飞思卡尔半导体公司
技术参数
文档编号： MRFE6VP8600H
第1版， 9/2011
RF功率LDMOS晶体管
高耐用性N - 通道
增强 - 模式横向的MOSFET
优化的宽带运营从470到860兆赫。设备具有
集成输入匹配网络更好的电源分配。这些设备
理想地适合于在模拟或数字电视发射机使用。
典型的窄带性能： V
DD
= 50伏，我
DQ
= 1400毫安，
信道带宽= 8 MHz的输入信号PAR = 9.5 dB的0.01 ％
概率上的CCDF 。 ACPR测量在7.61 MHz信号带宽@
±4
MHz偏移为4千赫的积分带宽。
信号类型
DVB - T（ 8K OFDM ）
P
OUT
(W)
125的魅力。
f
（兆赫）
860
G
ps
（ dB）的
19.3
η
D
(%)
30.0
ACPR
（ DBC）
--60.5
IRL
（ dB）的
--12
MRFE6VP8600HR6
MRFE6VP8600HR5
MRFE6VP8600HSR6
MRFE6VP8600HSR5
470-
-860兆赫， 600 W， 50 V
LDMOS宽带
射频功率晶体管
典型的脉冲宽带性能： V
DD
= 50伏，我
DQ
= 1400毫安，
脉冲宽度= 100
微秒，
占空比= 10 ％
信号类型
脉冲
P
OUT
(W)
600峰
f
（兆赫）
470
650
860
G
ps
（ dB）的
19.3
20.0
18.8
η
D
(%)
47.1
53.1
48.9
CASE 375D-
-05 ，风格1
NI-
-1230
MRFE6VP8600HR6
特点
能够处理>65 ：1 VSWR通过所有相位角@ 50伏直流电，
860 MHz的DVB - T（ 8K OFDM ） 240瓦的魅力。输出功率（3 dB输入
从额定P催
OUT
)
出色的效率为AB类模拟或数字电视运营
整个完整的UHF电视的频谱全部性能， 470--860兆赫
能600瓦CW输出功率与适当的热管理
集成的输入匹配
扩展负栅 - 中--6.0 V至+10 V电源电压范围
提高C级的性能，例如在多尔蒂峰值阶段
使放大器的快速，简便，完全关断
从20 V特点，以50 V的工作范围内的使用
与漏极调制
卓越的热特性
符合RoHS
在磁带和卷轴。 R6后缀= 150个单位，56个毫米磁带宽度， 13英寸的卷轴。
R5后缀= 50单位，56个毫米磁带宽度， 13英寸的卷轴。
表1.最大额定值
等级
漏 - 源极电压
栅 - 源电压
存储温度范围
情况下的工作温度
器件总功耗@ T
C
= 25°C
减免上述25℃
工作结温
(1,2)
符号
V
DSS
V
GS
T
英镑
T
C
P
D
T
J
价值
--0.5, +130
--6.0, +10
--65到150
150
1052
5.26
225
单位
VDC
VDC
°C
°C
W
W / ℃，
°C
（ TOP VIEW ）
注意：该包的背面是
源极端子的晶体管。
CASE 375E-
-04 ，风格1
NI-
-1230S
MRFE6VP8600HSR6
部分推挽
-PULL
1号门3
1排水管1
2号门4
2排水管2
图1.引脚连接
在最高温度1，连续使用会影响平均无故障时间。
2. MTTF计算器可在http://www.freescale.com/rf 。选择软件&
工具/开发工具/计算器按产品访问MTTF计算器。
飞思卡尔半导体公司， 2011。保留所有权利。
MRFE6VP8600HR6
MRFE6VP8600HR5 MRFE6VP8600HSR6 MRFE6VP8600HSR5
1
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
表2.热特性
特征
热阻，结到外壳
外壳温度74 ° C， 125瓦CW ， 50伏1400毫安， 860兆赫
符号
R
θJC
价值
(1,2)
0.19
(3)
单位
° C / W
表3. ESD保护特性
测试方法
人体模型（每JESD22 - A114 ）
机器型号（每EIA / JESD22 - A115 ）
充电器型号（每JESD22 - C101 ）
类
2 (2001--4000 V)
B（ 201--400 V）
四， （ >1000 V）
表4.电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
特征
开关特性
(4)
门 - 源极漏电流
(V
GS
= 5伏，V
DS
= 0伏）
漏极 - 源极击穿电压
(V
GS
= 0伏，我
D
= 100 mA时）
零栅极电压漏极漏电流
(V
DS
= 50伏，V
GS
= 0伏）
零栅极电压漏极漏电流
(V
DS
= 100伏，V
GS
= 0伏）
基本特征
栅极阈值电压
(4)
(V
DS
= 10 VDC ，我
D
= 980
μAdc ）
门静态电压
(5)
(V
DD
= 50伏直流，我
D
