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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符M型号页 > 首字符M的型号第1996页 > MSA-0485
级联硅双极
MMIC放大器
技术参数
MSA-0485
特点
可级联50
增益模块
3 dB带宽：
DC至3.6 GHz的
8.0分贝典型增益
1.0 GHz的
12.5 dBm的典型P
1分贝
at
1.0 GHz的
无条件稳定
(k>1)
低成本塑料封装
塑料封装。这是MMIC
设计用作一个一般
目标50
增益模块。典型
应用包括狭窄，
宽带IF和RF放大器
在商业和工业
应用程序。
该MSA系列是使用制造
HP的10 GHz的F
T
25 GHz的F
最大
,
硅双极MMIC工艺
它采用氮化物自对准，
离子注入，黄金metalli-
矩阵特殊积达到优
性能，均匀性和
可靠性。使用外部的
偏置电阻器的温度和
目前的稳定也允许偏差
灵活性。
85塑料包装
描述
该MSA - 0485是一款高perfor-
曼斯硅双极单片
微波集成电路
（ MMIC）容纳在一个较低的成本
典型的偏置CON组fi guration
R
BIAS
V
CC
> 7 V
RFC （可选）
4
C
块
3
IN
1
MSA
C
块
OUT
V
d
= 5.25 V
2
5965-9577E
6-338
MSA - 0485绝对最大额定值
参数
器件的电流
功耗
[2,3]
RF输入功率
结温
储存温度
绝对最大
[1]
85毫安
500毫瓦
+13 dBm的
150°C
-65 ℃150℃
热阻
[2,4]
:
θ
jc
= 90C / W
注意事项：
如果任何超出这些限制可能会出现1永久性损坏。
2. T
例
= 25°C.
3.减免11.1毫瓦/°C，对于T
C
> 105 ℃。
4.了解更多信息，请参见测量一节“热阻” 。
电气规格
[1]
, T
A
= 25°C
符号
G
P
G
P
f
3分贝
VSWR
NF
P
1分贝
IP
3
t
D
V
d
dv / dt的
参数和测试条件：我
d
= 50毫安，Z
O
= 50
功率增益（ | S
21
|
2
)
增益平坦度
3 dB带宽
输入VSWR
输出VSWR
50
噪声系数
1 dB增益压缩输出功率
三阶截点
群时延
器件电压
器件电压温度系数
F = 0.12.5千兆赫
F = 0.12.5千兆赫
F = 1.0 GHz的
F = 1.0 GHz的
F = 1.0 GHz的
F = 1.0 GHz的
F = 0.1 GHz的
F = 1.0 GHz的
F = 0.12.5千兆赫
单位
dB
分钟。
7.0
典型值。
8.3
8.0
±
0.7
3.6
1.6:1
2.0:1
马克斯。
dB
GHz的
dB
DBM
DBM
皮秒
V
毫伏/°C的
4.2
7.0
12.5
25.5
125
5.25
–8.0
6.3
注意：
1.推荐的工作电流范围为这个设备是3070毫安。典型表现为电流的函数
是下页。
6-339
MSA - 0485典型散射参数（Z
O
= 50
,
T
A
= 25 ° C，I
d
= 50 mA）的
频率。
GHz的
S
11
MAG
昂
dB
S
21
MAG
昂
dB
S
12
MAG
昂
MAG
S
22
昂
0.1
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
4.5
5.0
.21
.20
.20
.19
.19
.18
.16
.18
.21
.27
.33
.38
.42
.44
177
176
172
171
168
166
167
168
173
169
161
154
145
131
8.4
8.3
8.2
8.1
8.1
8.0
7.8
7.4
6.9
6.3
5.7
4.8
4.1
3.3
2.63
2.60
2.57
2.55
2.54
2.52
2.46
2.34
2.21
2.07
1.92
1.74
1.59
1.46
175
171
163
155
146
138
117
97
83
65
48
33
18
4
–16.1
–16.2
–16.1
–16.2
–16.0
–15.7
–15.3
–14.6
–13.8
–13.4
–12.6
