飞思卡尔半导体公司
技术参数
文档编号： MRFE6VP100H
第0版， 5/2012
RF功率LDMOS晶体管
高耐用性N - 通道
增强 - 模式横向的MOSFET
射频功率晶体管设计用于窄带和宽带的ISM ，
广播和航空航天应用的运行频率为1.8
2000兆赫。这些器件采用飞思卡尔的增强型制造
耐用性平台，并适用于在应用中高的VSWR使用
遇到。
典型特性：
V
DD
= 50伏
频率
（兆赫）
30--512
(1,3)
512
(2)
512
(2)
信号类型
两个 - 音
（ 100 kHz间隔）
CW
脉冲（ 200
微秒，
20%
占空比）
P
OUT
(W)
100 PEP
100
100峰
G
ps
（ dB）的
19.0
27.2
26.0
η
D
(%)
30.0
70.0
70.0
IMD
（ DBC）
--30
—
—
MRFE6VP100HR5
MRFE6VP100HSR5
1.8-
-2000兆赫， 100 W， 50 V
宽带
RF功率LDMOS晶体管
NI-
-780-
-4
MRFE6VP100HR5
负载失配/耐用性
频率
（兆赫）
512
(2)
信号类型
脉冲
(100
微秒，
20%
占空比）
CW
VSWR
>65 ： 1
在所有阶段
角
P
OUT
(W)
130
（ 3分贝
OVERDRIVE ）
126
（ 3分贝
OVERDRIVE ）
TEST
电压
50
结果
没有设备
降解
512
(2)
NI-
-780S-
-4
MRFE6VP100HSR5
1.测量30--512 MHz的宽带参考电路。
2.在测量512 MHz的窄带测试电路。
3.显示的值是在整个的最低测得的性能数据
指定的频率范围。
闸门A
漏极的
特点
宽工作频率范围
极其坚固
无以伦比，有能力甚宽频带操作
综合稳定性增强
低热阻
集成ESD保护电路
在磁带和卷轴。 R5后缀= 50单位，56个毫米磁带宽度， 13英寸的卷轴。
B门
漏B
（ TOP VIEW ）
注意：该包的背面是
源极端子的晶体管。
图1.引脚连接
表1.最大额定值
等级
漏 - 源极电压
栅 - 源电压
存储温度范围
情况下的工作温度
工作结温
(4,5)
符号
V
DSS
V
GS
T
英镑
T
C
T
J
价值
--0.5, +133
--6.0, +10
--65到150
--40到150
--40到225
单位
VDC
VDC
°C
°C
°C
在最高温度4，连续使用会影响平均无故障时间。
5. MTTF计算器可在http://www.freescale.com/rf 。选择软件&工具/开发工具/计算器访问MTTF
计算器按照产品。
飞思卡尔半导体公司， 2012年版权所有。
MRFE6VP100HR5 MRFE6VP100HSR5
1
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
表2.热特性
特征
热阻，结到外壳
CW ：外壳温度81 ° C， 100瓦CW ， 50伏直流电，我
DQ （ A + B ）
= 100毫安， 512兆赫
热阻，结到外壳
脉冲：外壳温度73 ° C， 100 W峰值， 100
微秒
脉冲宽度，
20％的占空比， 50伏直流电，我
DQ （ A + B ）
= 100毫安， 512兆赫
符号
R
θJC
Z
θJC
价值
(1,2)
0.38
0.12
单位
° C / W
° C / W
表3. ESD保护特性
测试方法
人体模型（每JESD22 - A114 ）
机器型号（每EIA / JESD22 - A115 ）
充电器型号（每JESD22 - C101 ）
类
2 ，通过2500 V
B，通过250 V
四，通过2000伏
表4.电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
特征
开关特性
(3)
门 - 源极漏电流
(V
GS
= 5伏，V
DS
= 0伏）
漏极 - 源极击穿电压
(V
GS
= 0伏，我
D
= 50 mA）的
零栅极电压漏极漏电流
(V
DS
= 50伏，V
GS
= 0伏）
零栅极电压漏极漏电流
(V
DS
= 100伏，V
GS
= 0伏）
基本特征
栅极阈值电压
(3)
(V
DS
= 10 VDC ，我
D
= 170
μAdc ）
门静态电压
(V
