MS1078
射频产品
区划
RF &微波晶体管
P
RODUCT
P
导读
描述
主要特点
W W W .
Microsemi的
.COM
该MS1078是AB类外延硅NPN平面晶体管
主要用于SSB和通信而设计的。该器件采用
发射极平衡,以实现在恶劣的极端耐用性
操作条件。
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Microsemi的
网址:
http://www.microsemi.com
优化SSB
! "
30
! "
兆赫
28
! "
伏
IMD -30dB
! "
共发射极
! "
镀金
! "
P
! "
OUT
= 130 W PEP
G
! "
P
= 12 dB增益
应用/优势
应用/优势
HF
! "
SSB的应用
绝对最大额定值(T
例
= 25°
C)
°
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
DISS
T
J
T
英镑
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
器件的电流
功耗
结温
储存温度
价值
70
35
4.0
12
175
+200
-65到+150
单位
V
V
V
A
W
°C
°C
热数据
R
日(J -C )
结 - 壳热阻
1.0
° C / W
MS1078
MS1078
版权
2000
MSC1611.PDF 2000年11月6日
Microsemi的
射频产品事业部
140商业驱动,蒙哥马利PA 18936 , ( 215 ) 631-9840 ,传真: ( 215 ) 631-9855
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MS1078
射频产品
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RF &微波晶体管
P
RODUCT
P
导读
W W W .
Microsemi的
.COM
静态电气特性( TCASE = 25°C
符号
BV
CES
BV
首席执行官
BV
EBO
I
CES
h
FE
I
C
=
50毫安
I
C
=
百毫安
I
E
=
20毫安
V
CE
=
35 V
V
CE
=
5 V
测试条件
V
BE
=
0 V
I
B
=
0毫安
I
C
=
0毫安
I
E
=
0毫安
I
C
=
7 A
分钟。
110
55
4.0
18
MS1078
典型值。
马克斯。
单位
V
V
V
mA
20
50
DYMANIC电气特性( TCASE = 25°C
符号
测试条件
V
CE
=
28 V
V
CE
=
28 V
V
CE
=
28 V
V
CE
=
28 V
V
CB
=
28 V
I
CQ
=
150毫安
I
CQ
=
150毫安
I
CQ
=
150毫安
I
CQ
=
150毫安
f
=
30兆赫
P
OUT
P
OUT
=
130 W PEP
G
P
IMD
*
P
OUT
=
130 W PEP
P
OUT
=
130 W PEP
η
C
f
=
1兆赫
C
OB
注意:
*
f
1
= 30.00 MHz时,
f
2
= 30.01 MHz的
分钟。
130
12
37
MS1078
典型值。
马克斯。
单位
W
dB
dBc的
%
pF
-30
250
E
LECTRICALS
E
LECTRICALS
版权
2000
MSC1611.PDF 2000年11月6日
Microsemi的
射频产品事业部
140商业驱动,蒙哥马利PA 18936 , ( 215 ) 631-9840 ,传真: ( 215 ) 631-9855
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W W W .
Microsemi的
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包装DATTA
包装DATTA
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Microsemi的
射频产品事业部
140商业驱动,蒙哥马利PA 18936 , ( 215 ) 631-9840 ,传真: ( 215 ) 631-9855
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RF &微波晶体管
P
RODUCT
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导读
W W W .
Microsemi的
.COM
笔记
笔记
版权
2000
MSC1611.PDF 2000年11月6日
Microsemi的
射频产品事业部
140商业驱动,蒙哥马利PA 18936 , ( 215 ) 631-9840 ,传真: ( 215 ) 631-9855
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