–12.3
–12.1
–11.7
.156
.155
.156
.155
.158
.164
.171
.187
.204
.213
.234
.242
.249
.259
2
2
3
5
6
9
11
12
16
13
9
6
3
–3
.08
.08
.10
.13
.16
.18
.25
.29
.34
.38
.39
.37
.36
.34
–16
–30
–54
–71
–83
–93
–116
–136
–150
–161
–172
–179
–174
–165
可在设备型号部分的模型此设备。
典型性能，T
A
= 25°C
（除非另有说明）
12
10
60
G
p
（ dB）的
8
6
4
20
2
0
0
1
2
3
4
V
d
(V)
5
6
7
5
0.1 GHz的
1.0 GHz的
2.0 GHz的
20
30
40
50
I
d
（MA ）
60
70
G
p
（ dB）的
I
d
= 70毫安
P
1分贝
（ dBm的）
G
p
（ dB）的
9
8
G
P
7
NF（ dB）的
8
NF
7
6
–25
0
+25
+55
+85
温度（℃）
3
0.1
5.5
0.2 0.3
0.5
1.0
2.0
4.0
0.1
0.2 0.3
0.5
频率（GHz ）
6
15
NF（ dB）的
12
9
I
d
= 30毫安
6.0
I
d
= 30毫安
I
d
= 50毫安
I
d
= 70毫安
1.0
2.0
I
d
= 50毫安
6.5
I
d
（MA ）
增益平坦直流
7
80
T
C
= +85°C
T
C
= +25°C
T
C
= –25°C
9
8
40
6
0.1
0.3 0.5
1.0
3.0
6.0
4
频率（GHz ）
图1.典型的功率增益与
频率，T
A
= 25 ° C，I
d
= 50 mA的电流。
图2.设备电流与电压。
图3.功率增益与电流。
P
1分贝
（ dBm的）
13
12
11
P
1分贝
21
18
7.5
7.0
频率（GHz ）
图4.输出功率为1 dB增益
压缩， NF和功率增益与
外壳温度， F = 1.0千兆赫，
I
d
=50mA.
图5.输出功率为1 dB增益
压缩与频率。
图6.噪声系数与频率的关系。
6-340
85塑料封装尺寸
.020
.51
地
4
0.143
±
0.015
3.63
±
0.38
1
RF输入
A04
45°
3
RF输出
和偏置
注意事项：
（除非另有规定编）
1.尺寸单位：
mm
2.公差
在.XXX =
±
0.005
毫米.XX =
±
0.13
.006
±
.002
.15
±
.05
地
.085
2.15
2
.060
±
.010
1.52
±
.25
5 ° TYP 。
.07
0.43
.286
±
.030
7.36
±
.76
6-341
级联硅双极
MMIC放大器
技术参数
MSA-0485
特点
可级联50
增益模块
3 dB带宽：
DC至3.6 GHz的
8.0分贝典型增益
1.0 GHz的
12.5 dBm的典型P
1分贝
at
1.0 GHz的
无条件稳定
(k>1)
低成本塑料封装
塑料封装。这是MMIC
设计用作一个一般
目标50
增益模块。典型
应用包括狭窄，
宽带IF和RF放大器
在商业和工业
应用程序。
该MSA系列是使用制造
HP的10 GHz的F
T
25 GHz的F
最大
,
硅双极MMIC工艺
它采用氮化物自对准，
离子注入，黄金metalli-
矩阵特殊积达到优
性能，均匀性和
可靠性。使用外部的
偏置电阻器的温度和
目前的稳定也允许偏差
灵活性。
85塑料包装
描述
该MSA - 0485是一款高perfor-
曼斯硅双极单片
微波集成电路
（ MMIC）容纳在一个较低的成本
典型的偏置CON组fi guration
R
BIAS
V
CC
> 7 V
RFC （可选）
4
C
块
3
IN
1
MSA
C
块
OUT
V
d
= 5.25 V
2
5965-9577E
6-338
MSA - 0485绝对最大额定值
参数
器件的电流
功耗
[2,3]
RF输入功率
结温
储存温度
绝对最大
[1]
85毫安
500毫瓦
+13 dBm的
150°C
-65 ℃150℃
热阻
[2,4]
:
θ
jc
= 90C / W
注意事项：
如果任何超出这些限制可能会出现1永久性损坏。
2. T
例
= 25°C.
