飞思卡尔半导体公司
技术参数
文档编号： MRFE6S9130H
第0版，第4/2007号
射频功率场效应晶体管
N - 沟道增强 - 模式横向的MOSFET
专为N - CDMA ， GSM和GSM EDGE基站应用
与频率从865 MHz到960 MHz 。适用于多载波放大器
应用程序。
典型的单 - 载波N - CDMA性能@ 880 MHz的： V
DD
= 28伏，
I
DQ
= 950毫安，P
OUT
。 = 27瓦的魅力，全频波段， IS - 95 CDMA
（先导，同步，寻呼，交通守则8 13 ）信道带宽=
1.2288兆赫。 PAR =上CCDF 9.8分贝@ 0.01 ％的概率。
功率增益 - 19.2分贝
漏极效率 - 30.5 ％
ACPR @ 750 kHz偏置 - - 47.6 dBc的30 kHz带宽
能够处理10 ： 1 VSWR ， @ 32 VDC ， 880兆赫， 3分贝高速，
专为增强耐用性
特点
特点等效串联阻抗大 - 信号阻抗参数
内部匹配的易用性
资格高达32 V ，最大
DD
手术
集成ESD保护
符合RoHS
在磁带和卷轴。 R3后缀=每56毫米， 13英寸卷轴250单位。
MRFE6S9130HR3
MRFE6S9130HSR3
880兆赫， 27瓦平均， 28 V
单N - CDMA
横向N - CHANNEL
RF功率MOSFET
CASE 465 - 06 ，风格1
NI - 780
MRFE6S9130HR3
CASE 465A - 06 ，风格1
NI - 780S
MRFE6S9130HSR3
表1.最大额定值
等级
漏 - 源极电压
栅 - 源电压
存储温度范围
情况下的工作温度
工作结温
符号
V
DSS
V
GS
T
英镑
T
C
T
J
价值
- 0.5, +66
- 0.5, +12
- 65 + 150
150
200
单位
VDC
VDC
°C
°C
°C
表2.热特性
特征
热阻，结到外壳
外壳温度80 ° C， 130 W CW
外壳温度75 ° C， 27瓦CW
符号
R
θJC
价值
(1,2)
0.45
0.51
单位
° C / W
1. MTTF计算器可在http://www.freescale.com/rf 。选择工具/软件/应用软件/计算器访问
平均无故障时间计算器副产品。
2.请参阅AN1955 ，
射频功率放大器的热测量方法。
去http://www.freescale.com/rf 。
选择文档/应用笔记 - AN1955 。
飞思卡尔半导体公司， 2007。保留所有权利。
MRFE6S9130HR3 MRFE6S9130HSR3
1
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
表3. ESD保护特性
测试方法
人体模型（每JESD22 - A114 ）
机器型号（每EIA / JESD22 - A115 ）
充电器型号（每JESD22 - C101 ）
类
1A （最小值）
A（最小）
IV （最低）
表4.电气特性
(T
C
= 25 ° C除非另有说明）
特征
开关特性
零栅极电压漏极漏电流
(V
DS
= 66伏，V
GS
= 0伏）
零栅极电压漏极漏电流
(V
DS
= 28伏，V
GS
= 0伏）
门 - 源极漏电流
(V
GS
= 5伏，V
DS
= 0伏）
基本特征
栅极阈值电压
(V
DS
= 10 VDC ，我
D
= 400
μAdc ）
门静态电压
(V
DS
= 28伏直流，我
D
= 950 MADC ，测量功能测试）
漏极 - 源极导 - 电压
(V
GS
= 10 VDC ，我
D
= 2.74 ADC）
动态特性
(1)
反向传输电容
(V
DS
= 28伏直流
±
30毫伏（ RMS） AC @ 1 MHz时，V
GS
= 0伏）
输出电容
(V
DS
= 28伏直流
±
30毫伏（ RMS） AC @ 1 MHz时，V
GS
= 0伏）
C
RSS
C
OSS
—
—
1.6
66
—
—
pF
pF
V
GS （ TH）
V
GS （ Q）
V
DS （ ON）
1
2
—
2.1
2.9
0.22
3
4
0.5
VDC
VDC
VDC
I
DSS
I
DSS
I
GSS
—
—
—
—
—
—
10
1
10
μAdc
μAdc
μAdc
符号
民
典型值
最大
单位
功能测试
（飞思卡尔测试夹具， 50欧姆系统）V
DD
= 28伏直流，我
DQ
= 950毫安，P
OUT
= 27瓦的魅力。 N - CDMA ， F = 880 MHz时，
单 - 载波N - CDMA ， 1.2288 MHz信道带宽的载体。 ACPR测量在30 kHz的信道带宽@
±750
kHz偏置。
PAR =上CCDF 9.8分贝@ 0.01 ％的概率。
功率增益
漏EF网络效率
相邻通道功率比
输入回波损耗
1.部分内部输入匹配。
G
ps
η
D
ACPR
IRL
18
29
—
—
19.2
30.5
- 47.6
- 29
21
—
- 46
-9
dB
%
dBc的
dB
MRFE6S9130HR3 MRFE6S9130HSR3
2
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
B2
V
BIAS
+
C7
RF
输入
C6
B1
C14
L2
L1
Z4
Z5
Z6
Z7
C4 Z8
C9
C10
C11
Z9
C8 Z10 Z11 Z12
Z13
+
+
+
+
V
供应
C15 C16 C17 C18 C19
RF
产量
Z14 Z15
Z16
C13
C12
Z17
Z1
C1
Z2
Z3
C2
Z1
Z2
Z3
Z4
Z5
Z6, Z11
0.383″
1.250″
0.190″
0.127″
0.173″
0.200″
x 0.080″
