飞思卡尔半导体公司
技术参数
文档编号： MRFE6P3300H
第2版， 2009年12月
射频功率场效应晶体管
N沟道增强模式横向MOSFET
专为宽带商业和工业应用
频率在470到860兆赫。高增益和宽带性能
该器件的使其非常适用于大信号，共源放大器
应用在32伏的模拟或数字电视发射机设备。
典型的窄带两种-T 1性能@ 860 MHz的： V
DD
= 32伏，
I
DQ
= 1600毫安， P
OUT
= 270瓦特PEP
功率增益 - 20.4分贝
漏极效率 - 44.8 ％
IMD - -28.8 dBc的
能够处理10 ： 1 VSWR ， @ 32 VDC ， 860兆赫， 3分贝高速，
专为增强耐用性
特点
特点等效串联阻抗大信号阻抗参数
内部匹配的易用性
设计仅用于推拉式操作
资格高达32 V ，最大
DD
手术
集成ESD保护
符合RoHS
在磁带和卷轴。 R3后缀=每56毫米， 13英寸卷轴250单位。
R5后缀=每56毫米， 13英寸卷筒50个单位。
MRFE6P3300HR3
860兆赫， 300 W， 32 V
横向N沟道
RF功率MOSFET
CASE 375克-04 ，风格1
NI-860C3
表1.最大额定值
等级
漏源电压
栅源电压
存储温度范围
情况下的工作温度
工作结温
(1,2)
符号
V
DSS
V
GS
T
英镑
T
C
T
J
价值
-0.5, +66
-0.5, +12
-65到+150
150
225
单位
VDC
VDC
°C
°C
°C
表2.热特性
特征
热阻，结到外壳
外壳温度80 ° C， 300瓦CW
外壳温度82 ° C， 220 W CW
外壳温度79 ° C， 100瓦CW
外壳温度81 ° C， 60瓦CW
符号
R
θJC
0.23
0.24
0.27
0.27
价值
(2,3)
单位
° C / W
在最高温度1，连续使用会影响平均无故障时间。
2. MTTF计算器可在http://www.freescale.com/rf 。选择软件&工具/开发工具/计算器访问MTTF
计算器按照产品。
3.请参阅AN1955 ，
射频功率放大器的热测量方法。
去http://www.freescale.com/rf 。
选择文档/应用笔记 - AN1955 。
飞思卡尔半导体公司， 2007-2009 。版权所有。
MRFE6P3300HR3
1
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
表3. ESD保护特性
测试方法
人体模型（每JESD22- A114 ）
机器型号（按照EIA / JESD22- A115 ）
充电器型号（每JESD22- C101 ）
类
3B （最低）
C（最小值）
IV （最低）
表4.电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
特征
开关特性
(1)
零栅极电压漏极漏电流
(4)
(V
DS
= 66伏，V
GS
= 0伏）
零栅极电压漏极漏电流
(4)
(V
DS
= 32 VDC ，V
GS
= 0伏）
栅极 - 源极漏电流
(V
GS
= 5伏，V
DS
= 0伏）
基本特征
(1)
栅极阈值电压
(V
DS
= 10 VDC ，我
D
= 350
μAdc ）
门静态电压
(3)
(V
DD
= 32 VDC ，我
D
= 1600 MADC ，测量功能测试）
漏源电压
(V
GS
= 10 VDC ，我
D
= 2.4 ADC）
动态特性
(1,2)
反向传输电容
(4)
(V
DS
= 32 VDC
±
30毫伏（ RMS） AC @ 1 MHz时，V
GS
= 0伏）
输出电容
(4)
(V
DS
= 32 VDC
±
30毫伏（ RMS） AC @ 1 MHz时，V
GS
= 0伏）
输入电容
(1)
(V
DS
= 32 VDC ，V
GS
= 0伏
±
30毫伏（ RMS） AC @ 1兆赫）
C
RSS
C
OSS
C
国际空间站
—
—
—
1.22
217
1060
—
—
—
pF
pF
pF
V
GS （ TH）
V
GS （ Q）
V
DS （ ON）
1
2
—
2.2
2.8
0.22
3
4
0.3
VDC
VDC
VDC
I
DSS
I
DSS
I
GSS
—
—
—
—
—
—
10
1
1
μAdc
μAdc
μAdc
符号
民
典型值
最大
单位
功能测试
(3)
（飞思卡尔窄带测试夹具， 50欧姆系统）V
DD
= 32 VDC ，我
DQ
= 1600毫安， P
OUT
= 270 W PEP ，
F1 = 857兆赫， F2 = 863 MHz的
功率增益
漏EF网络效率
互调失真
输入回波损耗
1.
