飞思卡尔半导体公司
技术参数
文档编号： MRFG35003N6A
第2版， 2009年6月
砷化镓PHEMT
射频功率场效应晶体管
专为WLL / MMDS / BWA或UMTS的驱动程序与应用程序的频率
从500至5000兆赫。设备是无法比拟的，适合于AB类使用
客户端设备（ CPE ）应用。
典型的单 - 载波W - CDMA性能： V
DD
= 6伏，我
DQ
=
180毫安，P
OUT
= 450毫瓦的魅力。 ， 3550 MHz的信道带宽=
3.84兆赫， PAR = 8.5 dB的CCDF上0.01 ％的概率。
功率增益 - 10分贝
漏极效率 - 27 ％
ACPR @ 5 MHz偏移 - - 42.5 dBc的在3.84 MHz信道带宽
3瓦特的P1dB @ 3550 MHz的CW
特点
出色的相位线性度和群时延特性
高增益，高效率和高线性度
符合RoHS
在磁带和卷轴。 T1后缀= 1000单位每12mm时， 7英寸卷轴。
MRFG35003N6AT1
3.5千兆赫， 3 W ， 6 V
功率场效应管
砷化镓PHEMT
CASE 466 - 03 ，风格1
PLD - 1.5
塑料
表1.最大额定值
等级
漏源电压
栅 - 源电压
RF输入功率
存储温度范围
通道温度
(1)
符号
V
DSS
V
GS
P
in
T
英镑
T
ch
价值
8
-5
24
- 65 + 150
175
单位
VDC
VDC
DBM
°C
°C
表2.热特性
特征
热阻，结到外壳
符号
R
θJC
价值
(2)
5.9
单位
° C / W
表3. ESD保护特性
测试方法
人体模型（每JESD22 - A114 ）
机器型号（每EIA / JESD22 - A115 ）
充电器型号（每JESD22 - C101 ）
类
2 （最小）
A（最小）
IV （最低）
表4.湿度敏感度等级
测试方法
每JESD22 - A113 ， IPC / JEDEC J - STD - 020
等级
3
包峰
温度
260
单位
°C
1.对于运行可靠，操作通道温度不应超过150 ℃。
2.请参阅AN1955 ，
射频功率放大器的热测量方法。
去http://www.freescale.com/rf 。
选择文档/应用笔记 - AN1955 。
飞思卡尔半导体公司， 2007年 - 2009年。保留所有权利。
MRFG35003N6AT1
1
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
表5.电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
特征
饱和漏极电流
(V
DS
= 3.5伏，V
GS
= 0伏）
关闭状态漏泄电流
(V
GS
= - 0.4伏，V
DS
= 0伏）
关机状态下漏电流
(V
DS
= 6伏，V
GS
= - 2.2 V直流）
关态电流
(V
DS
= 20伏，V
GS
= - 2.5伏）
栅 - 源切 - 关闭电压
(V
DS
= 3.5伏，我
DS
= 15 mA）的
静态栅极电压
(V
DS
= 6伏，我
D
= 180 mA）的
符号
I
DSS
I
GSS
I
DSO
I
DSX
V
GS （ TH）
V
GS （ Q）
民
—
—
—
—
- 1.2
- 1.1
典型值
2.9
<1
50
<1
- 0.95
- 0.82
最大
—
100
1000
15
- 0.7
- 0.6
单位
ADC
μAdc
μAdc
MADC
VDC
VDC
功能测试
（飞思卡尔测试夹具， 50欧姆系统）V
DD
= 6伏，我
DQ
= 180毫安， P
OUT
= 450毫瓦的魅力。 ， F = 3550兆赫，
单载波W - CDMA ， 3.84 MHz信道带宽的载体。 ACPR测量在3.84 MHz信道带宽@
±5
MHz偏移。
PAR =上CCDF 8.5分贝@ 0.01 ％的概率。
功率增益
漏EF网络效率
相邻通道功率比
G
ps
h
D
ACPR
8
22
—
10
27
- 42.5
—
—
- 38
dB
%
dBc的
典型的射频性能
（飞思卡尔测试夹具， 50
οhm
系统）V
DD
= 6伏，我
DQ
= 180 mA时， F = 3550 MHz的
输出功率， 1 dB压缩点， CW
P
1dB
—
3
—
W
MRFG35003N6AT1
2
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
V
BIAS
C11
C10
C9
C8
C15
C14
C13
C12
V
供应
C7
C16
C6
C17
C5
C18
