飞思卡尔半导体公司
技术参数
文档编号： MRFE6S9046N
第0版， 2009年5
射频功率场效应晶体管
N - 沟道增强 - 模式横向的MOSFET
专为GSM和GSM EDGE基站应用
频率从920至960兆赫。适用于CDMA和多载波放大器
应用程序。
典型的GSM业绩： V
DD
= 28伏，我
DQ
= 300毫安， P
OUT
=
35.5瓦CW ， F = 960 MHz的
功率增益 - 19分贝
漏极效率 - 57 ％
能够处理5 ： 1 VSWR ， @ 32 VDC ， 940兆赫， 70瓦CW输出
从额定功率P （3 dB输入过载
OUT
） ，设计用于增强
耐用性
典型的P
OUT
@ 1 dB压缩点
]
45瓦CW
典型的GSM EDGE性能： V
DD
= 28伏，我
DQ
= 285毫安，
P
OUT
= 17.8瓦的魅力，全频波段（ 920 - 960兆赫）
功率增益 - 19分贝
漏极效率 - 42.5 ％
频谱再生@ 400 kHz偏置= - 62.5 dBc的
频谱再生@ 600 kHz偏置= - 72 dBc的
EVM - 2.1 ％ RMS
特点
特点等效串联阻抗大 - 信号阻抗参数
内部匹配的易用性
集成ESD保护
更大的负栅 - 源电压范围为改良C级
手术
225℃有能力塑料包装
符合RoHS
在磁带和卷轴。 R1后缀=每44毫米， 13英寸卷轴500单位。
MRFE6S9046NR1
MRFE6S9046GNR1
920 - 960兆赫， 35.5 W CW ， 28 V
GSM ， GSM EDGE
横向N - CHANNEL
RF功率MOSFET
CASE 1486至1403年，风格1
TO - 270 WB - 4
塑料
MRFE6S9046NR1
CASE 1487至1405年，风格1
TO - 270 WB - 4 GULL
塑料
MRFE6S9046GNR1
部分单 - 截至
RF
in
/V
GS
3
2 RF
OUT
/V
DS
RF
in
/V
GS
4
1 RF
OUT
/V
DS
（ TOP VIEW ）
注：包的背面裸露的是
源极端子的晶体管。
图1.引脚连接
表1.最大额定值
等级
漏 - 源极电压
栅 - 源电压
工作电压
存储温度范围
情况下的工作温度
工作结温
(1,2)
符号
V
DSS
V
GS
V
DD
T
英镑
T
C
T
J
价值
- 0.5, +66
- 6.0, +10
32, +0
- 65 + 150
150
225
单位
VDC
VDC
VDC
°C
°C
°C
在最高温度1，连续使用会影响平均无故障时间。
2. MTTF计算器可在http://www.freescale.com/rf 。选择软件&工具/开发工具/计算器访问MTTF
计算器按照产品。
飞思卡尔半导体公司， 2009年。保留所有权利。
MRFE6S9046NR1 MRFE6S9046GNR1
1
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
表2.热特性
特征
热阻，结到外壳
外壳温度80 ° C， 45瓦CW ， 28伏直流电，我
DQ
= 300毫安
外壳温度80 ° C， 18瓦CW ， 28伏直流电，我
DQ
= 300毫安
符号
R
θJC
价值
(1,2)
1.3
1.8
单位
° C / W
表3. ESD保护特性
测试方法
人体模型（每JESD22 - A114 ）
机器型号（每EIA / JESD22 - A115 ）
充电器型号（每JESD22 - C101 ）
类
1C （最低）
A（最小）
III （最低）
表4.湿度敏感度等级
测试方法
每JESD22 - A113 ， IPC / JEDEC J - STD - 020
等级
3
封装峰值温度
260
单位
°C
表5.电气特性
(T
C
= 25 ° C除非另有说明）
特征
开关特性
零栅极电压漏极漏电流
(V
DS
= 66伏，V
GS
= 0伏）
零栅极电压漏极漏电流
(V
DS
= 28伏，V
GS
= 0伏）
门 - 源极漏电流
(V
GS
= 5伏，V
DS
= 0伏）
基本特征
栅极阈值电压
(V
DS
= 10 VDC ，我
D
= 100
μAdc ）
门静态电压
(V
DD
= 28伏直流，我
D
= 300 MADC ，测量功能测试）
漏极 - 源极导 - 电压
(V
GS
= 10 VDC ，我
D
= 1 ADC）
动态特性
(3)
反向传输电容
(V
DS
= 28伏直流
±
30毫伏（ RMS） AC @ 1 MHz时，V
GS
= 0伏）
输出电容
(V
DS
= 28伏直流
±
30毫伏（ RMS） AC @ 1 MHz时，V
GS
= 0伏）
输入电容
(V
DS
= 28伏，V
GS
= 0伏
±
30毫伏（ RMS） AC @ 1兆赫）
特征
功率增益
漏EF网络效率
输入回波损耗
C
RSS
C
OSS
C
国际空间站
—
—
—
0.6
318
120
—
—
—
pF
pF
pF
V
GS （ TH）
V
GS （ Q）
V
DS （ ON）
1
2
0.1
2.2
3.1
0.3
3
4
0.4
VDC
VDC
VDC
I
DSS
I
DSS
I
GSS
—
—
—
—
—
—
10
1
1
μAdc
μAdc
μAdc
符号
民
典型值
最大
单位
功能测试
(4)
（飞思卡尔测试夹具， 50欧姆系统）V
DD
= 28伏直流电，P
OUT
= 35.5 W CW ，我
DQ
= 300 mA时， F = 960 MHz的
符号
G
ps
η
D
IRL
民
17.5
54
—
典型值
19
57
- 13
最大
—
—
-7
单位
dB
%
dB
1. MTTF计算器可在http://www.freescale.com/rf 。选择软件&工具/开发工具/计算器访问MTTF
计算器按照产品。
2.请参阅AN1955 ，
