飞思卡尔半导体公司
技术参数
MRFG35010
牧师6 ， 2004年12月
砷化镓PHEMT
射频功率场效应晶体管
专为WLL / MMDS或UMTS的驱动程序与应用程序的频率
1.8到3.6 GHz的。设备是无法比拟的，是适用于Class AB或使用
一类线性基站应用。
典型的W- CDMA的性能：
42
dBc的ACPR ， 3.55千兆赫， 12伏，
I
DQ
= 180毫安， 5 MHz偏移/ 3.84 MHz带宽， 64 DPCH （ 8.5分贝P / A
@ 0.01％的概率）
输出功率 - 1瓦
功率增益 - 10分贝
效率 - 30 ％
10瓦特的P1dB @ 3.55 GHz的
出色的相位线性度和群时延特性
高增益，高效率和高线性度
MRFG35010
3.5千兆赫， 10 W， 12 V
功率场效应管
砷化镓PHEMT
CASE 360D -02 ，风格1
NI360HF
表1.最大额定值
等级
漏源电压
器件总功耗@ T
C
= 25°C
减免上述25℃
栅源电压
RF输入功率
存储温度范围
通道温度
(1)
工作温度范围
符号
V
DSS
P
D
V
GS
P
in
T
英镑
T
ch
T
C
价值
15
28.3
0.19
5
33
65
到+175
175
20
到+90
单位
VDC
W
W / ℃，
VDC
DBM
°C
°C
°C
表2.热特性
特征
热阻，结到外壳
A级
CLASS AB
符号
R
θJC
价值
5.3
4.8
单位
° C / W
1.对于运行可靠，操作通道温度不应超过150 ℃。
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51
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无线射频产品设备数据
表3.电气特性
(T
C
= 25 ° C除非另有说明）
特征
饱和漏极电流
(V
DS
= 3.5伏，V
GS
= 0伏）
关闭状态漏泄电流
(V
GS
=
0.4
VDC ，V
DS
= 0伏）
关机状态下漏电流
(V
DS
= 12伏直流，V
GS
=
1.9
VDC ）
关态电流
(V
DS
= 28.5伏，V
GS
=
2.5
VDC ）
门源截止电压
(V
DS
= 3.5伏，我
DS
= 15 mA）的
静态栅极电压
(V
DS
= 12 VDC，我
D
= 180 mA）的
功率增益
(V
DD
= 12 VDC，我
DQ
= 180 mA时， F = 3.55千兆赫）
输出功率， 1 dB压缩点
(V
DD
= 12 VDC，我
DQ
= 180 mA时， F = 3.55千兆赫）
漏EF网络效率
(V
DD
= 12 VDC，我
DQ
= 180毫安， P
OUT
=为1.0W平均，
F = 3.55千兆赫）
相邻通道功率比
(V
DD
= 12 VDC， P
OUT
=为1.0W平均，我
DQ
= 180毫安，
F = 3.55千兆赫， W- CDMA ， 8.5 P / A @ 0.01 ％的概率，
64 CH ， 3.84 MCPS ）
符号
I
DSS
I
GSS
I
DSO
I
DSX
V
GS （ TH）
V
GS （ Q）
G
ps
P1dB
h
D
民
—
—
—
—
1.2
1.0
9.0
—
23
典型值
2.9
＆ LT ; 1.0
0.09
5.0
0.8
0.8
10
10
30
最大
—
100
1.0
15
0.7
0.5
—
—
—
单位
ADC
μAdc
MADC
MADC
VDC
VDC
dB
W
%
ACPR
—
42
40
dBc的
MRFG35010
2
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无线射频产品设备数据
V
DD
R7
C12
R2
1
8
Q1
R1
C14
C13
C15
R9
C9
R5
C10
R4
R6
C7
C8
C6
C5
C4
C3
C2
C17
C16
C18
C19
C20
D1
NC
R3
C11
2
3
4
U1
7
6
5
R8
Z9
RF
输入
Z8
Z1
C1
Z2
Z3
Z4
Z5
Z6
Z7
Z10
Z11
Z12
Z13
Z14
Z15
Z16
C21
Z17
RF
产量
C1, C21
C2, C20
C3, C19
C4, C18
C5, C10, C16, C17
C6, C11, C12, C15
C7, C14
C8, C13
C9
D1
R1
R2
R3
R4
R5
R6
R7
R8, R9
6.8 pF的贴片电容， ATC
10 pF的贴片电容， ATC
100 pF的贴片电容， ATC
100 pF的贴片电容， ATC
1000 pF的贴片电容， ATC
0.1
F
