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泽尔 - 华智
MS62256H
32K ×8 HIGH SPEED
CMOS静态RAM
MS62256H
先进
信息
特点
s
高速 - 15/20/25/35 NS
s
低功耗:
MS62256HL
1.1W (最大)工作
为1mW (最大)掉电
s
全静态操作
s
所有输入和输出直接TTL兼容
s
三态输出
s
超低的数据保持电源电流
V
CC
= 2V
描述
该MS62256H是262,144位静态随机
存取存储器组织为32,768字×8
位,采用单5伏电源。这是
建有泽尔 - 华智的高性能双
浴盆的CMOS工艺。输入和三态输出
是TTL电平兼容,并允许直接连接
常见的系统总线结构。该
MS62256H在以下标准可
28引脚封装:
600 MIL塑料DIP
300 MIL塑料DIP
300 MIL小外形J-本德( SOJ )
销刀豆网络gurations
功能框图
泽尔 - 华智
引脚说明
A
0
- A
14
地址输入
这15个地址输入选择32768一
8位字中的RAM中。
芯片使能输入
E为低电平有效。该芯片使能必须处于活动状态
从读取或写入到该设备。如果它是不活动的,
取消选择器件并处于待机功率
模式。 DQ管脚将处于高阻
取消选择时的状态。
G
输出使能输入
输出使能输入为低电平有效。如果
而芯片选择输出使能有效
和写使能无效时,数据将是本
上的DQ管脚,它们将被激活。在DQ
销将处于高阻抗状态时, G是
无效。
E
MS62256H
写使能输入
写使能输入为低电平有效控制
读取和写入操作。与芯片使能,
当W为高电平,且G为低电平时,输出数据将是
目前在DQ引脚;当W为低时,数据
本上的DQ管脚将被写入到
选择的存储位置。
DQ
0
- DQ
7
数据输入/输出端口
这些8个双向端口用于读取数据
从或将数据写入到RAM中。
V
CC
V
SS
电源
W
真值表
模式
待机
产量
E
H
L
L
L
G
X
L
H
X
W
X
H
H
L
I / O操作
高Z
D
OUT
高Z
D
IN
工作范围
范围
广告
环境
温度
0 ° C至+ 70°C
V
cc
5V ± 10%
绝对最大额定值
(1)
符号
V
CC
V
IN
V
DQ
T
BIAS
T
英镑
P
D
I
OUT
1.
参数
电源电压
输入电压
输入/输出电压的应用
高温下
BIAS
存储
温度
功耗
直流输出电流
1.2
50
W
mA
塑料
塑料
等级
-0.3 7
-0.3 7
-0.3 6
-10到+125
-40到+150
°C
°C
V
单位
应力大于绝对下所列
最大额定值可能会造成永久性损坏
该设备。这是一个额定值只和功能
该器件在这些或任何其他条件操作
以上这些在这个业务部门所标明
特定网络阳离子是不是暗示。暴露在绝对
最大额定值条件下工作会
影响可靠性和降低性能特点。
泽尔 - 华智
直流电气特性(在商业经营范围)
参数
名字
V
IL
V
IH
I
IL
I
OL
V
OL
V
OH
I
CC
I
CCSB
I
CCSB1
1.
2.
3.
4.
5.
参数
保证输入低电压
输入漏电流
输出漏电流
输出低电压
输出高电压
工作电源电流
待机电源电流
掉电电源
当前
(2,3)
MS62256H
MS62256H
测试条件
分钟。
–0.3
2.2
V
CC
=最大,V
IN
= 0V至V
CC
V
CC
=最大值,E = V
IH
或G = V
IH
, V
IN
= 0V T O服务V
CC
V
CC
=最小,我
OL
= 8毫安
V
CC
=最小,我
OH
= -4.0mA
V
CC
=最大值,E = V
IL
, I
DQ
= 0毫安, F =
V
CC
=最大值,E = V
IH
, I
DQ
= 0毫安
V
CC
=最大,E
V
V
IN
V
CC
CC
典型值。
(1)
马克斯。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.8
6.0
2
2
0.4
-
200
40
2
130
(5)
单位
V
V
A
A
V
V
mA
mA
mA
A
保证输入高电压
(2)
–2
–2
-
2.4
F
米AX ( 4 )
-
-
-
-
– 0.2V
- 0.2V或V
IN
0.2V
典型的特征是在V
CC
= 5V ,T
A
= 25°C.
