140 COMMERCE DRIVE
蒙哥马利， PA
18936-1013
电话：（ 215 ） 631-9840
传真： （ 215 ） 631-9855
MS2176
射频和微波晶体管
超高频脉冲应用
特点
350瓦@ 10微秒脉冲宽度， 10 ％占空比
周期
300瓦@ 250μSEC脉冲宽度的10 ％占空比
周期
9.5分贝最小。收益
耐火材料镀金
发射极平衡和低的热
电阻的可靠性和耐用性
无限VSWR能力的在指定
工作条件
描述：
该MS2176是金金属硅NPN脉冲功率晶体管
设计用于要求高的峰值功率和低负载应用
500兆赫 - 400的频率范围内循环。
绝对最大额定值（温度上限= 25 ° C）
符号
参数
价值
单位
V
CBO
V
CES
V
EBO
I
C
P
DISS
T
J
T
英镑
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
器件的电流
功耗
结温
储存温度
65
65
3.5
21.6
875
+200
-65到+150
V
V
V
A
W
°
C
°
C
热数据
R
日（J -C ）
结 - 壳热阻
0.2
°
C / W
先进的电源技术保留更改的权利，恕不另行通知，此处包含的规格和信息
请访问我们的网站：
www.advancedpower.com
或者联系我们的厂家直销。
MS2176
电气特性（温度上限= 25
°
C)
STATIC
符号
测试条件
分钟。
价值
典型值。
马克斯。
单位
BV
CBO
BV
CES
BV
首席执行官
BV
EBO
I
CES
h
FE
I
C
= 50毫安
I
C
= 50毫安
I
C
= 50毫安
I
E
= 10毫安
V
CE
=30 V
V
CE
= 5 V
I
E
= 0毫安
V
BE
= 0 V
I
B
= 0毫安
I
C
= 0毫安
I
E
= 0毫安
I
C
= 5 A
65
65
28
3.5
10
7.5
100
V
V
V
V
mA
动态
符号
测试条件
分钟。
价值
典型值。
马克斯。
单位
P
OUT
G
P
C
F = 425 MHz的
F = 425 MHz的
F = 425 MHz的
P
IN
= 33.5 W
P
IN
= 300 W
P
IN
= 25 W
V
CE
= 40 V
V
CE
= 40 V
V
CE
= 40 V
300
9.5
55
W
dB
%
注：脉冲宽度= 250μSec ，占空比= 10 ％
先进的电源技术保留更改的权利，恕不另行通知，此处包含的规格和信息
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MS2176
典型性能
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MS2176
典型表现（续）
续）
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MS2176
典型表现（续）
续）
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MS2176
RF &微波晶体管
射频产品
区划
P
RODUCT
P
导读
描述
主要特点
W W W .
Microsemi的
.COM
该MS2176是金金属硅NPN脉冲电源
晶体管。该MS2176是专为要求高的应用
400的频率范围内的峰值功率和低占空比 -
500兆赫。
重要提示：
有关最新资料，请咨询
Microsemi的
网址：
http://www.microsemi.com
绝对最大额定值（T
例
= 25
°
C)
符号
V
CBO
V
CES
V
EBO
I
C
P
DISS
T
J
T
英镑
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
器件的电流
功耗
结温
储存温度
价值
65
65
3.5
21.6
875
+200
-65到+150
单位
V
V
V
A
W
°C
°C
350瓦@ 10微秒
脉冲宽度， 10％的
占空比
300瓦@
250μSec脉冲宽度
10 ％占空比
9.5分贝最小。收益
难处理金
金属化
发射器压载和
低热
阻力
可靠性和
耐用性
无限VSWR
在功能
指定操作
条件
应用/优势
应用/优势
热数据
R
日（J -C ）
结 - 壳热阻
0.2
° C / W
超高频脉冲
应用
引脚连接
1
2
3
1.集热器
2.基
4
3.辐射源
4.基地
.400 X .400 2LFL （ M106 ）
密封式
MS2176
MS2176
版权
2000
MSC1651.PDF 2001年1月4日
Microsemi的
射频产品事业部
140商业驱动，蒙哥马利PA 18936 ， （ 215 ） 631-9840 ，传真： （ 215 ） 631-9855
第1页
MS2176
RF &微波晶体管
射频产品
区划
P
RODUCT
P
导读
W W W .
Microsemi的
.COM
静态电气特性（T
例
= 25°C)
°
符号
BV
CBO
BV
CES
BV
首席执行官
BV
EBO
I
CES
h
FE
I
C
=
50毫安
I
C
=
50毫安
I
C
=
50毫安
I
E
=
10毫安
V
CB
=
30 V
V
CE
=
5 V
测试条件
I
E
=
0毫安
V
BE
=
0 V
I
B
=
0毫安
I
C
=
0毫安
I
E
=
0毫安
I
C
=
5 A
分钟。
65
65
28
3.5
10
MS2176
典型值。
马克斯。
单位
V
V
V
V
mA
7.5
100
DYMANIC电气特性（T
例
= 25°C)
°
符号
P
OUT
G
P
η
C
f
=
425兆赫
f
=
425兆赫
f
=
425兆赫
测试条件
P
IN
=
33.5 W
P
IN
=
300 W
P
IN
=
25 W
V
CE
=
40 V
V
CE
=
40 V
V
CE
=
40 V
分钟。
300
9.5
55
MS2176
典型值。
马克斯。
单位
W
dB
%
注：脉冲宽度= 250μSec ，占空比= 10 ％
E
LECTRICALS
E
LECTRICALS
版权
2000
MSC1651.PDF 2001年1月4日
Microsemi的
射频产品事业部
140商业驱动，蒙哥马利PA 18936 ， （ 215 ） 631-9840 ，传真： （ 215 ） 631-9855
第2页
MS2176
RF &微波晶体管
射频产品
区划
P
RODUCT
P
导读
W W W .
Microsemi的
.COM
包装DATTA
包装DATTA
版权
2000
MSC1651.PDF 2001年1月4日
Microsemi的
射频产品事业部
140商业驱动，蒙哥马利PA 18936 ， （ 215 ） 631-9840 ，传真： （ 215 ） 631-9855
第3页
MS2176
RF &微波晶体管
射频产品
区划
P
RODUCT
P
导读
W W W .
Microsemi的
.COM
笔记
笔记
版权
2000
MSC1651.PDF 2001年1月4日
Microsemi的
射频产品事业部
140商业驱动，蒙哥马利PA 18936 ， （ 215 ） 631-9840 ，传真： （ 215 ） 631-9855
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