贴片电容， ATC
39K贴片电容， ATC
22
F
片式钽电容器
6.8
F
片式钽电容器
5.1 V稳压二极管， MA8051CT -ND
22.1 kΩ的1/4 W 1 ％ ，贴片电阻
5K微调电位计， ＃ 3224W - 1-502E
12 kΩ的1/4 W 1 ％ ，贴片电阻
100 kΩ的1/4 W 1 ％ ，贴片电阻
39 kΩ的1/4 W 1 ％ ，贴片电阻
10
,
1/4 W 1 ％ ，贴片电阻
2.2 kΩ的1/4 W 1 ％ ，贴片电阻
50
,
1/4 W 1 ％ ，贴片电阻
U1
Q1
PCB
Z1
Z2
Z3
Z4
Z5
Z6
Z7
Z8, Z11
Z9, Z10
Z12
Z13
Z14
Z15
Z16
Z17
电压转换器， LTC 1261
开关， MTP23P06V
罗杰斯RO4350 ， 0.020 “ ，
ε
r
= 3.50
0.044 “× 0.250”微带
0.044 “× 0.030 ”微带
0.615 “× 0.050 ”微带
0.044 “× 0.070 ”微带
0.270 “× 0.490 ”微带
0.044 “× 0.470 ”微带
0.434 “× 0.110 ”微带
0.015 “× 0.527 ”微带
0.290 “ ×90 °微带径向存根
0.184 “× 0.390 ”微带
0.040 “× 0.580 ”微带
0.109 “× 0.099 ”微带
0.030 “× 0.225 ”微带
0.080 “× 0.240 ”微带
0.044 “× 0.143 ”微带
图1： 3.4
3.6 GHz的单电源偏置测序的测试电路原理图
MRFG35010
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3
V
DD
= 12 V
C11
R1
R2
C8
R6
R3
R4
C10
R5
C9
C4
C3
C17
U1
C12 D1
R7
G
D
S
Q1
R9
C13
C16 C15 C14
C19
C18
GND
C7
C6
C5
C20
C2
R8
输入
C1
切出区
产量
C21
MRFG35010
Rev-06
飞思卡尔已经开始标记印刷电路板（PCB ）的过渡与飞思卡尔半导体
签名/标志。多氯联苯可能有过渡期间无论是摩托罗拉，飞思卡尔标记。这些变化将产生
在外形，装配或现有产品的功能没有任何影响。
图2. 3.4
3.6 GHz的测试电路元件布局
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4
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典型特征
13.5
13
PS ，功率增益（分贝）
12.5
12
11.5
11
η
D
G
ps
V
DS
= 12 VDC，我
DQ
= 180毫安
F = 3.55千兆赫， 8.5分贝P / A 3GPP W- CDMA
Γ
S
= 0.857é-144.24_,
Γ
L
= 0.798é-164.30_
80
70
η
D，漏极效率（ ％ ）
η
D，漏极效率（ ％ ）
IRL ，输入回波损耗（分贝）
60
50
40
30
20
10
0.1
1
P
OUT
，输出功率（瓦）
10
0
10.5
10
9.5
图3.功率增益和漏极效率
与输出功率
0
-10
-20
ACPR （ DBC）
-30
-40
-50
-60
-70
0.1
V
DS
= 12 VDC，我
DQ
= 180毫安
F = 3.55千兆赫， 8.5分贝P / A 3GPP W- CDMA
Γ
S
= 0.857é-144.24_,
Γ
L
= 0.798é-164.30_
1
P
OUT
，输出功率（瓦）
ACPR
IRL
0
-10
-20
-30
-40
-50
-60
-70
10
图4. W- CDMA ACPR和输入回波损耗
与输出功率
36
34
噘嘴，输出功率（dBm ）
32
30
28
26
24
22
20
5
10
15
P
in
输入功率（dBm ）
20
25
0
P
OUT
η
D
15
30
V
DS
= 12 VDC，我
DQ
= 180毫安
F = 3.55千兆赫， 8.5分贝P / A 3GPP W- CDMA
Γ
S
= 0.857é-144.24_,
Γ
L
= 0.798é-164.30_
60
45
图5. W- CDMA输出功率和漏
效率与输入功率
注意：
所有数据被引用来包装引线接口。
Γ
S
和
Γ
L
是呈现给DUT的阻抗。
所有数据是从负载牵引产生，而不是从所示的测试电路。
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5
QQ：2880707522 复制