这些是相对于设备接地的绝对值,并且由于系统或测试器噪声,包括所有的过冲。
V
IL
(分钟) = -3.0V脉冲宽度
20ns
F
最大
= 1/t
RC 。
只有L型。
电容
(1)
T
A
= 25 ° C,F = 1.0MHz的
符号
C
IN
C
I / O
参数
输入电容
输入/输出
电容
条件
V
IN
= 0V
V
I / O
= 0V
马克斯。
8
10
单位
pF
pF
1.此参数是保证,而不是测试。
数据保持特性(在商业经营范围)
符号
V
DR
I
CCDR
t
CDR
t
R
1.
2.
3.
参数
V
CC
数据保留
数据保持电流
芯片取消到数据保留
时间
手术恢复时间
E
V
E
V
CC
CC
测试条件
0.2V, V
IN
V
0.2V, V
IN
V
CC
分钟。
2.0
(
-
0
典型值。
(1)
-
2
-
-
(2)
最大
单位
V
A
ns
ns
0.2V或V
IN
0.2V
0.2V或V
IN
0.2V
-
50
4)
-
-
CC
-–
见保留波形
t
RC(3)
V
CC
= 2V ,T
A
= +25°C
V
CC
= 3V
t
RC
=读周期时间
时序波形低V
CC
数据保存波形
泽尔 - 华智
AC测试条件
输入脉冲电平
输入上升和下降时间
时序参考电平
0V至3.0V
3ns
1.5V
MS62256H
关键开关波形
交流测试负载和波形
AC电气特性(在商业经营范围)
读周期
JEDEC
参数参数
名字
名字
t
AVAX
t
AVQV
t
ELQV
t
GLQX
t
EHQZ
t
GLQX
t
EHQZ
t
GHQZ
t
AXQX
t
RC
t
AA
t
ACS
t
OE
t
CLZ
t
OLZ
t
CHZ
t
OHZ
t
OH
MS62256H - 15 MS62256H - 20 MS62256H - 25 MS62256H -35
参数
读周期时间
地址访问时间
芯片使能存取时间
输出使能到输出有效
芯片使能到输出低Z
输出使能到输出中低Z
芯片禁用高Z输出
输出禁止到输出中高Z
从地址变更输出保持
分钟。
15
-
-
-
5
0
-
-
3
MAX 。 MIN 。
-
15
15
8
-
-
8
8
-
20
-
-
-
5
0
-
-
5
MAX 。 MIN 。
-
20
20
10
-
-
8
8
-
25
-
-
-
5
0
-
-
5
MAX 。 MIN 。
-
25
25
12
-
-
10
10
-
35
-
-
-
5
0
-
-
5
马克斯。
-
35
35
15
-
-
15
15
-
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
泽尔 - 华智
开关波形(读周期)
读周期1
(1)
MS62256H
读周期2
(1, 2, 4)
读周期3
(1, 3, 4)
注意事项:
1, W为高读周期。
2.设备不断选择E = V
IL
.
3.地址有效之前或重合为E的过渡低。
4, G = V
IL
.
5.转变是从稳定状态下测得的± 500mV的
L
= 5pF的,如图1b所示。此参数是保证,而不是
100 %测试。
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    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

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    -
    -
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电话:13910052844(微信同步)
联系人:刘先生
地址:北京市海淀区增光路27号2-1-1102
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