2.
3.
4.
该装置的每一侧分别测得。
部分内部对输入和输出匹配两种。
用设备在推挽式结构的测量进行。
水渠是在内部联系在一起，因为这是一个总的元件值。
G
ps
η
D
IMD
IRL
19
41
—
—
20.4
44.8
-28.8
-18.4
23
—
-27
-9
dB
%
dBc的
dB
MRFE6P3300HR3
2
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
R1
V
BIAS
B1
+
R3
COAX1
Z4
Z2
RF
输入
Z1
C4
Z3
C5
R2
COAX2
V
BIAS
+
C9
C7
C8
C24
+
C19
C20
+
C22
C21
B2
Z5
C13
Z20
Z11
COAX4
V
供应
C6
Z7
DUT
C10 C11
C12
Z6
Z8
C1
C2
C3
Z19
Z10
Z12
Z14
Z16
C14
RF
产量
Z18
C23
+
C15
C16
+
C18
C17
V
供应
COAX3
Z9
Z13
Z15
Z17
Z1
Z2, Z3
Z4, Z5
Z6, Z7
Z8, Z9
Z10, Z11
0.401 “× 0.081 ”微带
0.563 “× 0.101 ”微带
1.186 “× 0.058 ”微带
0.416 “× 0.727 ”微带
0.191 “× 0.507 ”微带
1.306 “× 0.150 ”微带
Z12, Z13
Z14, Z15
Z16, Z17
Z18
Z19, Z20
PCB
0.225 “× 0.507 ”微带
0.440 “× 0.435 ”微带
0.123 “× 0.215 ”微带
0.401 “× 0.081 ”微带
0.339 “× 0.165 ”微带
阿尔隆CuClad 250GX - 0300-55-22 ， 0.030 “ ，
ε
r
= 2.5
图1： 820-900 MHz的窄带测试电路原理图
表5. 820-900 MHz的窄带测试电路元件牌号和值
部分
B1, B2
C1, C9
C2, C7, C17, C21
C3, C8, C16, C20
C4, C5, C13, C14
C6, C12
C10
C11
C15, C19
C18, C22
C23, C24
COAX1 ， 2，3， 4
R1, R2
R3
描述
铁氧体磁珠，短
1.0
μF,
50 V Tantulum贴片电容
0.1
μF,
50 V贴片电容
1000 pF的贴片电容
100 pF的贴片电容
8.2 pF的贴片电容
9.1 pF的贴片电容
1.8 pF的贴片电容
47
μF,
50 V电解电容器
470
μF,
63 V电解电容器
22 pF的贴片电容
50
Ω,
半刚性同轴电缆， 2.06 “长
10
Ω,
1/4 W贴片电阻
1 kΩ的1/4 W贴片电阻
产品型号
2743019447
T491C105K050AT
CDR33BX104AKYS
ATC100B102JT50XT
ATC100B101JT500XT
ATC100B8R2JT500XT
ATC100B9R1BT500XT
ATC100B1R8BT500XT
EMVY500ADA470MF80G
ESME630ELL471MK25S
ATC100B220FT500XT
UT-141A-TP
CRCW120610R0FKEA
CRCW12061001FKEA
基美
基美
ATC
ATC
ATC
ATC
ATC
日本
美贵弥功
ATC
微同轴电缆
日前，Vishay
日前，Vishay
生产厂家
商Fair-Rite
MRFE6P3300HR3
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
3
C1
C23
V
GG
R3
C2 C3
R1
B1
C15
C18
V
DD
C16
C17
COAX1
COAX3
MRF6P9220 ，第2版
C4
切出区
C14
C12
C5
C6
C10 C11
C13
COAX2
COAX4
R2
V
GG
C7
C8
B2
C24
C20
V
DD
C21
C22
C9
C19
图2： 820-900 MHz的窄带测试电路元件布局
MRFE6P3300HR3
4
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
典型窄带特性
21
20.5
20
G
ps
，功率增益（分贝）
19.5
19
18.5
18
17.5
ACP -L
ACP -U
840
850
IRL
860
870
880
890
-65
900
-20
V
DD
= 32 VDC ，P
OUT
= 60瓦（平均）。
I
DQ