= 1400 MADC ，测量功能测试）
漏极 - 源极导 - 电压
(4)
(V
GS
= 10 VDC ，我
D
= 2 ADC）
正向跨导
(V
DS
= 10 VDC ，我
D
= 20 ADC）
动态特性
(4)
反向传输电容
(6)
(V
DS
= 50伏直流
±
30毫伏（ RMS） AC @ 1 MHz时，V
GS
= 0伏）
输出电容
(6)
(V
DS
= 50伏直流
±
30毫伏（ RMS） AC @ 1 MHz时，V
GS
= 0伏）
输入电容
(7)
(V
DS
= 50伏，V
GS
= 0伏
±
30毫伏（ RMS） AC @ 1兆赫）
C
RSS
C
OSS
C
国际空间站
—
—
—
1.49
79.9
264
—
—
—
pF
pF
pF
V
GS （ TH）
V
GS （ Q）
V
DS （ ON）
g
fs
1.5
2.1
—
—
2.07
2.65
0.24
15.6
2.5
3.1
—
—
VDC
VDC
VDC
S
I
GSS
V
（ BR ） DSS
I
DSS
I
DSS
—
130
—
—
—
140
—
—
1
—
5
20
μAdc
VDC
μAdc
μAdc
符号
民
典型值
最大
单位
功能测试
(5)
（飞思卡尔窄带测试夹具， 50欧姆系统）V
DD
= 50伏直流，我
DQ
= 1400毫安，P
OUT
= 125瓦的魅力。 ， F = 860 MHz时，
DVB - T（ 8K OFDM）单通道。 ACPR测量在7.61 MHz信号带宽@
±4
MHz偏移为4千赫的积分带宽。
功率增益
漏EF网络效率
相邻通道功率比
输入回波损耗
G
ps
η
D
ACPR
IRL
18.0
29.0
—
—
19.3
30.0
--60.5
--12
21.0
—
--58.5
--9
dB
%
dBc的
dB
1. MTTF计算器可在http://www.freescale.com/rf 。选择软件&工具/开发工具/计算器访问MTTF
计算器按照产品。
2.请参阅AN1955 ，
射频功率放大器的热测量方法。
去http://www.freescale.com/rf 。
选择文档/应用笔记 - AN1955 。
3.用导热油脂的TIM （热界面材料）的性能通常通过0.05° C / W，由于增加的热接触降低
这种TIM的阻力。
4.设备的每一侧分别测得。
5.测量与制作设备推 - 拉配置。
6.部分内部输入匹配。
7.模电容值没有内部配套。
（续）
MRFE6VP8600HR6 MRFE6VP8600HR5 MRFE6VP8600HSR6 MRFE6VP8600HSR5
2
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
表4.电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
（续）
特征
符号
民
典型值
最大
单位
典型的DVB- （ 8K OFDM ）性能
（飞思卡尔窄带测试夹具， 50欧姆系统）V
DD
= 50伏直流，我
DQ
= 1400毫安， F = 860 MHz时，
-T
DVB - T（ 8K OFDM）单通道。
输出峰 - 到 - 平均比@ 0.01 ％的概率在CCDF ，
P
OUT
= 125瓦的魅力。
负载不匹配
VSWR >65 ： 1 ，在所有相位角， 3分贝高速从
额定P
OUT
（ 240瓦特的魅力。 ）
PAR
Ψ
—
7.8
—
dB
在输出功率不降低
MRFE6VP8600HR6 MRFE6VP8600HR5 MRFE6VP8600HSR6 MRFE6VP8600HSR5
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
3
R1
C1
C2
L1
C12
C13
C11
COAX1
COAX3
C19
C23*
C5
C3 C4
C6
L2
C8*
切出区
C7
C14* C16*
C15*
C18*
C17*
C21 C20
C22
C24
COAX4
COAX2
MRFE6VP8600H
第1版
C9
C10
L3
R2
C25
C26
* C8 ，C14， C15 ，C16， C17， C18和C23被垂直地安装。
图2. MRFE6VP8600HR6 （ HSR6 ）测试电路元件布局 - 860兆赫， DVB- （ 8K OFDM ）
-T
表5. MRFE6VP8600HR6 （ HSR6 ）测试电路元件标识和价值观 - 860兆赫， DVB- （ 8K OFDM ）
-T
部分
C1, C9
C2, C10
C3, C4, C20, C21, C23
C5, C6
C7
C8
C11, C24
C12, C25
C13, C26
C14
C15
C16
C17
C18
C19, C22
COAX1 ， 2，3， 4
L1, L3
L2
R1, R2
PCB
描述
10