射频功率放大器的热测量方法。
去http://www.freescale.com/rf 。
选择文档/应用笔记 - AN1955 。
3.部分内部对输入和输出匹配两种。
4.测量任何铅形成操作之前与设备直导线的配置应用。
（续）
MRFE6S9046NR1 MRFE6S9046GNR1
2
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
表5.电气特性
(T
C
= 25 ° C除非另有说明）
（续）
特征
符号
民
典型值
最大
单位
典型的表演
（飞思卡尔GSM EDGE参考设计测试夹具， 50欧姆系统）V
DD
= 28伏直流，我
DQ
= 300毫安， 920-960兆赫
带宽
P
OUT
@ 1 dB压缩点
IMD对称性@ 44 W PEP ，P
OUT
其中， IMD三阶
互
`
30 dBc的
上，下之间（增量IMD三阶互调
边带> 2分贝）
VBW共振点
（ IMD三阶互调拐点）
增益平坦度在40 MHz带宽@ P
OUT
= 35.5 W CW
从线性相位在40 MHz带宽平均偏差
@ P
OUT
= 45瓦CW
平均群时延@ P
OUT
= 45瓦CW ， F = 940 MHz的
部分 - 到 - 部分插入相位变化@ P
OUT
= 45瓦CW ，
F = 940兆赫，六西格玛窗口
增益随温度变化
（ - 30 ° C至+ 85°C ）
输出功率随温度变化
（ - 30 ° C至+ 85°C ）
P1dB
IMD
符号
—
—
45
55
—
—
W
兆赫
VBW
水库
G
F
Φ
延迟
ΔΦ
ΔG
ΔP1dB
—
—
—
—
—
—
—
65
0.2
0.9
3.1
20
0.021
0.006
—
—
—
—
—
—
—
兆赫
dB
°
ns
°
分贝/°C的
dBm的/°C的
典型的GSM EDGE表演
（飞思卡尔GSM EDGE参考设计测试夹具， 50欧姆系统）V
DD
= 28伏直流，我
DQ
= 285毫安，
P
OUT
。 = 17.8 W平均， 920 - 960 MHz的EDGE调制
功率增益
漏EF网络效率
误差矢量幅度
频谱再生频率为400 kHz偏移
频谱再生，在600 kHz偏置
G
ps
η
D
EVM
SR1
SR2
—
—
—
—
—
19
42.5
2.1
- 62.5
- 72
—
—
—
—
—
dB
%
RMS ％
dBc的
dBc的
MRFE6S9046NR1 MRFE6S9046GNR1
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
3
R1
V
BIAS
Z7
+
C10
C5
Z9
Z6
C11
C12
V
供应
RF
输入
Z10
Z1
C1
C2
Z2
Z3
C4 Z4
Z5
Z11
Z12
C6
Z13
Z14
C9
Z15
RF
产量
Z8
C3
DUT
C13
C14
C7
C8
Z1
Z2
Z3
Z4
Z5
Z6*
Z7
Z8* Z9*
0.200″
0.196″
0.380″
0.321″
0.039″
0.281″
0.892″
0.751″
x 0.044″
x 0.044″
x 0.044″
x 0.450″
x 0.450″
x 0.040″
x 0.051″
x 0.040″
微带
微带
微带
微带
微带
微带
微带
微带
Z10
Z11
Z12
Z13
Z14
Z15
PCB
0.040 “× 0.450 ”微带
0.321 “× 0.450 ”微带
0.080 “× 0.280 ”微带
0.372 “× 0.044 ”微带
0.124 “× 0.044 ”微带
0.200 “× 0.044 ”微带
罗杰斯R04350 ， 0.020 “ ，
ε
r
= 3.66
*线路长度包括微带弯曲
图2. MRFE6S9046NR1 （ GNR1 ）测试电路原理图 - GSM EDGE参考设计
表6. MRFE6S9046NR1 （ GNR1 ）测试电路组件资证称号，并价值观 - 的GSM EDGE参考设计
部分
C1, C9
C2
C3, C4
C5, C11, C14
C6, C7
C8
C10, C13
C12
R1
描述
56 pF的贴片电容
2.4 pF的贴片电容
6.8 pF的贴片电容
10
μF,
50 V贴片电容
3.3 pF的贴片电容
4.7 pF的贴片电容
39 pF的贴片电容
470
μF,
63 V电解电容
4.7 kΩ的1/4 W贴片电阻
产品型号
ATC600F560BT500XT
ATC600F2R4BT500XT
ATC600F6R8BT500XT
GRM55DR61H106KA88B
ATC600F3R3BT500XT
ATC600F4R7BT500XT
ATC600F390BT500XT
MCGPR63V477M13X26 - RH
CRCW12064701FKEA
生产厂家
ATC
ATC
ATC
村田
ATC
ATC
ATC
MULTICOMP
日前，Vishay
MRFE6S9046NR1 MRFE6S9046GNR1
4
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
V
GS
C10
C5
R1
C12
C11
C1
C2
切出区
C4
C6
C8
C9
C7
C3
TO270 -WB 2 GHz的
修订版3 - 输出
C13
C14
V
DS
TO270 -WB 2 GHz的
第3版 - 输入
图3. MRFE6S9046NR1 （ GNR1 ）测试电路元件布局 - GSM EDGE参考设计
MRFE6S9046NR1 MRFE6S9046GNR1
RF设备数据
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5
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