【飞思卡尔半导体公司技术参数文档编号： MRF9582NT1第1版，第7/2006硅侧FET ，N -】,IC型号MRF9582NT1,MRF9582NT1 PDF资料,MRF9582NT1经销商,ic,电子元器件-51电子网

飞思卡尔半导体公司

技术参数

文档编号： MRF9582NT1

第1版，第7/2006

硅侧FET ，N - 通道

增强 - 模式MOSFET

专为中压利用，中等功率放大器，如

便携式模拟和数字蜂窝无线电和PC RF调制解调器。

典型CW RF性能@ 849 MHz的： V

= 12.5伏特，我

= 300毫安，

OUT

= 38 dBm的

功率增益 - 10.5分贝

漏极效率 - 55 ％

能够处理10 ： 1 VSWR ， @ 12.5伏， 849兆赫， 38 dBm的

符合RoHS

在磁带和卷轴。 T1后缀=每12毫米1000台， 7英寸的卷轴

MRF9582NT1

849兆赫， 38 dBm时， 12.5 V

高频

功率晶体管

LDMOS FET

CASE 449 - 02 ，风格1

PLD - 1

表1.最大额定值

等级

漏 - 源极电压

漏极 - 栅极电压（R

= 1.0 MΩ)

栅 - 源电压

漏电流 - 连续

器件总功耗@ T

= 85°C

存储温度范围

工作结温

符号

DSS

DGO

英镑

价值

4.0

1.5

10.5

- 65 150

150

单位

VDC

ADC

°C

表2.热特性

特征

热阻，结 - 到 - 案例

符号

θJC

等级

价值

单位

° C / W

单位

°C

表3.湿度敏感度等级

测试方法

每JESD 22 - A113 ， IPC / JEDEC J - STD - 020

封装峰值温度

260

注 -

小心

- MOS器件容易受到由静电荷的损害。在处理合理的预防措施，并

包装MOS器件应观察。

MRF9582NT1

RF设备数据

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表4.电气特性

= 25 ℃，除非另有说明）

特征

开关特性

漏 - 源极击穿电压（V

= 0, I

= 100 NADC ）

漏 - 源极漏电流（V

= 12.5伏，V

= 0)

门 - 源极漏电流（V

= 5伏，V

= 0)

基本特征

栅极阈值电压

电阻漏 - 源极（V

= 5 VDC ，我

= 300 mA）的

动态特性

输入电容（V

= 12.5伏，V

= 0中，f = 1.0 MHz）的

输出电容（V

= 12.5伏，V

= 0中，f = 1.0 MHz）的

反馈电容（V

= 12.5伏，V

= 0中，f = 1.0 MHz）的

典型特征

功率增益（V

= 12.5伏，P

= 27.5 dBm时， F = 849兆赫）

漏极效率（V

= 12.5伏，P

= 27.5 dBm时， F = 849兆赫）

输出功率

OUT

—

10.5

—

DBM

国际空间站

OSS

RSS

—

30.77

15.6

0.82

—

DS （ ON）

—

0.05

2.4

0.5

—

0.8

VDC

（ BR ） DSS

DSS

GSS

—

100

VDC

NADC

符号

民

典型值

最大

单位

MRF9582NT1

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典型特征

39.5

输出功率（dBm ）

13.75 V

38.5

37.5

820

11.25 V

= 27.5 dBm的

= 25°C

= 2.4 V

830

835

840

845

850

855

男，频率（MHz）

12.50 V

效率（％）

820

= 27.5 dBm的

= 25°C

= 2.4 V

13.75 V

12.50 V

11.25 V

825

830

835

840

845

850

855

男，频率（MHz）

图1.输出功率与频率

图2.效率与频率

，静态电流（毫安）

35°C

400

350

300

250

200

150

100

820

35°C

825

830

835

840

845

850

855

25°C

85°C

输出功率（dBm ）

38.8

38.6

25°C

38.4

38.2

820

85°C

= 27.5 dBm的

= 12.5 V

= 2.4 V

825

830

835

840

845

850

855

= 27.5 dBm的

= 12.5 V

= 2.4 V

男，频率（MHz）

图3.输出功率与频率

图4.静态电流与频率

MRF9582NT1

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F = 849 MHz的

来源

= 5

负载

F = 849 MHz的

= 12.5伏，我

= 300毫安， P

OUT

= 38 dBm的

兆赫

849

来源

负载

来源

2.5 + j0.5

负载

2.5 - j2.5

通过测量测试电路的阻抗

栅极接地。

测量测试电路的阻抗

从漏极到地。

输入

匹配

网

设备

下

TEST

产量

匹配

网

来源

负载

图5.等效串联阻抗源和负载阻抗

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笔记

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联系人：销售部

地址：门市：上海市黄浦区北京东路668号科技京城电子市场K室//科技京城电子市场T房

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