飞思卡尔半导体公司
技术参数
文档编号： MRFE6S9200H
第1版， 12/2008
射频功率场效应晶体管
N - 沟道增强 - 模式横向的MOSFET
专为宽带商业和工业应用
频率最高到1000 MHz 。高增益和宽带性能
这些设备使它们非常适用于大型 - 信号，常见的 - 源极放大器
应用28伏基站设备。
典型的单 - 载波W - CDMA性能： V
DD
= 28伏，我
DQ
=
1400毫安，P
OUT
= 58瓦的魅力。 ， F = 880 MHz时， 3GPP测试模型1 ，
64 DPCH与45.2 ％裁剪，信道带宽= 3.84 MHz的输入
信号PAR =上CCDF 7.5分贝@ 0.01 ％的概率。
功率增益 - 21分贝
漏极效率 - 35 ％
仪输出信号的PAR - 6.36分贝@ CCDF上0.01 ％的概率
ACPR @ 5 MHz偏移 - - 40 dBc的在3.84 MHz信道带宽
能够处理10 ： 1 VSWR ， @ 32 VDC ， 880兆赫，P
OUT
= 300瓦CW
从额定P （3 dB输入过载
OUT
） ，设计用于增强
耐用性。
特点
100 ％测试PAR针对有保证的输出功率能力
特点等效串联阻抗大 - 信号阻抗参数
内部匹配的易用性
资格高达32 V ，最大
DD
手术
集成ESD保护
符合RoHS
在磁带和卷轴。 R3后缀=每56毫米， 13英寸卷轴250单位。
MRFE6S9200HR3
MRFE6S9200HSR3
880兆赫， 58 W平均， 28 V
单W - CDMA
横向N - CHANNEL
RF功率MOSFET
CASE 465B - 03 ，风格1
NI - 880
MRFE6S9200HR3
CASE 465℃ - 02 ，风格1
NI - 880
MRFE6S9200HSR3
表1.最大额定值
等级
漏 - 源极电压
栅 - 源电压
存储温度范围
情况下的工作温度
工作结温
(1,2)
符号
V
DSS
V
GS
T
英镑
T
C
T
J
价值
- 0.5, +66
- 0.5, +12
- 65 + 150
150
225
单位
VDC
VDC
°C
°C
°C
表2.热特性
特征
热阻，结到外壳
外壳温度80 ° C， 200瓦CW
外壳温度79 ° C， 58 W CW
符号
R
θJC
价值
(2,3)
0.29
0.33
单位
° C / W
在最高温度1，连续使用会影响平均无故障时间。
2. MTTF计算器可在http://www.freescale.com/rf 。选择软件&工具/开发工具/计算器访问
MTTF计算器副产品。
3.请参阅AN1955 ，
射频功率放大器的热测量方法。
去http://www.freescale.com/rf 。
选择文档/应用笔记 - AN1955 。
飞思卡尔半导体公司， 2007-2008 。版权所有。
MRFE6S9200HR3 MRFE6S9200HSR3
1
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
表3. ESD保护特性
测试方法
人体模型（每JESD22 - A114 ）
机器型号（每EIA / JESD22 - A115 ）
充电器型号（每JESD22 - C101 ）
类
1C （最低）
A（最小）
IV （最低）
表4.电气特性
(T
C
= 25 ° C除非另有说明）
特征
开关特性
零栅极电压漏极漏电流
(V
DS
= 66伏，V
GS
= 0伏）
零栅极电压漏极漏电流
(V
DS
= 28伏，V
GS
= 0伏）
门 - 源极漏电流
(V
GS
= 5伏，V
DS
= 0伏）
基本特征
栅极阈值电压
(V
DS
= 10 VDC ，我
D
= 600
μAdc ）
门静态电压
(V
DD
= 28伏直流，我
D
= 1400 MADC ，测量功能测试）
漏极 - 源极导 - 电压
(V
GS
= 10 VDC ，我
D
= 4.1 ADC）
动态特性
(1)
反向传输电容
(V
DS
= 28伏直流
±
30毫伏（ RMS） AC @ 1 MHz时，V
GS
= 0伏）
输出电容
(V
DS
= 28伏直流
±
30毫伏（ RMS） AC @ 1 MHz时，V
GS
= 0伏）
输入电容
(V
DS
= 28伏，V
GS
= 0伏
±
30毫伏（ RMS） AC @ 1兆赫）
C
RSS
C
OSS
C
国际空间站
—
—
—
2.41
74.61
557.27
—
—
—
pF
pF
pF
V
GS （ TH）
V
GS （ Q）
V
DS （ ON）
1.2
2
0.1
2
2.7
0.2
2.7
3.8
0.3
VDC
VDC
VDC
I
DSS
I
DSS
I
GSS
—
—
—
—
—
—
10
1
10
μAdc
μAdc
μAdc
符号
