飞思卡尔半导体公司
技术参数
文档编号： MRFG35005MT1
第2版， 5/2005
砷化镓PHEMT
射频功率场效应晶体管
专为WLL / MMDS / BWA或UMTS的驱动程序与应用程序的频率
从1.8到3.6 GHz的。设备是无法比拟的，适合于AB类使用
线性基站应用。
典型W - CDMA性能： - 42 dBc的ACPR ， 3.55千兆赫， 12伏，
I
DQ
= 80 mA时， 5 MHz偏移/ 3.84 MHz带宽， 64 DPCH （ 8.5分贝P / A
@ 0.01％的概率）
输出功率 - 450 mWatt
功率增益 - 11分贝
效率 - 25 ％
4.5瓦特的P1dB @ 3.55 GHz的
出色的相位线性度和群时延特性
高增益，高效率和高线性度
后缀表示铅 - 免费端接
在磁带和卷轴。 T1后缀= 1000单位每12mm时， 7英寸卷轴。
MRFG35005NT1
MRFG35005MT1
3.5千兆赫， 4.5 W， 12 V
功率场效应管
砷化镓PHEMT
CASE 466 - 03 ，风格1
PLD - 1.5
塑料
表1.最大额定值
等级
漏 - 源极电压
器件总功耗@ T
C
= 25°C
减免上述25℃
栅 - 源电压
RF输入功率
存储温度范围
通道温度
(1)
工作温度范围
符号
V
DSS
P
D
V
GS
P
in
T
英镑
T
ch
T
C
价值
15
10.5
(2)
0.07
(2)
-5
30
- 65 + 150
175
- 20 + 85
单位
VDC
W
W / ℃，
VDC
DBM
°C
°C
°C
表2.热特性
特征
热阻，结到外壳
CLASS AB
符号
R
θJC
价值
14.2
(2)
单位
° C / W
表3.湿度敏感度等级
测试方法
每JESD 22 - A113 ， IPC / JEDEC J - STD - 020
等级
1
封装峰值温度
260
单位
°C
1.对于运行可靠，操作通道温度不应超过150 ℃。
2.模拟。
飞思卡尔半导体公司， 2005年。保留所有权利。
MRFG35005NT1 MRFG35005MT1
1
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
表4.电气特性
(T
C
= 25 ° C除非另有说明）
特征
饱和漏极电流
(V
DS
= 3.5伏，V
GS
= 0伏）
关闭状态漏泄电流
(V
GS
= - 0.4伏，V
DS
= 0伏）
关机状态下漏电流
(V
DS
= 12伏直流，V
GS
= - 2.5伏）
关态电流
(V
DS
= 28.5伏，V
GS
= - 2.5伏）
栅 - 源切 - 断电压
(V
DS
= 3.5伏，我
DS
= 8.7毫安）
静态栅极电压
(V
DS
= 12 VDC，我
D
= 105 mA）的
功率增益
(V
DD
= 12 VDC，我
DQ
= 80 mA时， F = 3.55千兆赫）
输出功率， 1 dB压缩点
(V
DD
= 12 VDC，我
DQ
= 80 mA时， F = 3.55千兆赫）
漏EF网络效率
(V
DD
= 12 VDC，我
DQ
= 80 mA时， P
OUT
= 450毫瓦平均，
F = 3.55千兆赫）
相邻通道功率比
(V
DD
= 12 VDC， P
OUT
= 450 mW的魅力。我
DQ
= 80 mA时，
F = 3.55千兆赫，W - CDMA ， 8.5 P / A @ 0.01 ％的概率，
64 CH ， 3.84 MCPS ）
符号
I
DSS
I
GSS
I
DSO
I
DSX
V
GS （ TH）
V
GS （ Q）
G
ps
P
1dB
h
D
民
—
—
—
—
- 1.2
- 1.1
10
—
22
典型值
1.7
＆ LT ; 1.0
—
＆ LT ; 1.0
- 0.9
- 0.8
11
4.5
25
最大
—
100
600
9
- 0.7
- 0.6
—
—
—
单位
ADC
μAdc
μAdc
MADC
VDC
VDC
dB
W
%
ACPR
—
- 42
- 39
dBc的
MRFG35005NT1 MRFG35005MT1
2
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
V
GS
V
DD
C11
C10
C9
C8
C7
C6
C5
R1
C3 C4
C16
C17
C18
C19
C20
C21
C22
C14 C15
Z5
RF
输入
Z1
C1
C29
C28
C27
C26
Z2
C2
Z3
Z4
C12
Z6 Z7 Z8 Z9 Z10 Z11
C13
Z15
C23
Z16
Z17
C24
C25
Z18
RF
产量
Z12 Z13 Z14
Z1, Z18
Z2
Z3
Z4