= 1600毫安， 8K模式OFDM
64 QAM数据载波调制
5符号
G
ps
25
-45
ACPR （ DBC）
-50
-55
-60
η
D
，沥干
效率（％）
0
-5
-10
-15
η
D
，沥干
效率（％）
0
ACPR （ DBC）
-5
-10
-15
-20
I
DQ
= 800毫安
1200毫安
IRL ，输入回波损耗（分贝）
2400毫安
2000毫安
1600毫安
-6 0
1
10
100
600
1
10
100
600
P
OUT
，输出功率（瓦）人教版
P
OUT
，输出功率（瓦）人教版
IRL ，输入回波损耗（分贝）
η
D
31
29
27
17
820
830
男，频率（MHz）
图3.单载波的OFDM宽带性能
@ 60瓦的魅力。
20.5
20
19.5
G
ps
，功率增益（分贝）
19
18.5
18
17.5
17
16.5
820
830
840
850
860
870
880
890
男，频率（MHz）
IRL
G
ps
V
DD
= 32 VDC ，P
OUT
= 120 W（平均）。
I
DQ
= 1600毫安， 8K模式OFDM
64 QAM数据载波调制
5符号
ACP -U
ACP -L
η
D
44
42
40
38
-40
-45
-50
-55
-60
900
图4.单载波OFDM宽带性能
@ 120瓦的魅力。
21
I
DQ
= 2400毫安
20
G
ps
，功率增益（分贝）
2000毫安
19
1600毫安
1200毫安
18
800毫安
17
V
DD
= 32 VDC ， F1 = 857兆赫， F2 = 863 MHz的
双色测量， 6 MHz的音调间隔
16
IMD ，三阶
互调失真（ DBC）
-1 0
V
DD
= 32 VDC ， F1 = 857兆赫， F2 = 863 MHz的
双色测量， 6 MHz的音调间隔
-2 0
-3 0
-4 0
-5 0
图5.两个-T 1功率增益与
输出功率
图6.三阶互调失真
与输出功率
MRFE6P3300HR3
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
5
飞思卡尔半导体公司
技术参数
文档编号： MRFE6P3300H
第0版，第5/2007号
射频功率场效应晶体管
N - 沟道增强 - 模式横向MOSFET
专为宽带商业和工业应用
频率在470到860兆赫。高增益和宽带性能
该器件的使其非常适用于大型 - 信号，常见的 - 源极放大器
应用在32伏的模拟或数字电视发射机设备。
典型的窄带两个 - 音频性能@ 860 MHz的： V
DD
= 32伏，
I
DQ
= 1600毫安， P
OUT
= 270瓦特PEP
功率增益 - 20.4分贝
漏极效率 - 44.8 ％
IMD - - 28.8 dBc的
能够处理10 ： 1 VSWR ， @ 32 VDC ， 860兆赫， 3分贝高速，
专为增强耐用性
特点
特点等效串联阻抗大 - 信号阻抗参数
内部匹配的易用性
专为推 - 拉操作仅
资格高达32 V ，最大
DD
手术
集成ESD保护
符合RoHS
在磁带和卷轴。 R3后缀=每56毫米， 13英寸卷轴250单位。
R5后缀=每56毫米， 13英寸卷筒50个单位。
MRFE6P3300HR3
MRFE6P3300HR5
860兆赫， 300 W， 32 V
横向N - CHANNEL
RF功率MOSFET
CASE 375克 - 04 ，风格1
NI - 860C3
表1.最大额定值
等级
漏 - 源极电压
栅 - 源电压
存储温度范围
情况下的工作温度
工作结温
(1,2)
符号
V
DSS
V
GS
T
英镑
T
C
T
J
价值
- 0.5, +66
- 0.5, +12
- 65 + 150
150
225
单位
VDC
VDC
°C
°C
°C
表2.热特性
特征
热阻，结到外壳
外壳温度80 ° C， 300瓦CW
外壳温度82 ° C， 220 W CW
外壳温度79 ° C， 100瓦CW
外壳温度81 ° C， 60瓦CW
符号
R
θJC
价值
(2,3)
0.23
0.24
0.27
0.27
单位
° C / W
在最高温度1，连续使用会影响平均无故障时间。
2. MTTF计算器可在http://www.freescale.com/rf 。选择工具/软件/应用软件/计算器访问
平均无故障时间计算器副产品。
3.请参阅AN1955 ，
射频功率放大器的热测量方法。
去http://www.freescale.com/rf 。
选择文档/应用笔记 - AN1955 。
飞思卡尔半导体公司， 2007。保留所有权利。
MRFE6P3300HR3 MRFE6P3300HR5
