飞思卡尔半导体公司
技术参数
文档编号： MRFG35003AN
第2版， 2009年6月
砷化镓PHEMT
射频功率场效应晶体管
专为WLL / MMDS / BWA或UMTS驱动器应用。特征
从500至5000兆赫。设备是无法比拟的，适合于AB类使用
客户端设备（ CPE ）应用。
典型的单 - 载波W - CDMA性能： V
DD
= 12伏，我
DQ
=
55毫安，P
OUT
= 300毫瓦的魅力。 ， 3550 MHz的信道带宽=
3.84兆赫， PAR = 8.5 dB的CCDF上0.01 ％的概率。
功率增益 - 10.8分贝
漏极效率 - 24.5 ％
ACPR @ 5 MHz偏移 - - 43 dBc的在3.84 MHz信道带宽
3瓦特的P1dB @ 3550 MHz的CW
出色的相位线性度和群时延特性
高增益，高效率和高线性度
符合RoHS
在磁带和卷轴。 T1后缀= 1000单位每12mm时， 7英寸卷轴。
MRFG35003ANT1
3.5千兆赫， 3 W ， 12 V
功率场效应管
砷化镓PHEMT
CASE 466 - 03 ，风格1
PLD - 1.5
塑料
表1.最大额定值
等级
漏源电压
栅 - 源电压
RF输入功率
存储温度范围
通道温度
(1)
符号
V
DSS
V
GS
P
in
T
英镑
T
ch
价值
15
-5
29
- 65 + 150
175
单位
VDC
VDC
DBM
°C
°C
表2.热特性
特征
热阻，结到外壳
符号
R
θJC
价值
(2)
15.9
单位
° C / W
1.对于运行可靠，操作通道温度不应超过150 ℃。
2.请参阅AN1955 ，
射频功率放大器的热测量方法。
去http://www.freescale.com/rf 。
选择文档/应用笔记 - AN1955 。
飞思卡尔半导体公司， 2007年 - 2009年。保留所有权利。
MRFG35003ANT1
1
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
表3. ESD保护特性
测试方法
人体模型（每JESD22 - A114 ）
机器型号（每EIA / JESD22 - A115 ）
充电器型号（每JESD22 - C101 ）
类
1C （最低）
A（最小）
IV （最低）
表4.湿度敏感度等级
测试方法
每JESD22 - A113 ， IPC / JEDEC J - STD - 020
等级
3
封装峰值温度
260
单位
°C
表5.电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
特征
饱和漏极电流
(V
DS
= 3.5伏，V
GS
= 0伏）
关闭状态漏泄电流
(V
GS
= - 0.4伏，V
DS
= 0伏）
关机状态下漏电流
(V
DS
= 12伏直流，V
GS
= - 2.5伏）
关态电流
(V
DS
= 28.5伏，V
GS
= - 2.5伏）
栅 - 源切 - 关闭电压
(V
DS
= 3.5伏，我
DS
= 6.5 mA）的
静态栅极电压
(V
DS
= 12 VDC，我
D
= 80 mA）的
符号
I
DSS
I
GSS
I
DSO
I
DSX
V
GS （ TH）
V
GS （ Q）
民
—
—
—
—
- 1.2
- 1.2
典型值
1.3
<1
—
2
- 0.9
- 0.9
最大
—
100
450
7
- 0.7
- 0.7
单位
ADC
μAdc
μAdc
MADC
VDC
VDC
功能测试
（飞思卡尔测试夹具， 50欧姆系统）V
DD
= 12 VDC，我
DQ
= 55毫安， P
OUT
= 300毫瓦的魅力。 ， F = 3550兆赫，
单载波W - CDMA ， 3.84 MHz信道带宽的载体。 ACPR测量在3.84 MHz信道带宽@
±5
MHz偏移。
PAR =上CCDF 8.5分贝@ 0.01 ％的概率。
功率增益
漏EF网络效率
相邻通道功率比
G
ps
h
D
ACPR
9.5
22
—
10.8
24.5
- 43
—
—
- 40
dB
%
dBc的
典型的射频性能
（飞思卡尔测试夹具， 50欧姆系统）V
DD
= 12 VDC，我
DQ
= 55 mA时， F = 3550 MHz的
输出功率， 1 dB压缩点， CW
P
1dB
—
3
—
W
MRFG35003ANT1
2
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
V
BIAS
C6
C10
C9
C8
C7
C5
C4
R1
C14
C13
C24
C11
C12
Z13
Z11
Z12
C23
Z19
C20
C21
C22
C15
C16
C17
C18
C19
V
供应
C2