3.减免11.1毫瓦/°C，对于T
C
> 105 ℃。
4.了解更多信息，请参见测量一节“热阻” 。
电气规格
[1]
, T
A
= 25°C
符号
G
P
G
P
f
3分贝
VSWR
NF
P
1分贝
IP
3
t
D
V
d
dv / dt的
参数和测试条件：我
d
= 50毫安，Z
O
= 50
功率增益（ | S
21
|
2
)
增益平坦度
3 dB带宽
输入VSWR
输出VSWR
50
噪声系数
1 dB增益压缩输出功率
三阶截点
群时延
器件电压
器件电压温度系数
F = 0.12.5千兆赫
F = 0.12.5千兆赫
F = 1.0 GHz的
F = 1.0 GHz的
F = 1.0 GHz的
F = 1.0 GHz的
F = 0.1 GHz的
F = 1.0 GHz的
F = 0.12.5千兆赫
单位
dB
分钟。
7.0
典型值。
8.3
8.0
±
0.7
3.6
1.6:1
2.0:1
马克斯。
dB
GHz的
dB
DBM
DBM
皮秒
V
毫伏/°C的
4.2
7.0
12.5
25.5
125
5.25
–8.0
6.3
注意：
1.推荐的工作电流范围为这个设备是3070毫安。典型表现为电流的函数
是下页。
6-339
MSA - 0485典型散射参数（Z
O
= 50
,
T
A
= 25 ° C，I
d
= 50 mA）的
频率。
GHz的
S
11
MAG
昂
dB
S
21
MAG
昂
dB
S
12
MAG
昂
MAG
S
22
昂
0.1
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
4.5
5.0
.21
.20
.20
.19
.19
.18
.16
.18
.21
.27
.33
.38
.42
.44
177
176
172
171
168
166
167
168
173
169
161
154
145
131
8.4
8.3
8.2
8.1
8.1
8.0
7.8
7.4
6.9
6.3
5.7
4.8
4.1
3.3
2.63
2.60
2.57
2.55
2.54
2.52
2.46
2.34
2.21
2.07
1.92
1.74
1.59
1.46
175
171
163
155
146
138
117
97
83
65
48
33
18
4
–16.1
–16.2
–16.1
–16.2
–16.0
–15.7
–15.3
–14.6
–13.8
–13.4
–12.6
–12.3
–12.1
–11.7
.156
.155
.156
.155
.158
.164
.171
.187
.204
.213
.234
.242
.249
.259
2
2
3
5
6
9
11
12
16
13
9
6
3
–3
.08
.08
.10
.13
.16
.18
.25
.29
.34
.38
.39
.37
.36
.34
–16
–30
–54
–71
–83
–93
–116
–136
–150
–161
–172
–179
–174
–165
可在设备型号部分的模型此设备。
典型性能，T
A
= 25°C
（除非另有说明）
12
10
60
G
p
（ dB）的
8
6
4
20
2
0
0
1
2
3
4
V
d
(V)
5
6
7
5
0.1 GHz的
1.0 GHz的
2.0 GHz的
20
30
40
50
I
d
（MA ）
60
70
G
p
（ dB）的
I
d
= 70毫安
P
1分贝
（ dBm的）
G
p
（ dB）的
9
8
G
P
7
NF（ dB）的
8
NF
7
6
–25
0
+25
+55
+85
温度（℃）
3
0.1
5.5
0.2 0.3
0.5
1.0
2.0
4.0
0.1
0.2 0.3
0.5
频率（GHz ）
6
15
NF（ dB）的
12
9
I
d
= 30毫安
6.0
I
d
= 30毫安
I
d
= 50毫安
I
d
= 70毫安
1.0
2.0
I
d
= 50毫安
6.5
I
d
（MA ）
增益平坦直流
7
80
T
C
= +85°C
T
C
= +25°C
T
C
= –25°C
9
8
40
6
0.1
0.3 0.5
1.0
3.0
6.0
4
频率（GHz ）
图1.典型的功率增益与
频率，T
A
= 25 ° C，I
d
= 50 mA的电流。
图2.设备电流与电压。
图3.功率增益与电流。
P
1分贝
（ dBm的）
13
12
11
P
1分贝
21
18
7.5
7.0
频率（GHz ）
图4.输出功率为1 dB增益
压缩， NF和功率增益与
外壳温度， F = 1.0千兆赫，
I
d
=50mA.