1
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
表3. ESD保护特性
测试方法
人体模型（每JESD22 - A114 ）
机器型号（每EIA / JESD22 - A115 ）
充电器型号（每JESD22 - C101 ）
类
3B （最低）
C（最小值）
IV （最低）
表4.电气特性
(T
C
= 25 ° C除非另有说明）
特征
开关特性
(1)
零栅极电压漏极漏电流
(4)
(V
DS
= 66伏，V
GS
= 0伏）
零栅极电压漏极漏电流
(4)
(V
DS
= 32 VDC ，V
GS
= 0伏）
门 - 源极漏电流
(V
GS
= 5伏，V
DS
= 0伏）
基本特征
(1)
栅极阈值电压
(V
DS
= 10 VDC ，我
D
= 350
μAdc ）
门静态电压
(3)
(V
DD
= 32 VDC ，我
D
= 1600 MADC ，测量功能测试）
漏极 - 源极导 - 电压
(V
GS
= 10 VDC ，我
D
= 2.4 ADC）
动态特性
(1,2)
反向传输电容
(4)
(V
DS
= 32 VDC
±
30毫伏（ RMS） AC @ 1 MHz时，V
GS
= 0伏）
输出电容
(4)
(V
DS
= 32 VDC
±
30毫伏（ RMS） AC @ 1 MHz时，V
GS
= 0伏）
输入电容
(1)
(V
DS
= 32 VDC
±
30毫伏（ RMS） AC @ 1 MHz时，V
GS
= 0伏）
C
RSS
C
OSS
C
国际空间站
—
—
—
1.22
217
106
—
—
—
pF
pF
pF
V
GS （ TH）
V
GS （ Q）
V
DS （ ON）
1
2
—
2.2
2.8
0.22
3
4
0.3
VDC
VDC
VDC
I
DSS
I
DSS
I
GSS
—
—
—
—
—
—
10
1
1
μAdc
μAdc
μAdc
符号
民
典型值
最大
单位
功能测试
(3)
（飞思卡尔窄带测试夹具， 50欧姆系统）V
DD
= 32 VDC ，我
DQ
= 1600毫安， P
OUT
= 270 W PEP ，
F1 = 857兆赫， F2 = 863 MHz的
功率增益
漏EF网络效率
互调失真
输入回波损耗
1.
2.
3.
4.
该装置的每一侧分别测得。
部分内部对输入和输出匹配两种。
测量与制作设备推 - 拉配置。
水渠是在内部联系在一起，因为这是一个总的元件值。
G
ps
η
D
IMD
IRL
19
41
—
—
20.4
44.8
- 28.8
- 18.4
23
—
- 27
-9
dB
%
dBc的
dB
MRFE6P3300HR3 MRFE6P3300HR5
2
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
R1
V
BIAS
B1
+
R3
COAX1
Z4
Z2
RF
输入
Z1
C4
Z3
C5
R2
COAX2
V
BIAS
+
C9
C7
C8
C24
+
C19
C20
+
C22
C21
B2
Z5
C13
Z20
Z11
COAX4
V
供应
C6
Z7
DUT
C10 C11
C12
Z6
Z8
C1
C2
C3
Z19
Z10
Z12
Z14
Z16
C14
RF
产量
Z18
C23
+
C15
C16
+
C18
C17
V
供应
COAX3
Z9
Z13
Z15
Z17
Z1, Z18
Z2, Z3
Z4, Z5
Z6, Z7
Z8, Z9
Z10, Z11
0.401″
0.563″
1.013″
0.416″
0.191″
1.054″
x 0.081″
x 0.101″
x 0.058″
x 0.727″
x 0.507″
x 0.150″
微带
微带
微带
微带
微带
微带
Z12, Z13
Z14, Z15
Z16, Z17
Z19, Z20
PCB
0.225 “× 0.507 ”微带
0.440 “× 0.435 ”微带
0.123 “× 0.215 ”微带
0.165 “× 0.339 ”微带
阿尔隆GX - 0300 - 55 - 22 ， 0.030 “ ，
ε
r
= 2.5
图1： 820 - 900 MHz的窄带测试电路原理图
表5. 820 - 900 MHz的窄带测试电路元件牌号和值
部分
B1, B2
C1, C9
C2, C7, C17, C21
C3, C8, C16, C20
C4, C5, C13, C14
C6, C12
C10
C11
C15, C19
C18, C22
C23, C24
COAX1 ， 2，3， 4
R1, R2
R3
描述
铁氧体磁珠，短
1.0
μF,
