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MS175H
NPN硅高频三极管
描述：
该
MS175H
被设计用于高
高频低噪声放大器和
振荡器的应用。
封装形式TO- 72
最大额定值
I
C
V
CE
P
DISS
T
J
T
英镑
百毫安
（峰值）
15 V
300毫瓦@ T
C
= 25 C
O
200毫瓦@ T
A
= 25 C
-65℃至+ 200C
-65℃至+ 200C
O
O
O
O
O
1 - 发射极
3 - 集电极
2 - 基
4 = CASE
特征
符号
BV
首席执行官
BV
CBO
I
CBO
BV
EBO
h
FE
V
CE （ SAT ）
V
BE （ SAT ）
f
t
C
ob
C
ib
NF
G
pe
P
o
η
T
C
= 25 C
O
无
测试条件
I
C
= 5.0毫安
I
C
= 10
A
V
CB
= 20 V
T
A
= 150 C
I
E
= 1.0
A
V
CE
= 1.0 V
I
C
= 20毫安
I
C
= 20毫安
V
CE
= 10 V
V
CB
= 0 V
V
CB
= 10 V
V
EB
= 0.5 V
V
CE
= 6.0 V
V
CB
= 10 V
I
C
= 1.5毫安
I
E
= 12毫安
I
C
= 5.0毫安
I
B
= 2.0毫安
I
B
= 2.0毫安
I
C
= 5.0毫安
F = 100 MHz的
F = 1.0 MHz的
F = 1.0 MHz的
F = 1.0 MHz的
F = 200 MHz的
F = 500 MHz的
O
最小典型最大
15
30
0.01
1.0
2.0
40
150
0.8
1.0
1500
3.0
1.0
3.0
3.5
15
30
25
4.5
单位
V
V
A
V
---
V
V
兆赫
pF
pF
dB
mW
%
A D V A N c个E D性S E M I C 0 N D ü （C T） R， I N C。
7525 ETHEL AVENUE
北好莱坞， CA 91605
(818) 982-1200
传真（ 818 ） 765-3004
特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
REV 。一
1/1
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MS120
供货商
型号
厂家
批号
数量
封装
单价/备注
操作
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    电话：0755-82780082
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    MS175H
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

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深圳市创芯联盈电子有限公司
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2443+
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