C4
C19
Z9
RF
输入
Z1
Z2
Z3
Z4
Z5
C3
C1
C2
Z6
R1
Z7
Z8
Z10
Z11
Z12
RF
产量
Z13
Z14
Z15
Z16
C20
C22
C21
Z17
Z1
Z2, Z4
Z3
Z5
Z6
Z7
Z8, Z10
Z9
0.045 “× 0.753 ”微带
0.045 “× 0.025 ”微带
0.020 “× 0.360 ”微带
0.045 “× 0.075 ”微带
0.045 “× 0.055 ”微带
0.300 “× 0.125 ”微带
0.146 “× 0.070 ”微带
0.025 “× 0.485 ”微带
Z11
Z12
Z13
Z14
Z15
Z16
Z17
PCB
0.300 “× 0.215 ”微带
0.025 “× 0.497 ”微带
0.025 “× 0.322 ”微带
0.025 “× 0.270 ”微带
0.025 “× 0.083 ”微带
0.045 “× 0.050 ”微带
0.045 “× 0.467 ”微带
罗杰斯4350 ， 0.020 “ ，
ε
r
= 3.5
图1. MRFG35003N6A测试电路原理图
表6. MRFG35003N6A测试电路组件牌号和值
部分
C1
C2
C3
C4, C19, C20
C5, C18
C6, C17
C7, C16
C8, C15
C9, C14
C10, C13
C11, C12
C21, C22
R1
描述
0.5 pF的贴片电容
0.4 pF的贴片电容
0.5 pF的贴片电容
6.8 pF的贴片电容
10 pF的贴片电容
100 pF的贴片电容
100 pF的贴片电容
1000 pF的贴片电容
0.01
μF
贴片电容
39K pF的贴片电容
10
μF,
50 V贴片电容
0.7 pF的贴片电容
50
Ω
贴片电阻
产品型号
08051J0R5BBS
06035J0R4BBS
06035J0R5BBS
08051J6R8BBS
ATC100A100JT150XT
ATC100A101JT150XT
ATC100B101JT500XT
ATC100B102JT50XT
ATC200B103KT50XT
ATC200B393KT50XT
GRM55DR61H106KA88B
08051J0R7BBS
CRCW040250R0FKTA
生产厂家
AVX
AVX
AVX
AVX
ATC
ATC
ATC
ATC
ATC
ATC
村田
AVX
日前，Vishay
MRFG35003N6AT1
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
3
典型特征
14
12
G
ps
，功率增益（分贝）
10
8
6
η
D
4
2
18
20
22
24
26
28
30
32
P
OUT
，输出功率（dBm ）
10
0
V
DD
= 6伏，我
DQ
= 180 mA时， F = 3550 MHz的
单载波W-CDMA中， 3.84MHz的信道
带宽， PAR = 8.5 dB的0.01 ％的概率（ CCDF ）
G
ps
60
50
40
30
20
η
D
,
排水 FFI效率（ ％ ）
η
D
,
排水 FFI效率（ ％ ）
IRL ，输入回波损耗（分贝）
图3.单 - 通道W - CDMA功率增益
和漏极效率与输出功率
ACPR ，相邻通道功率比（ DBC）
0
V
DD
= 6伏，我
DQ
= 180 mA时， F = 3550 MHz的
单载波W-CDMA中， 3.84MHz的信道
带宽， PAR = 8.5 dB的0.01 ％的概率（ CCDF ）
5
10
10
20
IRL
30
15
20
40
ACPR
50
18
20
22
24
26
28
30
32
P
OUT
，输出功率（dBm ）
25
30
图4.单 - 通道W - CDMA邻
信道功率比和IRL与输出功率
14
12
G
ps
，功率增益（分贝）
10
G
ps
8
6
η
D
4
2
3450
24
22
3650
28
26
V
DD
= 6伏，我
DQ
= 180毫安， P
OUT
= 450毫瓦
单载波W-CDMA中， 3.84MHz的信道
带宽， PAR = 8.5 dB的0.01 ％的概率（ CCDF ）
34
32
30
3500
3550
男，频率（MHz）
3600
图5.单 - 通道W - CDMA功率增益
和漏极效率与频率
注意：
从所示的测试电路产生的数据。
MRFG35003N6AT1
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
5
QQ：2880707522 复制