图5.输出功率为1 dB增益
压缩与频率。
图6.噪声系数与频率的关系。
6-340
85塑料封装尺寸
.020
.51
地
4
0.143
±
0.015
3.63
±
0.38
1
RF输入
A04
45°
3
RF输出
和偏置
注意事项：
（除非另有规定编）
1.尺寸单位：
mm
2.公差
在.XXX =
±
0.005
毫米.XX =
±
0.13
.006
±
.002
.15
±
.05
地
.085
2.15
2
.060
±
.010
1.52
±
.25
5 ° TYP 。
.07
0.43
.286
±
.030
7.36
±
.76
6-341
级联硅双极
MMIC放大器
技术参数
MSA-0485
特点
可级联50
增益模块
3 dB带宽：
DC至3.6 GHz的
8.0分贝典型增益
1.0 GHz的
12.5 dBm的典型P
1分贝
at
1.0 GHz的
无条件稳定
(k>1)
低成本塑料封装
塑料封装。这是MMIC
设计用作一个一般
目标50
增益模块。典型
应用包括狭窄，
宽带IF和RF放大器
在商业和工业
应用程序。
该MSA系列是使用制造
HP的10 GHz的F
T
25 GHz的F
最大
,
硅双极MMIC工艺
它采用氮化物自对准，
离子注入，黄金metalli-
矩阵特殊积达到优
性能，均匀性和
可靠性。使用外部的
偏置电阻器的温度和
目前的稳定也允许偏差
灵活性。
85塑料包装
描述
该MSA - 0485是一款高perfor-
曼斯硅双极单片
微波集成电路
（ MMIC）容纳在一个较低的成本
典型的偏置CON组fi guration
R
BIAS
V
CC
> 7 V
RFC （可选）
4
C
块
3
IN
1
MSA
C
块
OUT
V
d
= 5.25 V
2
5965-9577E
6-338
MSA - 0485绝对最大额定值
参数
器件的电流
功耗
[2,3]
RF输入功率
结温
储存温度
绝对最大
[1]
85毫安
500毫瓦
+13 dBm的
150°C
-65 ℃150℃
热阻
[2,4]
:
θ
jc
= 90C / W
注意事项：
如果任何超出这些限制可能会出现1永久性损坏。
2. T
例
= 25°C.