民
典型值
最大
单位
功能测试
（飞思卡尔测试夹具， 50欧姆系统）V
DD
= 28伏直流，我
DQ
= 1400毫安，P
OUT
= 58 W魅力。 W - CDMA ， F = 880 MHz时，
单 - 载波W - CDMA ， 3.84 MHz信道带宽的载体。 ACPR测量在3.84 MHz信道带宽@ 5 MHz偏移。
PAR =上CCDF 7.5分贝@ 0.01 ％的概率。
功率增益
漏EF网络效率
输出峰 - 到 - 平均比@ CCDF上0.01 ％的概率
相邻通道功率比
输入回波损耗
视频带宽@ 200瓦特PEP P
OUT
其中， IM3 = - 30 dBc的
（音调间隔从100 kHz到VBW ）
ΔIMD3
= IMD3 @ VBW频率 - IMD3 @ 100千赫<1 dBc的（包括
边带）
增益平坦度在35 MHz带宽@ P
OUT
= 58 W魅力。
从线性相位在35 MHz带宽平均偏差
@ P
OUT
= 200瓦CW
平均群时延@ P
OUT
= 200瓦CW ， F = 880 MHz的
部分 - 到 - 部分插入相位变化@ P
OUT
= 200瓦CW ，
F = 880兆赫，六西格玛窗口
增益随温度变化（ - 30 ° C至+ 85°C ）
输出功率随温度变化（ - 30 ° C至+ 85°C ）
1.部分内部匹配的输入。
G
ps
η
D
PAR
ACPR
IRL
VBW
—
10
—
20
33
6
—
—
21
35
6.36
- 40
- 15
23
—
—
- 36.5
-9
dB
%
dB
dBc的
dB
兆赫
典型的表演
（飞思卡尔测试夹具， 50
οhm
系统）V
DD
= 28伏直流，我
DQ
= 1400毫安， 865 - 900 MHz带宽
G
F
Φ
延迟
ΔΦ
ΔG
ΔP1dB
—
—
—
—
—
—
0.5
0.28
3.72
15.9
0.016
0.008
—
—
—
—
—
—
dB
°
ns
°
分贝/°C的
dBm的/°C的
MRFE6S9200HR3 MRFE6S9200HSR3
2
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
B1
V
BIAS
C30
+
C26
R3
Z11
Z13
C2
R2
Z15
C11
Z16
Z17
+
C4
+
V
供应
C22 C23 C32 C28 C34
C12
Z18
C14
Z19
C16
Z20
C18
Z21 Z22 Z23
Z24
C6
RF
产量
Z25
RF
输入
C9
Z1
C1
C20
C7
C8
R1
B2
+
C31
C27
R4
C3
Z9
Z10
Z11, Z12
Z13, Z14
Z15
Z16
Z17
Z18
0.119 “× 0.118 ”微带
0.305 “× 0.980 ”微带
2.134 “× 0.070 ”微带
1.885 “× 0.100 ”微带
0.100 “× 1.090 ”微带
0.212 “× 1.090 ”微带
0.083 “× 0.962 ”× 1.036 “锥
0.074 “× 0.816 ”× 0.888 “锥
Z19
Z20
Z21
Z22
Z23
Z24
Z25
PCB
0.074 “× 0.669 ”× 0.707 “锥
0.074 “× 0.524 ”× 0.595 “锥
0.058 “× 0.474 ”× 0.488 “锥
0.326 “× 0.491 ”微带
0.708 “× 0.220 ”微带
0.555 “× 0.080 ”微带
0.356 “× 0.080 ”微带
阿尔隆CuClad 250GX - 0300 - 55 - 22 ，
0.030″,
ε
r
= 2.55
Z12
C5
+
C25 C24 C33 C29
DUT
Z14
Z2
Z3
Z4
Z5
Z6
Z7
Z8
Z9
Z10
C10
C13
C15
C17
C19
C21
Z1
Z2
Z3
Z4
Z5
Z6
Z7
Z8
0.351″
0.538″
0.424″
0.052″
0.414″
0.052″
0.140″
0.244″
x 0.080″
x 0.080″
x 0.080″
x 0.220″
x 0.220″
x 0.491″
x 0.491″
x 0.736″
微带
微带
微带
微带
微带
微带
微带
X 0.980 “锥
图1. MRFE6S9200HR3 （ SR3 ）测试电路原理图
表5. MRFE6S9200HR3 （ SR3 ）测试电路元件牌号和值
部分
B1, B2
C1, C2, C3, C4, C5, C6
C7
C8, C9, C18, C19
C10, C11
C12, C13
C14, C15, C16, C17
C20
C21
C22, C23, C24, C25
C26, C27
C28, C29
