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位置:首页 > IC型号导航 > 首字符M型号页 > 首字符M的型号第2188页 > MSA-0336
级联硅双极
MMIC放大器
技术参数
MSA - 0335 , -0336
特点
可级联50
增益模块
3 dB带宽:
DC至2.7 GHz
12.0分贝典型增益
1.0 GHz的
10.0 dBm的典型P
1分贝
at
1.0 GHz的
无条件稳定
(k>1)
性价比高陶瓷
微带套餐
设计用作一个一般
目标50
增益模块。典型
应用包括狭窄,
宽带IF和RF放大器
在工业和军事应用
系统蒸发散。
该MSA系列是使用制造
HP的10 GHz的F
T
25 GHz的F
最大
,
硅双极MMIC工艺
它采用氮化物自对准,
离子注入,黄金metalli-
矩阵特殊积达到优
性能,均匀性和
可靠性。使用外部的
偏置电阻器的温度和
目前的稳定也允许偏差
灵活性。
可在切割引线型
(包36 )的MSA - 0336 。
35微-X包
[1]
注意:
1.
短引线36封装
根据要求提供。
描述
该MSA - 0335是一款高perfor-
曼斯硅双极单片
微波集成电路
( MMIC)容纳在具有成本效益的,
微带包。这是MMIC
典型的偏置CON组fi guration
R
BIAS
V
CC
> 7 V
RFC (可选)
4
C
3
IN
1
MSA
C
OUT
V
d
= 5 V
2
5965-9568E
6-302
MSA - 0335 , -0336绝对最大额定值
参数
器件的电流
功耗
[2,3]
RF输入功率
结温
储存温度
[4]
绝对最大
[1]
80毫安
425毫瓦
+13 dBm的
200°C
-65 ℃200℃
热阻
[2,5]
:
θ
jc
= 150 ° C / W
注意事项:
如果任何超出这些限制可能会出现1永久性损坏。
2. T
= 25°C.
3.减免为6.7毫瓦/°C,对于T
C
> 136 ℃。
4.存储超过+ 150 ° C可以玷污这个包使得它的引线
难于焊接到电路。
5.此技术产生一个小的光斑尺寸更高,尽管更
准确测定
θ
jc
比其他方法。见测量
MENTS节“热阻”的详细信息。
电气规格
[1]
, T
A
= 25°C
符号
G
P
G
P
f
3分贝
VSWR
NF
P
1分贝
IP
3
t
D
V
d
dv / dt的
参数和测试条件:我
d
= 35毫安,Z
O
= 50
功率增益( | S
21
|
2
)
增益平坦度
3 dB带宽
输入VSWR
输出VSWR
50
噪声系数
1 dB增益压缩输出功率
三阶截点
群时延
器件电压
器件电压温度系数
F = 0.13.0千兆赫
F = 0.13.0千兆赫
F = 1.0 GHz的
F = 1.0 GHz的
F = 1.0 GHz的
F = 1.0 GHz的
F = 0.1 GHz的
F = 0.1至1.6千兆赫
单位
dB
dB
GHz的
分钟。
11.5
典型值。
12.5
±
0.6
2.7
1.6:1
1.7:1
马克斯。
13.5
±
1.0
dB
DBM
DBM
皮秒
V
毫伏/°C的
4.5
10.0
6.0
23.0
125
5.0
–8.0
5.5
注意事项:
1.推荐的工作电流范围为这个设备是2050毫安。典型表现为电流的函数
是下页。
MSA - 0335 , -0336型号订购信息
产品型号
MSA-0335
MSA-0336-BLK
MSA-0336-TR1
设备号
10
100
1000
集装箱
防静电袋
7"卷轴
欲了解更多信息,请参阅“磁带和卷轴包装的半导体器件。 ”
6-303
MSA - 0335 , -0336典型的散射参数(Z
O
= 50
,
T
A
= 25 ° C,I
d
= 35 mA)的
频率。
GHz的
S
11
MAG
dB
S
21
MAG
dB
S
12
MAG
MAG
S
22
0.1
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
5.0
6.0
.05
.05
.04
.04
.03
.02
.03
.08
.14
.21
.27
.31
.37
.51
177
170
161
156
149
154
–104
–136
–157
–176
170
157
125
87
12.6
12.5
12.5
12.4
12.2
12.1
11.6
10.9
10.0
9.0
7.9
6.9
4.9
2.8
4.25
4.24
4.20
4.15
4.09
4.02
3.79
3.49
3.16
2.81
2.49
2.20
1.76
1.38
175
170
160
151
142
132
109
87
71
53
36
20
–10
–38
–18.6
–18.3
–18.3
–18.3
–17.9
–17.6
–16.8
–15.7
–14.9
–14.6
–13.9
–13.6
–12.9
–12.8
.118
.121
.122
.121
.128
.131
.145
.164
.180
.187
.202
.209
.226
.230
1
2
3
5
8
9
13
11
13
8
4
–1
–12
–25
.17
.17
.17
.18
.19
.20
.20
.21
.23
.24
.25
.24
.20
.22
–8
–17
–33
–47
–61
–73
–102
–133
–155
–173
178
177
165
130
可在设备型号部分的模型此设备。
典型性能,T
A
= 25°C
(除非另有说明)
14
12
增益平坦直流
10
60
T
C
= +125°C
50 T
C
= +25°C
T
C
= –55°C
40
30
20
10
0
0.1
0.3 0.5
1.0
3.0
6.0
0
1
2
3
V
d
(V)
4
5
6
频率(GHz )
6
0.1 GHz的
0.5 GHz的
1.0 GHz的
2.0 GHz的
15
20
25
30
I
d
(MA )
35
40
50
14
12
G
p
( dB)的
8
6
4
2
0
G
p
( dB)的
I
d
= 50毫安
I
d
(MA )
10
8
4
图1.典型的功率增益与
频率,T
A
= 25 ° C,I
d
= 35 mA的电流。
图2.设备电流与电压。
图3.功率增益与电流。
G
p
( dB)的
13
12
11
G
P
11
18
15
7.0
P
1分贝
( dBm的)
10
P
1分贝
9
8
7
P
1分贝
( dBm的)
6.5
12
9
I
d
= 35毫安
6
5.5
NF( dB)的
6.0
NF( dB)的
6
NF
5
4
–55
–25
+25
+85
+125
I
d
= 20毫安
0
0.1
0.2 0.3
3
5.0
0.5
1.0
2.0
4.0
0.1
0.2 0.3
0.5
I
d
= 20毫安
I
d
= 35毫安
I
d
= 50毫安
1.0
2.0
4.0
温度(℃)
频率(GHz )
频率(GHz )
图4.输出功率为1 dB增益
压缩, NF和功率增益与
安装面温度,
F = 1.0 GHz的,我
d
= 35 mA的电流。
图5.输出功率为1 dB增益
压缩与频率。
图6.噪声系数与频率的关系。
6-304
35微-X封装尺寸
.085
2.15
4
0.083 DIA 。
2.11
RF输出
和偏置
3
.020
.508
2
注意事项:
(除非另有规定编)
1.尺寸单位:
mm
2.公差
在.XXX =
±
0.005
毫米.XX =
±
0.13
1
.057
±
.010
1.45
±
.25
.100
2.54
.022
.56
.455
±
.030
11.54
±
.75
.006
±
.002
.15
±
.05
A03
RF输入
6-305
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    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    MSA-0336
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