DD
= 50伏直流，我
D
= 100 MADC ，测量功能测试）
漏极 - 源极导 - 电压
(3)
(V
GS
= 10 VDC ，我
D
= 1 ADC）
动态特性
(3)
反向传输电容
(V
DS
= 50伏直流
±
30毫伏（ RMS） AC @ 1 MHz时，V
GS
= 0伏）
输出电容
(V
DS
= 50伏直流
±
30毫伏（ RMS） AC @ 1 MHz时，V
GS
= 0伏）
输入电容
(V
DS
= 50伏，V
GS
= 0伏
±
30毫伏（ RMS） AC @ 1兆赫）
C
RSS
C
OSS
C
国际空间站
—
—
—
0.24
23.9
73.6
—
—
—
pF
pF
pF
V
GS （ TH）
V
GS （ Q）
V
DS （ ON）
1.6
2.1
—
2.1
2.6
0.23
2.6
3.1
—
VDC
VDC
VDC
I
GSS
V
（ BR ） DSS
I
DSS
I
DSS
—
133
—
—
—
141
—
—
400
—
3
10
NADC
VDC
μAdc
μAdc
符号
民
典型值
最大
单位
功能测试
（飞思卡尔测试夹具， 50欧姆系统）V
DD
= 50伏直流，我
DQ （ A + B ）
= 100毫安， P
OUT
= 100 W峰值（ 20瓦平均） ， F = 512 MHz时，
200
微秒
脉冲宽度， 20 ％占空比
功率增益
漏EF网络效率
输入回波损耗
频率
（兆赫）
512
信号
TYPE
脉冲
(100
微秒，
20 ％占空比）
CW
G
ps
η
D
IRL
P
OUT
(W)
130峰
（ 3分贝高速）
126
（ 3分贝高速）
25.0
68.0
—
26.0
70.0
--14
27.0
—
--9
dB
%
dB
负载失配/耐用性
（飞思卡尔测试夹具， 50欧姆的系统，我
DQ （ A + B ）
= 100 mA时）
VSWR
>65 ： 1
在所有相位角
测试电压V
DD
50
结果
没有设备退化
1. MTTF计算器可在http://www.freescale.com/rf 。选择软件&工具/开发工具/计算器访问MTTF
计算器按照产品。
2.请参阅AN1955 ，
射频功率放大器的热测量方法。
去http://www.freescale.com/rf 。选择
文档/应用笔记 - AN1955 。
3.设备的每一侧分别测得。
MRFE6VP100HR5 MRFE6VP100HSR5
2
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
典型特征
1000
测量
±30
MV（ RMS） AC @ 1兆赫
V
GS
= 0伏
C，电容（pF ）
100
1.05
1.04
C
国际空间站
归V
GS （ Q）
1.03
1.02
1.01
1
0.99
0.98
0.97
0.96
0.95
0
10
20
30
40
50
--50
--25
0
25
50
75
100
V
DS
，漏 - 源极电压（伏）
T
C
，外壳温度（ ° C）
200毫安
I
DQ （ A + B ）
= 100毫安
300毫安
600毫安
V
DD
= 50伏直流
10
C
OSS
1
C
RSS
0.1
注意：
设备的每一侧分别测得。
图2.电容与漏极 -
- 源电压
图3.归V
GS
与静态
当前和外壳温度
I
DQ
（MA ）
100
200
300
600
斜率（毫伏/ ° C）
--1.945
--1.826
--1.700
--1.648
10
8
I
D
= 2.2安培
V
DD
= 50伏直流
10
7
平均无故障时间（小时）
10
6
2.8安培
3.3安培
10
5
10
4
90
110
130
150
170
190
210
230
250
T
J
，结温（ ° C）
注意：
平均无故障时间的值表示总累计时间
下所示的试验条件。
图4. MTTF与结温 - CW
-
MRFE6VP100HR5 MRFE6VP100HSR5
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
3
512 MHz的窄带生产测试夹具
B1
C2
C1
COAX1
L1
MRFE6VP100H/S
第1版
C13
L3
C10 C11
C14
COAX3
C12
