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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符M型号页 > 首字符M的型号第1820页 > MSAER12N50A
2830 S.锦绣街
圣安娜，CA 92704
PH ： （ 714 ） 979-8220
传真： （ 714 ） 966-5256
MSAER12N50A
MSAFR12N50A
500伏
12 AMPS
400 m
N沟道
增强型
功率MOSFET
特点
超快整流器与体二极管并联（仅MSAE型）
坚固的多晶硅栅单元结构
增加松开感应开关（ UIS）能力
密封，表面贴装功率封装
低封装电感
极低的热阻
反极性可根据要求提供
最大额定值@ 25 ° C（除非另有说明）
°
描述
漏极至源极击穿电压（门极短路到源）
@ T
J
≥
25°C
符号
BV
DSS
BV
DGR
V
GS
V
GSM
I
D25
I
D100
I
DM
I
AR
E
AR
E
AS
dv / dt的
P
D
T
j
T
英镑
I
S
I
SM
θ
JC
马克斯。
500
500
+/-20
+/-30
12
8
48
12
待定
8
3.5
300
-55到+150
-55到+150
12
48
0.4
单位
伏
伏
伏
伏
安培
安培
安培
mJ
mJ
V / ns的
瓦
°C
°C
安培
安培
° C / W
漏极至栅极击穿电压
@ T
J
≥
25℃下，R
GS
= 1 M
连续的门 - 源电压
短暂的门 - 源电压
连续漏电流
100°C
TJ = 25°C
TJ ？
峰值漏极电流，脉冲宽度限制T
JMAX
重复性雪崩电流
重复性雪崩能量
单脉冲雪崩能量
更改恢复二极管的电压率
@ I
S
≤
I
DM
， di / dt的
≤
100 A / μs的，V
DD
≤
V
DSS
, T
J
≤
150°C
功耗
结温范围
存储温度范围
连续源电流（体二极管）
脉冲源电流（体二极管）
热阻，结到外壳
机械概要
漏
门
来源
数据表＃ MSC0266B
MSAER12N50A
MSAFR12N50A
电气参数@ 25 ° C（除非另有说明）
°
描述
漏极至源极击穿电压
（门极短路到源）
在漏 - 源的温度系数
击穿电压
栅极阈值电压
栅极 - 源极漏电流
漏极至源极漏电流（零门
电压漏电流）
静态漏 - 源极导通电阻（ 1 ）
符号
BV
DSS
ΔBV
DSS
/T
J
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
R
DS （ ON）
条件
V
GS
= 0 V，I
D
= 1000
A
民
500
典型值。
0.78
最大
单位
V
V /°C的
正向跨导（ 1 ）
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
总栅极电荷
栅极 - 源极充电
栅极 - 漏极（米勒）电荷
体二极管正向电压（ 1 ）
反向恢复时间（体二极管）
反向恢复电荷
g
fs
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
T
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
G（ ON）的
Q
gs
Q
gd
V
SD
t
rr
Q
rr
V
DS
= V
GS
, I
D
= 1毫安
V
GS
=
±
20V
DC
, V
DS
= 0 T
J
= 25°C
T
J
= 125°C
V
DS
=0.8BV
DSS
T
J
= 25°C
V
GS
= 0 V
T
J
= 125°C
V
GS
= 10V ，我
D
= 8A
T
J
= 25°C
I
D
= 12A
T
J
= 25°C
I
D
= 8A
T
J
= 125°C
V
DS
≥
15 V ;我
D
= 8 A
V
GS
= 0 V, V
DS
= 25 V ， F = 1兆赫
2.0
4.0
±100
±200
25
250
0.400
0.500
0.800
V
nA
A
5.5
2700
600
240
35
190
170
130
120
19
70
1.2
1.7
70
1600
待定
14
S
pF
V
GS
= 10 V, V
DS
= 250 V,
I
D
= 12 A，R
G
= 2.35
ns
V
GS
= 10 V, V
DS
= 250V ，我
D
= 12A
55
5
27
nC
I
F
= I
S
, V
GS
= 0 V
I
F
= 10 A,
-di / DT = 100 A /
s,
I
F
= 10 A,
的di / dt = 100 A /
s,
MSAE
MSAF
MSAE
MSAF
MSAE
MSAF
V
ns
C
笔记
(1)
(2)
脉冲测试，T
≤
300
S，占空比
δ ≤
2%
Microsemi公司不制造MOSFET的模具;请联络厂方信息
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    地址：深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    MSAER12N50A
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