RF
输入
Z1
C1
Z2
Z3
Z4
Z5
Z6
Z7
Z8
C3
Z9
Z10
RF
产量
Z14 Z15 Z16 Z17 Z18
Z1, Z19
Z2
Z3
Z4
Z5
Z6
Z7
Z8
Z9, Z13
0.044 “× 0.125 ”微带
0.044 “× 0.050 ”微带
0.044 “× 0.242 ”微带
0.704 “× 0.128 ”微带
0.142 “× 0.121 ”微带
0.885 “× 0.075 ”微带
0.029 “× 0.434 ”微带
0.029 “× 0.146 ”× 0.130 “锥
0.015 “× 0.527 ”微带
Z10
Z11
Z12
Z14
Z15
Z16
Z17
Z18
PCB
0.146 “× 0.170 ”微带
0.146 “× 0.070 ”微带
0.146 “× 0.459 ”× 0.130 “锥
0.459 “× 0.537 ”微带
0.347 “× 0.186 ”微带
0.627 “× 0.076 ”微带
0.044 “× 0.075 ”微带
0.044 “× 0.276 ”微带
罗杰斯4350 ， 0.020 “ ，
ε
r
= 3.5
图1. MRFG35003ANT1测试电路原理图
表6. MRFG35003ANT1测试电路组件牌号和值
部分
C1, C20
C2, C3, C11, C12
C4, C13
C5, C14
C6, C15
C7, C16
C8, C17
C9, C18
C10, C19
C21, C22, C23
C24
R1
描述
7.5 pF的贴片电容
3.9 pF的贴片电容
10 pF的贴片电容
0.01
μF
贴片电容
100 pF的贴片电容
1000 pF的贴片电容
39K pF的贴片电容
0.01
μF
贴片电容
10
μF
贴片电容
0.4 pF的贴片电容
5.6 pF的电容芯片
100
Ω,
1/4 W贴片电阻
产品型号
ATC100A7R5JT150XT
08051J3R9BBS
ATC100A100JT150XT
GRM1881X1H103JA01
ATC100B101JT500XT
ATC100B102JT50XT
ATC200B393KT50XT
ATC200B103KT50XT
GRM55DR61H106KA88B
08051J0R4ABS
08051J5R6BBS
ERJ - 8GEYJ101V
生产厂家
ATC
AVX
ATC
村田
ATC
ATC
ATC
ATC
村田
AVX
AVX
松下
MRFG35003ANT1
RF设备数据
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3
C6
C15
C10
C9
C8
C7
C5
C4
C14
C13
C11
C24
C12
C16
C17
C18
C19
C2
R1
C3
C1
C23
C21
C22
C20
MRFG35003AN牧师0
图2. MRFG35003ANT1测试电路元件布局
MRFG35003ANT1
4
RF设备数据
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典型特征
16
14
G
ps
，功率增益（分贝）
12
G
ps
10
8
η
D
6
4
18
20
22
24
26
28
30
P
OUT
，输出功率（dBm ）
10
0
32
30
20
V
DS
= 12 VDC，我
DQ
= 55 mA时， F = 3550 MHz的
单载波W-CDMA中， 3.84MHz的信道带宽
Γ
S
= 0.833é108.2_,
Γ
L
= 0.698é151.1_
60
50
40
η
D
，漏极效率（ ％ ）
IRL ，输入回波损耗（分贝）
图3.单 - 载波W - CDMA功率增益
和漏极效率与输出功率
ACPR ，相邻通道功率比（ DBC）
10
V
DS
= 12 VDC，我
DQ
= 55 mA时， F = 3550 MHz的
单载波W-CDMA中， 3.84MHz的信道带宽
Γ
S
= 0.833é108.2_,
Γ
L
= 0.698é151.1_
IRL
5
20
10
30
15
40
20
50
60
18
20
22
ACPR
25
24
26
28
30
30
32
P
OUT
，输出功率（dBm ）
图4.单 - 载波W - CDMA和ACPR
输入回波损耗与输出功率
注意：
所有数据被引用来包装引线接口。
Γ
S
和
Γ
L
是呈现给DUT的阻抗。
所有数据是从负载牵引产生，而不是从所示的测试电路。
MRFG35003ANT1
RF设备数据
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5
QQ：2881677436 复制