Z5, Z15
Z6, Z8, Z10
Z7, Z9
0.125″
0.435″
0.298″
0.336″
0.527″
0.050″
0.125″
X 0.044 “微带
X 0.044 “微带
X 0.254 “微带
X 0.590 “微带
X 0.015 “微带
X 0.025 “微带
X 0.025 “微带
Z11
Z12
Z13
Z14
Z16
Z17
PCB
0.400 “× 0.081 ”微带
0.120 “× 0.408 ”微带
0.259 “× 0.058 ”微带
0.269 “× 0.348 ”微带
0.149 “× 0.062 ”微带
0.553 “× 0.044 ”微带
罗杰斯4350 ， 20万，
ε
r
= 3.5
图1： 3.5 GHz的测试电路原理图
表5. 3.5 GHz的测试电路元件牌号和值
部分
C1, C24
C2
C3, C4, C14, C15
C5, C16
C6, C17
C7, C18
C8, C19
C9, C20
C10, C21
C11, C22
C12, C28
C13, C26, C27
C23
C25
C29
R1
描述
7.5 pF的贴片电容
0.4 pF的贴片电容（ 0805 ）
3.9 pF的片式电容器（ 0805 ）
10 pF的贴片电容
100 pF的贴片电容
100 pF的贴片电容
1000 pF的贴片电容
3.9
F
贴片电容
0.1
F
贴片电容
22
F,
35 V钽表面贴装电容器
0.1 pF的片式电容器（ 0805 ）
0.3 pF的片式电容器（ 0805 ）
1.0 pF的贴片电容（ 0805 ）
1.2 pF的贴片电容（ 0805 ）
0.9 pF的贴片电容（ 0805 ）
100
W
贴片电阻
08051J0R1BBT
08051J0R3BBT
08051J1R0BBT
08051J1R2BBT
08051J0R9BBT
产品型号
100A7R5JP150X
08051J0R4BBT
08051J3R9BBT
100A100JP500X
100A101JP500X
100B101JP500X
100B102JP500X
生产厂家
ATC
AVX
AVX
ATC
ATC
ATC
ATC
ATC
ATC
纽瓦克
AVX
AVX
AVX
AVX
AVX
纽瓦克
MRFG35005NT1 MRFG35005MT1
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
3
C7
C18
C6
C11
C10
C9
C8
R1
C3
C4
C14
C15
C5
C17
C16
C19
C20
C21
C22
C12
C2
C13
C23
C1
C25
C29
C28
C27
C26
C24
MRFG35005M
REV 1
飞思卡尔已经开始标记印刷电路板（PCB ）的过渡与飞思卡尔半导体
签名/标志。多氯联苯可能有过渡期间无论是摩托罗拉，飞思卡尔标记。这些变化将产生
在外形，装配或现有产品的功能没有任何影响。
图2. 3.5 GHz的测试电路元件布局
MRFG35005NT1 MRFG35005MT1
4
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
典型特征
10
IRL ，输入回波损耗（分贝）
IRL
20
V
DS
= 12 VDC，我
DQ
= 85毫安
F = 3.55千兆赫， 8.5 P / A 3GPP W- CDMA
Γ
S
= 0.868é115.15_,
Γ
L
= 0.764é139.11_
20
ACPR （ DBC）
PAE ，功率附加效率（ ％ ）
10
30
40
30
40
50
60
0.01
ACPR
50
60
0.1
P
OUT
，输出功率（瓦）
1
图3. W - CDMA ACPR和输入回波
损耗与输出功率
20
17.5
克叔，转换器增益（分贝）
15
V
DS
= 12 VDC，我
DQ
= 85毫安
F = 3.55千兆赫， 8.5 P / A 3GPP W- CDMA
Γ
S
= 0.868é115.18_,
Γ
L
= 0.764é139.11_
PAE
40
35
30
G
T
25
20
15
10
5
0
0.01
0.1
P
OUT
，输出功率（瓦）
1
12.5
10
7.5
5
2.5
0
图4.传感器增益和功率附加
效率与输出功率
注意：
所有数据被引用来包装引线接口。
Γ
S
和
Γ
L
是呈现给DUT的阻抗。
所有数据是从负载牵引产生，而不是从所示的测试电路。
MRFG35005NT1 MRFG35005MT1
RF设备数据
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5
QQ：2881677436 复制
