【级联硅双极MMIC放大器技术参数MSA - 0235 ， -0236特点可级联50增益模块3 dB带】,IC型号MSA-0236-TR1,MSA-0236-TR1 PDF资料,MSA-0236-TR1经销商,ic,电子元器件-51电子网

级联硅双极

MMIC放大器

技术参数

MSA - 0235 ， -0236

特点

可级联50

增益模块

3 dB带宽：

DC至2.7 GHz

12.0分贝典型增益

1.0 GHz的

无条件稳定

(k>1)

性价比高陶瓷

微带套餐

目标50

增益模块。典型

应用包括狭窄，

宽带IF和RF放大器

在工业和军事应用

系统蒸发散。

该MSA系列是使用制造

HP的10 GHz的F

25 GHz的F

最大

硅双极MMIC工艺

它采用氮化物自对准，

离子注入，黄金metalli-

矩阵特殊积达到优

性能，均匀性和

可靠性。使用外部的

偏置电阻器的温度和

目前的稳定也允许偏差

灵活性。

可在切割引线型

（包36 ）的MSA -0236 。

35微-X包

[1]

注意：

短引线36封装

根据要求提供。

描述

该MSA - 0235是一款高perfor-

曼斯硅双极单片

微波集成电路

（ MMIC）容纳在具有成本效益的，

微带包。这是MMIC

设计用作一个一般

典型的偏置CON组fi guration

BIAS

> 7 V

RFC （可选）

块

MSA

块

OUT

= 5 V

5965-9697E

6-274

MSA - 0235 ， -0236绝对最大额定值

参数

器件的电流

功耗

[2,3]

RF输入功率

结温

储存温度

[4]

绝对最大

[1]

60毫安

325毫瓦

+13 dBm的

200°C

-65 ℃200℃

热阻

[2,5]

= 145 ° C / W

注意事项：

如果任何超出这些限制可能会出现1永久性损坏。

2. T

例

= 25°C.

3.减额在6.9毫瓦/°C，对于T

> 153 ℃。

4.存储超过+ 150 ° C可以玷污这个包使得它的引线

难于焊接到电路。

5.此技术产生一个小的光斑尺寸更高，尽管更

准确测定

比其他方法。见测量

MENTS节“热阻”的详细信息。

电气规格

[1]

, T

= 25°C

符号

3分贝

VSWR

1分贝

dv / dt的

参数和测试条件：我

= 25毫安，Z

= 50

功率增益（ | S

)

增益平坦度

3 dB带宽

输入VSWR

输出VSWR

噪声系数

1 dB增益压缩输出功率

三阶截点

群时延

器件电压

器件电压温度系数

F = 0.13.0千兆赫

F = 1.0 GHz的

F = 0.1 GHz的

F = 0.1至1.6千兆赫

单位

GHz的

分钟。

11.5

典型值。

12.5

0.6

2.7

1.2:1

1.4:1

马克斯。

13.5

1.0

DBM

皮秒

毫伏/°C的

4.5

6.5

4.5

17.0

125

5.0

–8.0

5.5

注意：

1.推荐工作电流范围为这个设备是18 40毫安。典型表现为电流的函数

是下页。

产品型号订购信息

产品型号

MSA-0235

MSA-0236-BLK

MSA-0236-TR1

设备号

100

1000

集装箱

条

防静电袋

7"卷轴

欲了解更多信息，请参阅包装部分， “磁带和卷轴

包装的半导体器件。 “

6-275

MSA - 0235 ， -0236典型的散射参数（Z

= 50

= 25 ° C，I

= 25 mA）的

频率。

GHz的

MAG

昂

MAG

昂

MAG

昂

MAG

昂

0.1

0.2

0.4

0.6

0.8

1.0

1.5

2.0

2.5

3.0

3.5

4.0

5.0

6.0

.08

.07

.06

.03

.09

.16

.20

.27

.41

170

163

147

130

112

–1

–115

–157

–175

173

136

12.6

12.5

12.4

12.2

12.1

11.6

11.0

10.2

9.3

8.3

7.2

5.2

3.2

4.25

4.23

4.19

4.14

4.09

4.02

3.80

3.53

3.24

2.92

2.60

2.29

1.81

1.44

176

171

161

152

143

134

112

–6

–33

–18.6

–18.5

–18.4

–18.3

–18.1

–18.0

–17.3

–16.3

–15.4

–15.1

–14.4

–14.1

–13.5

.118

.119

.120

.121

.125

.126

.137

.153

.169

.176

.190

.198

.211

.212

–2

–11

–24

.16

.15

.13

.11

.09

.08

.09

.11

.15

.11

–6

–10

–21

–30

–39

–46

–66

–89

–111

–127

–129

–118

–117

–148

可在设备型号部分的模型此设备。

典型性能，T

= 25°C

（除非另有说明）

增益平坦直流

（ dB）的

0.1

0.3 0.5

1.0

3.0

6.0

频率（GHz ）

(V)

（MA ）

= +125°C

= +25°C

30 T = -55°C

（ dB）的

0.1 GHz的

0.5 GHz的

1.0 GHz的

2.0 GHz的

图1.典型的功率增益与

频率，T

= 25 ° C，I

= 25 mA的电流。

图2.设备电流与电压。

图3.功率增益与电流。

（ dB）的

= 40毫安

7.5

1分贝

（ dBm的）

NF（ dB）的

1分贝

–25

+25

+85

+125

= 18毫安

0.1

0.2 0.3

NF（ dB）的

= 25毫安

7.0

6.5

1分贝

（ dBm的）

–55

6.0

5.5

0.5

1.0

2.0

4.0

0.1

0.2 0.3

0.5

= 18毫安

= 25毫安

= 40毫安

1.0

2.0

4.0

温度（℃）

频率（GHz ）

图4.输出功率为1 dB增益

压缩， NF和功率增益与

安装面温度，

F = 1.0 GHz的，我

= 25 mA的电流。

图5.输出功率为1 dB增益

压缩与频率。

图6.噪声系数与频率的关系。

6-276

35微-X封装尺寸

.085

2.15

地

0.083 DIA 。

2.11

RF输出

和偏置

.020

.508

地

注意事项：

（除非另有规定编）

1.尺寸单位：

2.公差

在.XXX =

0.005

毫米.XX =

0.13

.057

.010

1.45

.25

.100

2.54

.022

.56

.455

.030

11.54

.75

.006

.002

.15

.05

A02

RF输入

6-277

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