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超前信息
射频小信号线
砷化镓PHEMT
MRF9822T1
31 dBm时, 850 MHz的
高频
功率晶体管
砷化镓PHEMT
假晶高电子迁移率晶体管
在低电压设计使用,中等功率的放大器,如便携式
模拟和数字蜂窝无线电和PC RF调制解调器。
性能规格在3.5 V , 850 MHz的:
输出功率= 31 dBm的最小值
功率增益= 11 dB典型值
效率= 70%以上
1 :在负载VSWR = 20保证耐用性
新的塑料表面贴装封装
可在磁带和卷轴包装选项:
每卷T1后缀= 1000单位
器件标识= 9822
CASE 449-02 ,风格1
(PLD–1)
最大额定值
等级
漏极 - 栅极电压
栅源电压
漏电流 - 连续
器件总功耗@ TC = 50℃
减免上述50℃
存储温度范围
工作温度范围
符号
VDGO
VGS
ID
PD
TSTG
TJ
价值
12
–6
3
10
100
- 65 + 150
150
单位
VDC
VDC
ADC
W
毫瓦/°C的
°C
°C
热特性
特征
热阻,结到外壳
符号
R
θJC
最大
10
单位
° C / W
电气特性
( TC = 25° C除非另有说明)
特征
符号
民
典型值
最大
单位
开关特性
漏极 - 栅极击穿电压
(ID = 1.5 mA)的
断态泄漏电流
( VDS = 5.5 V , VGS = -2 。 6 V )
门源漏电流
( VGS = -2 。 6 V )
BVGDO
IDS ( OFF )
IGSS
12
–
–
–
–
–
–
3
10
VDC
mA
μAdc
注 -
小心
- MOS器件容易受到由静电荷的损害。在处理合理的预防措施,并
包装MOS器件应观察。
摩托罗拉RF设备数据
摩托罗拉1997年公司
MRF9822T1
1
电气特性 - 续
( TC = 25° C除非另有说明)
特征
符号
民
典型值
最大
单位
基本特征
栅极阈值电压
( VDS = 3.5V, ID = 150 mA)的
正向跨导
(VDS = 6伏, ID = 200 mA)的
饱和漏极电流
( VGS = 0.0 V, VDS = 1.5 V)
VGS ( TH)
政府飞行服务队
IDSS
– 1.5
–
1.8
–
1.5
2.5
– 0.5
–
–
VDC
姆欧
A
功能特点
功率增益
( VDD = 3.5伏,针脚= 20 dBm时, IDQ = 150 mA时, F = 850兆赫)
漏EF网络效率
( VDD = 3.5伏,针脚= 20 dBm时, IDQ = 150 mA时, F = 850兆赫)
全球定位系统
η
D
10.5
65
11
70
–
–
dB
%
L1
VGATE
C6
C7
C8
L3
L4
C9
C10
C11
C12
R1
L2
产量
C1
输入
Z1
C2
C3
0.75 “× 0.65 ”陶瓷基板
Z2
Z3
DUT
Z4
Z5
C4
Z6
C5
C13
C1, C13
C2
C3
C4
C5
C6, C12
C7, C8, C9, C10, C11
L1, L4
1000 PF,空管“B”系列
2.7 pF的,空管“B”系列
2.7 pF的,空管“B”系列
7.5 pF的,空管“B”系列
33 pF的,空管“B”系列
47
F,
陶瓷的
0.05
F
芯片
VK - 200 4开启式铁氧体磁珠
L2
7转弯, AWG # 18 , 0.09 “内径,关闭伤口
L3
在1/2“ AWG # 16 3铁氧体磁珠
R1
680
,
1/8瓦引线
Z1
0.075 “× 0.790 ”微带
Z2
0.075 “× 0.09 ”微带
Z3, Z4
0.075 “ ×0.25 ”微带
Z5
0.075 “× 0.09 ”微带
Z6
0.075 “× 0.53 ”微带
衬底材料: 0.05 ,聚四氟乙烯/玻璃,
ε
R = 2.55 , 2盎司立方米。
图1. 850 MHz的测试夹具示意图
表1.大信号阻抗
VDD = 3.5V,针脚= 20 dBm时, IDQ = 150毫安
f
兆赫
850
寻
欧
5.0 – j6.3
ZOL *
欧
5.5 – j1.2
OL *是最佳负载的共轭
阻抗器件输出操作成
在一个给定的输出功率,电压和频率。
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2
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数据表和/或特定网络阳离子可以和做不同的应用和实际性能可能会随时间而变化。所有的操作参数,包括“典型”
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