砷化镓肖特基二极管
TM
MS8001 - MS8004
包装和可粘接芯片
特点
●
●
●
●
低噪声性能
高截止频率
钝化，以提高可靠性
封装二极管和可粘接芯片
应用
●
●
●
●
单和平衡混频器和检测器
收发器X，K和Ka波段
30和60 GHz的无线电
汽车雷达探测器
描述
Microsemi的MS8000系列砷化镓肖特基势垒
二极管是在包装形式和粘合的可用
芯片配置。这些肖特基器件具有低
串联电阻和低结电容。该
造成低噪声系数，使这些二极管适用
从敏感的混频器和检测器的应用
下面的X波段超越Ka波段频率。
最大额定值
入射功率
正向电流
反向电压
工作温度
储存温度
100毫瓦@ 25°C
线性降额至0 ，在175 ℃下
15毫安@ 25°C
5V
-55 ° C到+ 175℃
-55 ° C到+ 200℃
订购信息
P00是指定的粘合片肖特基（如
MS8001 - P00 ） 。封装二极管是由指定
封装外形号码（例如MS8001-30 ）
重要提示：
有关最新资料，请咨询我们的网站：
www.Microsemi.com
规格如有变更。咨询工厂的最新信息
.
这些设备ESD敏感，必须使用防静电措施进行处理。
1
该MS8000系列产品
以符合RoHS标准金供应完成
.
版权
2008
冯： 2009-02-17
Microsemi的
微波产品
75技术驱动，洛厄尔，MA 。 01851 ， 978-442-5600 ，传真： 978-937-3748
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砷化镓肖特基二极管
TM
MS8001 - MS8004
包装和可粘接芯片
为MS8004 SPICE模型参数
I
S
(A)
8 x 10
-13
R
S
()
6
N
1.05
TT （秒）
0
C
JO
（PF ）
0.06
m
0.50
E
G
（ EV）的
1.42
V
J
(V)
0.85
B
V
(V)
5.0
IB
V
(A)
1x10
-5
规格@ 25°C
部分
数
MS8001
1
MS8002
1
MS8003
1
典型值。
C
J
@ 0 V
（PF ）
2
0.12
0.10
0.07
0.06
马克斯。
R
S
(
)
3
6
6
6
6
LO
频率
（千兆赫）
9.375
16.000
24.000
36.000
典型值。
噪声系数
（ dB）的
4
5.6
5.6
6.5
6.5
IF
阻抗
()
250–500
250–500
250–500
250–500
分钟。
V
BR
(V)
5
5
5
5
5
MS8004
1
1
2
的型号后缀表示的包装样式。可在M22 ， M38和M39 ，并在芯片P10的形式，如MS8001 - P10 。
C
J
指定在1 MHz 。
3
串联电阻R
S
，通过减去阻挡电阻R计算
D
= KT / QI从测得的总电阻R
T
在10mA ，R
S
= R
T
- R
D
:
以度为单位的k =波尔兹曼常数T =二极管的温度K ，Q =电子电荷，I =正向电流。
4
引用的噪声系数（NF ）为6 dBm的LO功率在一个单端混频器测定的单边带NF和10 dBm的在一个平衡混频器与一个30MHz的中频
放大器1.5分贝NF 。
5
的击穿电压，V
BR
被指定为10微安的反向电流。
器件的可靠性
砷化镓肖特基势垒二极管的可靠性一直是
通过长期的运作和步进应力成立
测试。的高温难熔金属化结构，
TI- PT-金，消除了可能带来的问题
金属化渗透到在半导体
在RF系统中可长期使用。完善的芯片
制造和生产技术，进一步提高
通过减少表面的可能性器件的可靠性
击穿或芯片损坏的安装。
本公司长期经营和步进应力测试表明
对于200 ℃的结温，平均无故障时间将是
比1E6小时以上。
的二极管。大型超载会导致相反的
击穿电压降低到一个较低的值，并且还
降解的正向电压特性
二极管。 ESD是负责为灾难性的和潜
高频肖特基势垒二极管的故障。
静电或静电放电，是在干燥气候更普遍
在冬季，如经验丰富，并可
对一个人的人或由二极管封装产生
材料。因此，需要特别小心的时候采取
处理这些二极管。
双接地腕带连续监测，
台式负离子空气净化器和ESD袋/盒应使用
当处理肖特基势垒二极管。
如果辅助测试设备，如示波器或
数字电压表，是被连接并用于向
监测二极管操作时，它应连接
电之前，如果可能的二极管安装。如果不是，
仪器的接地侧，必须先连接
或二极管可以通过流动的交流电流损坏
在接地回路，并通过二极管。
注意事项处理
肖特基势垒二极管
微波和毫米波肖特基势垒
二极管具有非常小的接合区域，并且
因此，意外的静电非常敏感
放电（ ESD）和过压烧坏。该
过度的第一个或最敏感的指示
电应力或倦怠是增加了
反向漏电流：I
R
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砷化镓肖特基二极管
TM
MS8001 - MS8004
砷化镓肖特基二极管（封装和可粘接芯片）
典型特征
20
噪声系数 - SSB （分贝）
16
14
12
10
8
6
4
2
0
3
4
MS8003
MS8001
器电容（pF）
18
0.070
0.065
0.060
0.055
0.050
0.045
0.040
0.035
0.030
0.025
0.020
0.015
0.010
5
6
7
8
9
10
11 12 13
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
LO功率（dBm ）
反向偏置电压（V）的
噪声系数（dB ） @ 24 GHz的
（平衡混频器）
引用的噪声系数（ NF）是LO测量的单边带NF
6 dBm的为一个单一的，和10 dBm的用于与一个平衡混频器的功率
30 MHz的IF放大器，为1.5 dB的噪声系数。
结电容
100
正向电流（mA ）
10
125°C
1
0.1
25°C
0.01
0.001
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
-55°C
正向电压（ V）
I- V特性
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