV
DSS
,
V
GS
= 0V,
T
J
= 1
25°C)
°
门源漏电流（V
GS
= ±20V,
V
CE
=0V)
门源漏电流（V
GS
= ±20V
V
CE
= 0V ） ， TJ = 37℃
°
门源漏电流（V
GS
= ±20V
V
CE
= 0V ） ， TJ = 125°C
°
10
500
1
100
±100
2
民
1000
3.4
3.5
12.5
12.5
11.5
15
23.5
10
4.5
13.5
典型值
最大
单位
伏
伏
伏
欧姆
欧姆
欧姆
欧姆
欧姆
uA
uA
uA
nA
nA
nA
MSC1054.PDF 01年3月22日
所有评分：设备在包装TO-3或Microsemi的CoolPack包，T
C
= 25
°C
除非另有说明
MSAFA1N100D
动态特性：
符号
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Qg
QGS
QGD
快速MOSFET死
植入式心脏除颤器
应用
特征
输入电容
输出电容
反向传输电容
总栅极电荷
{
栅极 - 源电荷
栅 - 漏极（ "Miller" ）充电
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
二极管的正向电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
测试条件
V
GS
= 0V
V
DS
= 25V
F = 1 MHz的
V
GS
= 10V
V
DS
= 0.5BV
DSS
I
C
=
20毫安
电阻开关（ 25 ° C）
°
V
GS
= 10V, V
DS
= 0.5BV
DSS
I
D
= 20毫安
R
g
= 1.6
电阻开关（ 25 ° C）
°
V
GS
= 10V, V
DS
= 0.5BV
DSS
I
D
= 100毫安
R
g
= 1.6
V
GS
=0 V,
I
S
= 1 A
I
S
= 1 A，D
I
S
/ DT = 100 A /美
I
S
= 1 A，D
I
S
/ DT = 100 A /美
民
典型值
290
36
15
20
1
10
6.3
5.9
315
2.6
6.3
5.8
76
470
最大
350
45
25
单位
pF
pF
pF
nC
nC
nC
ns
ns
ns
us
ns
ns
ns
ns
t
d
（上）
t
r
t
d
（关闭）
t
f
t
d
（上）
t
r
t
d
（关闭）
t
f
V
SD
TRR
Q
rr
1
300
700
400
1200
V
ns
uC
x
重复评价：脉冲宽度有限的最高结温。
y
I
C
= I
C2,
V
CC
= 50V ，R
CE
= 25Ω ， L = 300μH ，T
J
= 25°C
°
z
T
J
= 150°C
°
{
见MIL -STD -750方法3471
DIE探头参数（ 100 ％测试） ：
符号
BV
DSS
V
GS
（ TH ）
R
DS
（上）
I
DSS
I
GSS
特性/测试条件
漏源击穿电压（V
GS
= 0V时，我
C
= 0.25毫安）
栅极阈值电压（V
DS
= V
GS
, I
C
= 1000μA ，T
J
= 25°C
°
漏源导通电阻（V
GS
= 10V ，我
C
= 1 A
,
T
J
= 25°C)
°
零栅极电压漏极电流（V
DS
= 800 V, V
GS
= 0V ，T
J
= 25°C)
°
门源漏电流（V
GS
= ±20 V, V
DS
=0V)
民
1000
2
典型值
最大
4.5
14
25
±100
单位
伏
欧姆
uA
nA
MSC1054.PDF 01年3月22日
所有评分：设备在包装TO-3或Microsemi的CoolPack包，T
C
= 25
°C
除非另有说明
MSAFA1N100D
快速MOSFET死
植入式心脏除颤器
应用
机械特性
V的s νs的V·D S V的ID
4 .9
4 .7
4 .5
VGS （ V）
4 .3
4 .1
3 .9
3 .7
3 .5
0 .0 1
0 .1
1
10
100
ID = 1 0 0为m的
ID = 5 0为m的
ID = 1 0微米的
ID = 1米
V·D S（ V）
MSC1054.PDF 01年3月22日
所有评分：设备在包装TO-3或Microsemi的CoolPack包，T
C
= 25
°C
除非另有说明
QQ：2881677436 复制