3.减免11.1毫瓦/°C，对于T
C
> 105 ℃。
4.了解更多信息，请参见测量一节“热阻” 。
电气规格
[1]
, T
A
= 25°C
符号
G
P
G
P
f
3分贝
VSWR
NF
P
1分贝
IP
3
t
D
V
d
dv / dt的
参数和测试条件：我
d
= 50毫安，Z
O
= 50
功率增益（ | S
21
|
2
)
增益平坦度
3 dB带宽
输入VSWR
输出VSWR
50
噪声系数
1 dB增益压缩输出功率
三阶截点
群时延
器件电压
器件电压温度系数
F = 0.12.5千兆赫
F = 0.12.5千兆赫
F = 1.0 GHz的
F = 1.0 GHz的
F = 1.0 GHz的
F = 1.0 GHz的
F = 0.1 GHz的
F = 1.0 GHz的
F = 0.12.5千兆赫
单位
dB
分钟。
7.0
典型值。
8.3
8.0
±
0.7
3.6
1.6:1
2.0:1
马克斯。
dB
GHz的
dB
DBM
DBM
皮秒
V
毫伏/°C的
4.2
7.0
12.5
25.5
125
5.25
–8.0
6.3
注意：
1.推荐的工作电流范围为这个设备是3070毫安。典型表现为电流的函数
是下页。
6-339
MSA - 0485典型散射参数（Z
O
= 50
,
T
A
= 25 ° C，I
d
= 50 mA）的
频率。
GHz的
S
11
MAG
昂
dB
S
21
MAG
昂
dB
S
12
MAG
昂
MAG
S
22
昂
0.1
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
4.5
5.0
.21
.20
.20
.19
.19
.18
.16
.18
.21
.27
.33
.38
.42
.44
177
176
172
171
168
166
167
168
173
169
161
154
145
131
8.4
8.3
8.2
8.1
8.1
8.0
7.8
7.4
6.9
6.3
5.7
4.8
4.1
3.3
2.63
2.60
2.57
2.55
2.54
2.52
2.46
2.34
2.21
2.07
1.92
1.74
1.59
1.46
175
171
163
155
146
138
117
97
83
65
48
33
18
4
–16.1
–16.2
–16.1
–16.2
–16.0
–15.7
–15.3
–14.6
–13.8
–13.4
–12.6
–12.3
–12.1
–11.7
.156
.155
.156
.155
.158
.164
.171
.187
.204
.213
.234
.242
.249
.259
2
2
3
5
6
9
11
12
16
13
9
6
3
–3
.08
.08
.10
.13
.16
.18
.25
.29
.34
.38
.39
.37
.36
.34
–16
–30
–54
–71
–83
–93
–116
–136
–150
–161
–172
–179
–174
–165
可在设备型号部分的模型此设备。
典型性能，T
A
= 25°C
（除非另有说明）
12
10
60
G
p
（ dB）的
8
6
4
20
2
0
0
1
2
3
4
V
d
(V)
5
6
7
5
0.1 GHz的
1.0 GHz的
2.0 GHz的
20
30
40
50
I
d
（MA ）
60
70
G
p
（ dB）的
I
d
= 70毫安
P
1分贝
（ dBm的）
G
p
（ dB）的
9
8
G
P
7
NF（ dB）的
8
NF
7
6
–25
0
+25
+55
+85
温度（℃）
3
0.1
5.5
0.2 0.3
0.5
1.0
2.0
4.0
0.1
0.2 0.3
0.5
频率（GHz ）
6
15
NF（ dB）的
12
9
I
d
= 30毫安
6.0
I
d
= 30毫安
I
d
= 50毫安
I
d
= 70毫安
1.0
2.0
I
d
= 50毫安
6.5
I
d
（MA ）
增益平坦直流
7
80
T
C
= +85°C
T
C
= +25°C
T
C
= –25°C
9
8
40
6
0.1
0.3 0.5
1.0
3.0
6.0
4
频率（GHz ）
图1.典型的功率增益与
频率，T
A
= 25 ° C，I
d
= 50 mA的电流。
图2.设备电流与电压。
图3.功率增益与电流。
P
1分贝
（ dBm的）
13
12
11
P
1分贝
21
18
7.5
7.0
频率（GHz ）
图4.输出功率为1 dB增益
压缩， NF和功率增益与
外壳温度， F = 1.0千兆赫，
I
d
=50mA.
图5.输出功率为1 dB增益
压缩与频率。
图6.噪声系数与频率的关系。
6-340
85塑料封装尺寸
.020
.51
地
4
0.143
±
0.015
3.63
±
0.38
1
RF输入
A04
45°
3
RF输出
和偏置
注意事项：
（除非另有规定编）
1.尺寸单位：
mm
2.公差
在.XXX =
±
0.005
毫米.XX =
±
0.13
.006
±
.002
.15
±
.05
地
.085
2.15
2
.060
±
.010
1.52
±
.25
5 ° TYP 。
.07
0.43
.286
±
.030
7.36
±
.76
6-341
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