x 0.080″
x 0.220″
x 0.220″
x 0.220″
x 0.220″
C3
C5
Z7
Z8
Z9
Z10
Z12
Z13
DUT
微带
微带
微带
微带
微带
X 0.620 “锥
0.220″
0.077″
0.146″
0.152″
0.184″
0.261″
x 0.630″
x 0.630″
x 0.630″
x 0.630″
x 0.220″
x 0.220″
微带
微带
微带
微带
微带
微带
Z14
Z15
Z16
Z17
PCB
0.045 “× 0.220 ”微带
0.755 “× 0.080 ”微带
0.496 “× 0.080 ”微带
0.384 “× 0.080 ”微带
阿尔隆GX - 0300 - 55 - 22 ， 0.030 “ ，
ε
r
= 2.55
图1. MRFE6S9130HR3 （ SR3 ）测试电路原理图
表5. MRFE6S9130HR3 （ SR3 ）测试电路元件牌号和值
部分
B1, B2
C1, C13, C14
C2
C3, C11
C4, C5
C6
C7, C16, C17, C18
C8, C9
C10
C12
C15
C19
L1, L2
描述
铁氧体磁珠，短
47 pF的贴片电容
8.2 pF的电容芯片
0.8 - 8.0 pF的可变电容器， Gigatrim
12 pF的贴片电容
20K的pF的贴片电容
10
μF,
35 V片式钽电容器
10 pF的贴片电容
11 pF的贴片电容
0.6 - 4.5 pF的可变电容， Gigatrim
0.56
μF,
50 V贴片电容
470
μF,
63 V电解电容
12.5 nH的电感器
产品型号
2743019447
ATC100B470JT500XT
ATC100B8R2BT500XT
27291SL
ATC100B120JT500XT
ATC200B203KT50XT
T491D106K035AT
ATC100B7R5JT500XT
ATC100B110JT500XT
27271SL
C1825C564J5GAC
ESME630ELL471MK25S
A04T - 5
生产厂家
爱色丽博览会
ATC
ATC
约翰森
ATC
ATC
基美
ATC
ATC
约翰森
基美
美贵弥功 - 精读
Coilcraft公司
MRFE6S9130HR3 MRFE6S9130HSR3
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
3
C19
B2
C7
C6
C16 C17 C18
B1
C4
L1
C8
L2
C15
C14
900兆赫
转02
C10
C1
切出区
C2
C3
C5
C12
C9
C11
C13
图2. MRFE6S9130HR3 （ SR3 ）测试电路元件布局
MRFE6S9130HR3 MRFE6S9130HSR3
4
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
典型特征
20
19.5
19
G
ps
，功率增益（分贝）
18.5
18
17.5
17
16.5
16
15.5
15
820
840
860
880
900
920
940
960
男，频率（MHz）
ALT1
ACPR
G
ps
V
DD
= 28伏直流电，P
OUT
= 27 W（平均） ，我
DQ
= 950毫安
N-二CDMA IS- 95飞行员，同步，寻呼，交通
代码8到13
IRL
η
D
，沥干
效率（％）
ACPR （ DBC） ， ALT1 （ DBC）
5
15
25
35
45
55
η
D
，沥干
效率（％）
ACPR （ DBC） ， ALT1 （ DBC）
0
5
10
15
20
25
30
I
DQ
= 500毫安
700毫安
1400毫安
40
IRL ，输入回波损耗（分贝）
1100毫安
950毫安
60
1
10
100
400
1
10
100
400
P
OUT
，输出功率（瓦）人教版
P
OUT
，输出功率（瓦）人教版
η
D
34
32
30
28
26
20
30
40
50
60
70
980
图3.单 - 载波N - CDMA的宽带性能@ P
OUT
= 27瓦的魅力。
19
18.5
18
17.5
17
16.5
16
15.5
15
14.5
14
13.5
13
820
ACPR
ALT1
840
860
880
900
920
940
960
G
ps
η
D
V
DD
= 28伏直流电，P
OUT
= 54 W（平均）。
I
DQ
= 950毫安，N -CDMA IS- 95飞行员，同步
寻呼，交通守则8到13
IRL
50
47
44
41
38
35
10
20
30
40
50
60
70
980
G
ps
，功率增益（分贝）
男，频率（MHz）
图4.单 - 载波N - CDMA的宽带性能@ P
OUT
= 54瓦的魅力。
21
20
G
ps
，功率增益（分贝）
1100毫安
19
950毫安
18
700毫安
17
500毫安
16
15
V
DD
= 28伏直流， F1 = 878.75兆赫， F2 = 881.25兆赫
两个-Tone测量， 2.5 MHz的音调间隔
IMD ，三阶
互调失真（ DBC）
I
DQ
= 1400毫安
10
V
DD
= 28伏直流， F1 = 878.75兆赫， F2 = 881.25兆赫
两个-Tone测量， 2.5 MHz的音调间隔
20
30
50
图5.两个 - 音频功率增益与
输出功率
图6.三阶互调失真
与输出功率
MRFE6S9130HR3 MRFE6S9130HSR3
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
5
IRL ，输入回波损耗（分贝）
QQ：2881677436 复制
