摩托罗拉
半导体技术资料
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通过MRF927T1 / D
射频小信号线
NPN硅低电压，
低电流，低噪声，
高频晶体管
专为使用低电压，低电流应用的频率
2.0 GHz的。专门针对诸如便携式通信设备
寻呼机和手提电话。
高增益（ GUmax 15分贝典型值@ 1.0 GHz）的@ 1.0毫安
小型，表面贴装封装（ SC- 70 ）
高电流增益带宽积在低电流，
低电压（F
τ
= 8.0 GHz的典型值@ 3.0 V ，5.0 mA）的
可在磁带和卷轴加入T1或T3后缀型号。
T1后缀=每8毫米， 7英寸卷轴3000单位。
T3后缀=每8毫米， 7英寸的卷轴万台。
MRF927T1
MRF927T3
IC = 10毫安
低噪音
高频
晶体管
CASE 419-02 ，花柱3
(SC–70/SOT–323)
最大额定值
等级
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极 - 基极电压
连续集电极电流 -
器件总功耗@ TC = 50℃
减免上述50℃
存储温度范围
工作温度范围
符号
VCEO
VCBO
VEBO
IC
PD
TSTG
TJ
价值
10
20
2.5
10
100
1.0
- 55 + 150
150
单位
VDC
VDC
VDC
MADC
mW
毫瓦/°C的
°C
°C
热特性
特征
热阻，结到外壳
符号
R
θJC
价值
1000
单位
° C / W
器件标识
MRF927T1 = F
REV 1
摩托罗拉RF
摩托罗拉1997年公司
设备数据
MRF927T1 MRF927T3
1
电气特性
（ TC = 25° C除非另有说明）
特征
开关特性
集电极 - 发射极击穿电压
（ IC = 0.1 mA时， IB = 0 mA时）
集电极 - 基极击穿电压
（IC = 0.1毫安，IE = 0）
发射极 - 基极击穿电压
（IE = 0.1毫安， IC = 0）
发射Cuto FF电流
（ VEB = 1.0伏， IC = 0 ）
基本特征
直流电流增益
（ VCE = 1.0伏， IC = 0.5 mA）的
动态特性
集电极 - 基极电容
（ VCB = 1.0伏， IE = 0 ， F = 1.0兆赫）
电流增益带宽积
（ VCE = 3.0伏， IE = 5.0 mA时， F = 1.0千兆赫）
性能特点
噪声系数 - 最小
（ VCE = 1.0伏， IC = 1.0 mA时， F = 1000兆赫）
在最小噪声系数相关增益
（ VCE = 1.0伏， IC = 1.0 mA时， F = 1000兆赫）
最大单向增益
（ VCE = 1.0伏， IC = 1.0 mA时， F = 1000兆赫）
插入增益
（ VCE = 1.0伏， IC = 1.0 mA时， F = 1000兆赫）
抗噪声能力
（ VCE = 1.0伏， IC = 1.0 mA时， F = 1000兆赫）
NFmin
科幻gure 3
GNF
科幻gure 3
GUmax
|S212|
RN
—
—
—
15
8.0
62
—
—
—
dB
dB
欧
—
9.8
—
dB
—
1.7
—
dB
建行
f
τ
—
—
0.33
8.0
—
—
pF
GHz的
的hFE
50
—
200
—
V（ BR ） CEO
V（ BR ） CBO
V（ BR ） EBO
IEBO
10
20
1.5
—
—
—
—
—
—
—
—
0.1
VDC
VDC
VDC
A
符号
民
典型值
最大
单位
MRF927T1 MRF927T3
2
摩托罗拉RF设备数据
QQ：2881677436 复制
