砷化镓肖特基二极管
TM
倒装芯片反并联低R
S
MS8250 - P2920
尺寸
尺寸： 26 ×13密耳
厚度： 5密耳
焊垫尺寸： 5× 8密耳
特点
●
●
●
●
电容（ 65 fF的典型值）。
低串联电阻（ 3
TYP 。 ）
截止频率> 500 GHz的
大型黄金焊垫
描述
在MS8250是GaAs倒装芯片反并联对
肖特基器件设计用作次谐波混频器
在微波和毫米波元件
频率。他们的高截止频率确保良好
性能，频率为100GHz 。应用程序
包括：收发器，数字收音机以及汽车
雷达探测器。
这些倒装芯片器件集成了Microsemi的
在砷化镓材料加工的专业知识，氮化硅
保护性涂层和高温金属化。
他们有大， 5× 8密耳，接合焊盘为便于
插入。该MS8250的价格为大批量
商业和工业应用。
规格@ 25°C
（每个路口）
●
●
●
●
●
V
F
（1 mA）的： 650-750毫伏
V
F
（1 mA）的10毫伏最大。
R
S
（10 mA）的： 7
马克斯。
I
R
(3 V): 10
A
马克斯。
C
T
（0V） ：80 fF的最大值。
最大额定值
插入温度
入射功率
正向电流
反向电压
工作温度
储存温度
250℃ 10秒
+20 dBm的@ 25°C
15毫安@ 25°C
3V
-55 ° C至+ 125°C
-65 ° C至+ 150°C
Microsemi的
版权
2008
冯： 2008-12-29
微波产品
75技术驱动，洛厄尔，MA 。 01851 ， 978-442-5600 ，传真： 978-937-3748
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砷化镓肖特基二极管
TM
倒装芯片反并联低R
S
MS8250 - P2920
英寸
分钟。
0.0255
0.0125
0.0046
0.0075
0.0170
0.0050
0.0045
0.0016
0.0023
马克斯。
0.0265
0.0135
0.0056
0.0085
0.0180
0.0060
0.0055
0.0020
0.0027
分钟。
0.6480
0.3180
0.1170
0.1910
0.4320
0.1270
0.1140
0.0406
0.0584
MM
马克斯。
0.6730
0.3430
0.1420
0.2160
0.4570
0.1520
0.1400
0.0508
0.0686
P2613
暗淡
A
B
C
D
C
J
D
B
E
F
G
H
J
A
G
E
F
H
SPICE模型参数（每个路口）
I
S
A
3.2 x10
-13
R
S
3
1
N
TT
美国证券交易委员会
0
C
J0
pF
0.45
C
P
pF
0.02
0.50
M
EG
eV
1.42
V
J
V
0.85
BV
V
4
IBV
A
1 x 10
-5
重要提示：
有关最新资料，请咨询我们的网站：
www.Microsemi.com
规格如有变更。咨询工厂的最新信息
.
这些设备ESD敏感，必须使用防静电措施进行处理。
1
该MS8250是一个提供符合RoHS
投诉金完成
.
Microsemi的
版权
2008
冯： 2008-12-29
微波产品
75技术驱动，洛厄尔，MA 。 01851 ， 978-442-5600 ，传真： 978-937-3748
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