C30, C31, C32, C33
C34
R1, R2, R3, R4
描述
小的铁氧体磁珠，表面贴装
47 pF的贴片电容
2.7 pF的电容芯片
1.3 pF的贴片电容
12 pF的贴片电容
4.3 pF的贴片电容
3.3 pF的贴片电容
0.6 - 4.5 pF的可变电容， Gigatrim
0.8 - 8.0 pF的可变电容， Gigatrim
10
μF,
50 V贴片电容
10
μF,
35 V片式钽电容器
22
μF,
35 V片式钽电容器
0.1
μF
贴片电容
330
μF,
63 V电解电容
10
Ω,
1/4 W贴片电阻
产品型号
2743019447
ATC100B470JT500XT
ATC100B2R7JT500XT
ATC100B1R3JT500XT
ATC100B120JT500XT
ATC100B4R3JT500XT
ATC100B3R3JT500XT
27271SL
27291SL
GRM55DR61H106KA88B
T491C106K035AT
T491C226K035AT
CDR33Bx104AKYS
EKMG630ELL331MJ205
CRCW120610R0FKEA
生产厂家
爱色丽博览会
ATC
ATC
ATC
ATC
ATC
ATC
约翰森
约翰森
村田
基美
基美
基美
美贵弥功 - 精读
日前，Vishay
MRFE6S9200HR3 MRFE6S9200HSR3
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
3
C2
C26
B1
R3
C30
900兆赫
NI880
第3版
C4
C22
C23
C28
C32
C34
R2
C9
切出区
C8
C1
C20
C7
R1
C11
C16 C18
C12 C14
C13
C15 C17 C19
C10
C33
C21
C6
B2
C31
C24
C25
C29
C27
C3
C5
图2. MRFE6S9200HR3 （ SR3 ）测试电路元件布局
MRFE6S9200HR3 MRFE6S9200HSR3
4
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
典型特征
23
22
21
G
ps
，功率增益（分贝）
20
19
18
17
16
15
800
IRL
820
840
860
880
900
920
V
DD
= 28伏直流电，P
OUT
= 58 W（平均）。
I
DQ
= 1400毫安，单载波W-CDMA中
3.84 MHz信道带宽
PAR = 7.5 dB的0.01 ％的概率（ CCDF ）
η
D
G
ps
38
34
30
26
0.3
PARC （ DBC）
0.6
0.9
1.2
公园
940
1.5
960
η
D
，沥干
效率（％）
0
4
9
12
16
男，频率（MHz）
图3.单 - 载波W - CDMA的宽带性能
@ P
OUT
= 58瓦的魅力。
22
21
20
G
ps
，功率增益（分贝）
19
18
17
16
IRL
15
14
800
公园
820
840
860
880
900
920
940
2.8
3
960
G
ps
V
DD
= 28伏直流电，P
OUT
= 99 W（平均）。
I
DQ
= 1400毫安，单载波W-CDMA中
3.84 MHz信道带宽
PAR = 7.5 dB的0.01 ％的概率（ CCDF ）
η
D
51
45
39
33
2.2
PARC （ DBC）
2.4
2.6
η
D
，沥干
效率（％）
3
6
9
12
15
男，频率（MHz）
图4.单 - 载波W - CDMA的宽带性能
@ P
OUT
= 99瓦的魅力。
23
22
G
ps
，功率增益（分贝）
I
DQ
= 2100毫安
1750毫安
1400毫安
1050毫安
V
DD
= 28伏直流
F1 = 875兆赫， F2 = 885 MHz的
双色测量
10
100
600
IMD ，三阶
互调失真（ DBC）
0
10
20
1400毫安
30
40
50
60
1
1
10
100
600
P
OUT
，输出功率（瓦）人教版
P
OUT
，输出功率（瓦）人教版
1750毫安
2100毫安
1050毫安
V
DD
= 28伏直流
F1 = 875兆赫， F2 = 885 MHz的
双色测量
I
DQ
= 700毫安
21
20
19
18
17
700毫安
图5.两个 - 音频功率增益与
输出功率
图6.三阶互调失真
与输出功率
MRFE6S9200HR3 MRFE6S9200HSR3
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
5
IRL ，输入回波损耗（分贝）
IRL ，输入回波损耗（分贝）
QQ：2880707522 复制
