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AnaSem
安纳森
模拟半导体
IC
MRY1518B系列
1.3msec高速检测, 150万吨高灵敏度
CMOS MR磁感应开关
(注意:请检查是否有真正的产品贴标的最后一页)
牧师E13-01
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..........模拟世界的未来
牧师E13-01
产品数据表
AnaSem
模拟半导体IC
1.3msec高速检测, 150万吨高灵敏度CMOS MR磁阻感应开关
MRY1518B系列
一般说明
MRY1518B系列单片IC,内置有MR磁阻
元素和CMOS开关。它成为具有低的非接触型开关
电流消耗,高灵敏度和可靠性被合并
与磁铁。
一种磁场平行于封装的电极水平可以
由任意的极性来检测。 ( N极
S极)
卤素
RoHS指令
合规
特点
CMOS + MR整体结构
低电流消耗···············································································
21μA (V
IN
= 1.8V ,TA = 25 ° C)
高灵敏度···············································································
典型值。 1.5MT
工作温度范围··························································
-40 ~ +85°C
工作电压范围································································
1.6V ~ 6.0V
检测脉冲驱动周期································································宽度
典型值。 1.3msec与10微秒
磁性方向·································································································
这两个方向/ CMOS反相器的一个输出
检测磁场··························································································
包装的侧面标明的水平方向
(电极平行的两个方向)
小型封装································································
SOT- 23 ( 2.9 × 2.8 × 1.1毫米)
应用
检测开启和关闭:移动电话,笔记本电脑,微波炉,洗衣机,
电饭煲,冰箱,电子词典,数码相机等。
检测位置:汽缸,防盗窗,数码门锁等。
检测水位:水净化器,加湿器,坐浴盆等。
旋转的检测:水表,煤气表,电表,速度计等。
电源开关:无绳电话,电动牙刷等。
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1
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1.3msec高速检测, 150万吨高灵敏度CMOS MR磁阻感应开关
牧师E13-01
MRY1518B系列
产品NUMBERING指南
MRY1518B
设计版本
包装形式
检测脉冲周期
工作电压
检测灵敏度
答: CMOS输出
T: SOT - 23 ( 2.9 × 2.8 × 1.1毫米)
B:典型值。 1.3msec有10微秒的宽度
18 : 1.6V ~ 6.0V
15 :典型值。 1.5MT
引脚配置/标记规格
引脚配置
1
符号
V
IN
V
OUT
V
SS
说明
电压输入
产量
电源地
VSS
3
A B C
D D D D D
2
3
1
VIN
2
VOUT
标识特定网络阳离子
CODE
A
BC
D
标志
M
BA
内部规则
目录
系列名称
产品规格&版本
批号
( TOP VIEW )
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1.3msec高速检测, 150万吨高灵敏度CMOS MR磁阻感应开关
牧师E13-01
MRY1518B系列
框图
开关
磁场的方向
NC
采样电路
R1
R2
闩锁电路
R3
V
SS
R4
T1
V
OUT
CMOS驱动电路
V
IN
绝对最大额定值
工作温度
储存温度
电源电压
大会温度。条件
符号
T
OPR
T
英镑
V
最大
T
ASY
分钟。
-40
-50
V
IN
-0.3
-
典型值。
-
-
-
255
马克斯。
+85
+125
V
IN
+6.0
260
T =最大值: 5秒/最高温度
条件
单位
°C
°C
V
°C
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1.3msec高速检测, 150万吨高灵敏度CMOS MR磁阻感应开关
牧师E13-01
MRY1518B系列
电气特性
(除非另有规定,V
DD
= 1.8V ,TA = 25 ° C)
工作电压
消耗电流
检测脉冲驱动周期
的“H ”电平输出电压
为“L ”电平输出电压
符号
V
IN
I
AVG
ts
V
OH
V
OL
分钟。
1.6
-
-
0.9V
IN
-
典型值。
1.8
21
1.3
-
-
马克斯。
6.0
35
2.5
-
0.1V
IN
条件
单位
V
A
脉冲宽度: 1/128
I
OUT
=+0.5mA
I
OUT
=-0.5mA
毫秒
V
V
磁特性
(除非另有规定,V
DD
= 1.8V ,TA = 25 ° C)
磁通密度的工作点(H → L)的
符号
M
OPS
M
OPN
M
RPS
M
RPN
M
HYS
分钟。
1.0
*
典型值。
1.5
-1.5
1.2
马克斯。
2.2
-1.0
1.9
*
*
单位
mT
-2.2
0.8
-1.9
0.1
*
*
磁通密度的释放点( L→H )
宽滞后
-1.2
0.3
-0.8
0.8
*
mT
mT
注:带[ * ]标志的设计保证值,而不是在生产测试。
磁电转换特性
V
OUT
V
OH
N极
V
OL
M
HYS
M
RPN
M
OPN
0
S极
M
HYS
磁通量密度
M
RPS
M
OPS
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    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

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