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MS1001
RF &微波晶体管
短波单边带应用
特点
30兆赫
12.5伏
IMD = -32 dBc的
无限VSWR能力的@额定条件
P
OUT
= 75瓦
G
P
= 13分贝最低
共发射极配置
描述：
该MS1001是12.5V C级硅NPN晶体管
主要用于高频通信而设计的。扩散的
发射极电阻为无穷大VSWR能力
在额定工作条件。
绝对最大额定值
（温度上限= 25 ° C）
°
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
D
Tj
T
英镑
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
器件的电流
总功耗
结温
储存温度
价值
36
18
4.0
20
270
200
-65到+150
单位
V
V
V
A
W
C
C
热数据
R
日（J -C ）
热阻结案件
0.65
°
C / W
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MS1001
STATIC
电气特性（温度上限= 25 ° C）
25
°
符号
BV
CBO
BV
CES
BV
首席执行官
BV
EBO
I
CES
h
FE
I
C
= 50毫安
I
C
= 100毫安
I
C
= 100毫安
I
E
= 10毫安
V
CE
= 15 V
V
CE
= 5 V
测试条件
I
E
= 0毫安
V
BE
= 0 V
I
B
= 0毫安
I
C
= 0毫安
I
E
= 0毫安
I
C
= 5 A
分钟。
36
36
18
4.0
---
20
价值
典型值。
---
---
---
---
---
---
马克斯。
---
---
---
---
15
200
单位
V
V
V
V
mA
---
动态
符号
P
OUT
F = 30MHz的
F = 30MHz的
F = 30MHz的
F = 1 MHz的
F1 = 30.000兆赫
测试条件
P
IN
= 3.8 W
P
IN
= 3.8 W
V
CC
=12.5V
V
CB
=12V
F2 = 30.001兆赫
V
CE
=12.5V
V
CE
=12.5V
I
CQ
= 100毫安
分钟。
75
13
-32
---
价值
典型值。
---
---
---
350
马克斯。
---
---
---
---
单位
WPEP
dB
dB
C
pf
G
P
IMD *
C
OB
条件
s
阻抗数据
频率
30兆赫
P
IN
= 3.8W
V
CC
=12.5V
Z
IN
(
)
0.7 + j0.75
Z
CL
(
)
1.2 + j1.0
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包装机械数据
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