μF,
50 V ，贴片电容
2.2
μF,
50 V ，贴片电容
100 pF的贴片电容
24 pF的贴片电容
0.8--8.0 pF的可变电容
12 pF的电容芯片
2.2
μF,
100 V，贴片电容
4.7
μF,
100 V，贴片电容
470
μF,
63 V电解电容器
6.8 pF的贴片电容
3.0 pF的贴片电容
2.7 pF的电容芯片
3.9 pF的贴片电容
5.1 pF的贴片电容
1000 pF的贴片电容
25
半刚性同轴电缆，长度2.0 “
5.0 NH， 2电感器打开
2.5 nH的，1匝电感
10
,
1/4 W贴片电阻
0.030″,
ε
r
= 3.5
产品型号
GRM55DR61H106KA88L
C3225X7R1H225K
ATC100B101JT500XT
ATC100B240JT500XT
27291SL
ATC100B120JT500XT
C3225X7R2A225KT
GRM55ER72A475KA01B
MCGPR63V477M13X26--RH
ATC100B6R8CT500XT
ATC100B3R0CT500XT
ATC100B2R7BT500XT
ATC100B3R9CT500XT
ATC100B5R1CT500XT
ATC100B102JT50XT
UT--141C--25
A02TKLC
A01TKLC
CRCW120610R0JNEA
RO4350B
生产厂家
村田
TDK
ATC
ATC
约翰森组件
ATC
TDK
村田
MULTICOMP
ATC
ATC
ATC
ATC
ATC
ATC
微 - 同轴电缆
Coilcraft公司
Coilcraft公司
日前，Vishay
罗杰斯
MRFE6VP8600HR6 MRFE6VP8600HR5 MRFE6VP8600HSR6 MRFE6VP8600HSR5
4
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
COAX1
V
BIAS
C1
C2
L1
Z19
R1
Z17
RF
输入Z1
Z3
Z2
C3
Z5
C5
Z7
Z9
Z11 Z13
Z15
L2
C4
Z4
Z6
C6
Z8
C7
Z10
C8
Z12 Z14
Z16
Z18
R2
COAX2
V
BIAS
C9
C10
L3
Z20
Z46
C11
Z44
Z21
Z23 Z25
Z27
+
C12
C13
V
供应
COAX3
Z29
Z31
Z33
Z35 Z37
C19
Z39
C20
DUT
C14
C15
C16
C17
C18
C21
Z22
Z24 Z26
Z45
C24
Z47
+
C25
Z1
Z2
Z3, Z4
Z5, Z6
Z7, Z8
Z9, Z10
Z11, Z12
Z13, Z14
Z15, Z16
0.204 “× 0.062 ”微带
0.245 “× 0.080 ”微带
0.445 “× 0.060 ”微带
0.019 “× 0.100 ”微带
0.415 “× 0.400 ”微带
0.083 “× 0.400 ”微带
0.022 “× 0.400 ”微带
0.208 “× 0.850 ”微带
0.242 “× 0.960 ”微带
Z17, Z18
Z19*, Z20*
Z21, Z22
Z23, Z24
Z25, Z26
Z27, Z28
Z29, Z30
Z31, Z32
Z33, Z34
C26
Z35, Z36
Z37, Z38
Z39, Z40
Z41
Z42
Z43
Z44*, Z45*
Z46, Z47
V
供应
Z28
Z30
Z32
Z34
Z36 Z38
Z40
C22
COAX4
Z41
C23
RF
Z42 Z43输出
0.780 “× 0.080 ”微带
0.354 “× 0.080 ”微带
0.164 “× 0.520 ”微带
0.186 “× 0.520 ”微带
0.088 “× 0.420 ”微带
0.072 “× 0.420 ”微带
0.072 “× 0.420 ”微带
0.259 “× 0.420 ”微带
0.075 “× 0.420 ”微带
0.052 “× 0.420 ”微带
0.211 “× 0.100 ”微带
0.389 “× 0.060 ”微带
0.070 “× 0.080 ”微带
0.018 “× 0.080 ”微带
0.204 “× 0.062 ”微带
0.850 “× 0.080 ”微带
0.250 “× 0.080 ”微带
*线路长度包括微带弯曲
图3. MRFE6VP8600HR6 （ HSR6 ）测试电路原理图 - 860兆赫， DVB- （ 8K OFDM ）
-T
MRFE6VP8600HR6 MRFE6VP8600HR5 MRFE6VP8600HSR6 MRFE6VP8600HSR5
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
5
QQ：2881677436 复制