50 V Tantulum贴片电容
0.1
μF,
50 V贴片电容
1000 pF的贴片电容
100 pF的贴片电容
8.2 pF的贴片电容
9.1 pF的贴片电容
1.8 pF的贴片电容
47
μF,
50 V电解电容器
470
μF,
63 V电解电容器
22 pF的贴片电容
50
Ω,
半刚性同轴电缆， 2.06 “长
10
Ω,
1/4 W贴片电阻
1 kΩ的1/4 W贴片电阻
产品型号
2743019447
T491C105K050AT
CDR33BX104AKYS
ATC100B102JT50XT
ATC100B101JT500XT
ATC100B8R2JT500XT
ATC100B9R1BT500XT
ATC100B1R8BT500XT
EMVY500ADA470MF80G
ESME630ELL471MK255
ATC100B220FT500XT
UT - 141A - TP
CRCW120610R0FKTA
CRCW12061001FKTA
基美
基美
ATC
ATC
ATC
ATC
ATC
日本
美贵弥功 - 精读
ATC
微 - 同轴电缆
日前，Vishay
日前，Vishay
生产厂家
博览会 - 爱色丽
MRFE6P3300HR3 MRFE6P3300HR5
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
3
C1
C23
V
GG
R3
C2 C3
R1
B1
C15
C18
V
DD
C16
C17
COAX1
COAX3
MRF6P9220 ，第2版
C4
切出区
C14
C12
C5
C6
C10 C11
C13
COAX2
COAX4
R2
V
GG
C7
C8
B2
C24
C20
V
DD
C21
C22
C9
C19
图2： 820 - 900 MHz的窄带测试电路元件布局
MRFE6P3300HR3 MRFE6P3300HR5
4
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
典型窄带特性
21
20.5
G
ps
，功率增益（分贝）
20
19.5
19
18.5
18
17.5
ACP -L
ACP -U
840
850
IRL
860
870
880
890
65
900
20
V
DD
= 32 VDC ，P
OUT
= 60瓦（平均）。
I
DQ
= 1600毫安， 8K模式OFDM
64 QAM数据载波调制
5符号
G
ps
25
45
ACPR （ DBC）
50
55
60
η
D
，沥干
效率（％）
0
5
10
15
η
D
，沥干
效率（％）
0
ACPR （ DBC）
5
10
15
20
I
DQ
= 800毫安
1200毫安
IRL ，输入回波损耗（分贝）
2400毫安
2000毫安
1600毫安
60
1
10
100
600
1
10
100
600
P
OUT
，输出功率（瓦）人教版
P
OUT
，输出功率（瓦）人教版
η
D
31
29
27
17
820
830
男，频率（MHz）
图3.单 - 载波OFDM宽带性能
@ 60瓦的魅力。
20.5
20
19.5
G
ps
，功率增益（分贝）
19
18.5
18
17.5
17
16.5
820
830
840
850
860
870
880
890
男，频率（MHz）
IRL
G
ps
V
DD
= 32 VDC ，P
OUT
= 120 W（平均）。
I
DQ
= 1600毫安， 8K模式OFDM
64 QAM数据载波调制
5符号
ACP -U
ACP -L
η
D
44
42
40
38
40
45
50
55
60
900
图4.单 - 载波OFDM宽带性能
@ 120瓦的魅力。
21
I
DQ
= 2400毫安
20
G
ps
，功率增益（分贝）
2000毫安
19
1600毫安
1200毫安
18
800毫安
17
V
DD
= 32 VDC ， F1 = 857兆赫， F2 = 863 MHz的
两个-Tone测量， 6 MHz的音调间隔
16
IMD ，三阶
互调失真（ DBC）
10
V
DD
= 32 VDC ， F1 = 857兆赫， F2 = 863 MHz的
两个-Tone测量， 6 MHz的音调间隔
20
30
40
50
图5.两个 - 音频功率增益与
输出功率
图6.三阶互调失真
与输出功率
MRFE6P3300HR3 MRFE6P3300HR5
RF设备数据
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5
IRL ，输入回波损耗（分贝）
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