C4
C6
C7
切出区
C15
C16
C17
C18
C24
C5
C3
COAX2
C8
L2
L4
C19
C20
C21 C22
COAX4
C9
B2
C23
图5. MRFE6VP100HR5 （ HSR5 ）窄带测试电路元件布局 - 512兆赫
表5. MRFE6VP100HR5 （ HSR5 ）窄带测试电路组件标识和价值观 - 512兆赫
部分
B1, B2
C1, C8
C2, C9
C3
C4, C5
C6, C7, C15, C16, C17, C18
C10, C21
C11, C22
C12, C23
C13, C19
C14, C20
C24
COAX1 ， 2
Coax3 ， 4
L1, L2
L3, L4
PCB
描述
小的铁氧体磁珠，表面贴装
22
μF,
35 V钽电容器
120 pF的贴片电容
4.3 pF的贴片电容
56 pF的贴片电容
27 pF的贴片电容
0.1
μF
贴片电容
0.01
μF
贴片电容
470
μF,
63 V电解电容器
240 pF的贴片电容
2.2
μF
贴片电容
7.5 pF的贴片电容
25
半刚性同轴电缆， 2.2盾长度
25
半刚性同轴电缆， 2.0 “长盾
5圈， 18.5 nH的电感，绕线
7匝， 22 nH的电感，绕线
0.030″,
ε
r
= 2.55
产品型号
2743019447
T491X226K035AT
ATC100B121JT500XT
ATC100B4R3CT500XT
ATC100B560CT500XT
ATC100B270JT500XT
C1812F104K1RACTU
C1825C103K1GACTU
MCGPR63V477M13X26-RH
ATC100B241JT200XT
G2225X7R225KT3AB
ATC100B7R5CT500XT
UT-141C-25
UT-141C-25
A05TKLC
B07TJLC
AD255D
生产厂家
商Fair-Rite
基美
ATC
ATC
ATC
ATC
基美
基美
MULTICOMP
ATC
ATC
ATC
微同轴电缆
微同轴电缆
Coilcraft公司
Coilcraft公司
阿尔隆
MRFE6VP100HR5 MRFE6VP100HSR5
4
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
+
B1
L3
C2
Z10
Z9
C16
Z13
DUT
Z21
Z20
L2
COAX2
V
BIAS
+
C8
C9
+
C19
C20
C21
C22
C23
L4
V
供应
B2
Z23
Z22
C17
Z24
Z25
C24
Z17
C5
C6
Z18
C7
Z19
Z14
Z11
Z12
C15
Z7
Z2
Z8
C4
Z15
C3
Z16
Z3
Z4
Z5
Z6
L1
COAX3
+
C1
C13
C12
C14
C10
C11
V
供应
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
COAX1
V
BIAS
RF
产量
C18
COAX4
RF
输入Z1
图6. MRFE6VP100HR5 （ HSR5 ）窄带测试电路原理图 - 512兆赫
表6. MRFE6VP100HR5 （ HSR5 ）窄带测试电路微带 - 512兆赫
微带
Z1
Z2, Z15
Z3, Z16
Z4, Z17
Z5, Z18
Z6, Z19
Z7*, Z20*
Z8, Z21
描述
0.366″
×
0.082微带
0.070″
×
0.102 “微带
0.094″
×
0.102 “微带
0.103″
×
0.102 “微带
0.125″
×
0.102 “微带
0.168″
×
0.102 “微带
0.912″
×
0.058微带
0.420″
×
0.726微带
微带
Z9, Z22
Z10*, Z23*
Z11, Z24
Z12, Z25
Z13
Z14
描述
0.271″
×
0.507微带
0.822″
×
0.150 “微带
0.590″
×
0.216 “微带
0.257″
×
0.216 “微带
0.192″
×
0.082微带
0.173″
×
0.082微带
*线路长度包括微带弯曲
MRFE6VP100HR5 MRFE6VP100HSR5
5
QQ：2881677436 复制
