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飞思卡尔半导体公司
技术参数
文档编号: MRF9200L
第3版, 5/2006
射频功率场效应晶体管
N - 沟道增强 - 模式横向的MOSFET
专为宽带商业和工业应用
频率为1000兆赫。高增益和它们的宽带性能
装置使它们非常适用于大型 - 信号,常见的 - 源极放大器的应用
系统蒸发散在26伏基站设备。
典型的单 - 载波N - CDMA性能@ 880 MHz的: V
DD
= 26伏,
I
DQ
= 2400毫安,P
OUT
。 = 40瓦的魅力, IS - 95 CDMA (先导,同步,寻呼,
交通守则8 13 ) 。信道带宽= 1.2288兆赫。
峰值/平均。 = 9.8分贝@ CCDF上0.01 %的概率。
功率增益 - 17.5分贝
漏极效率 - 25 %
ACPR @ 750 kHz偏置 - - 46.5 dBc的30 kHz带宽
能够处理10 : 1 VSWR , @ 26伏直流电, 880兆赫, 40瓦CW
输出功率
特点
特点等效串联阻抗大 - 信号阻抗参数
内部匹配的易用性
集成ESD保护
较低的镀金厚度上信息, 40
μ
标称。
符合RoHS
在磁带和卷轴。 R3后缀=每56毫米, 13英寸卷轴250单位。
MRF9200LR3
MRF9200LSR3
880兆赫, 40瓦平均, 26 V
单N - CDMA
横向N - CHANNEL
RF功率MOSFET
CASE 465B - 03 ,风格1
NI - 880
MRF9200LR3
CASE 465℃ - 02 ,风格1
NI - 880
MRF9200LSR3
表1.最大额定值
等级
漏源电压
栅 - 源电压
器件总功耗@ T
C
= 25°C
减免上述25℃
存储温度范围
情况下的工作温度
工作结温
符号
V
DSS
V
GS
P
D
T
英镑
T
C
T
J
价值
- 0.5, +65
- 0.5, +15
625
3.6
- 65 + 150
150
200
单位
VDC
VDC
W
W / ℃,
°C
°C
°C
表2.热特性
特征
热阻,结到外壳
外壳温度60 ° C, 200瓦CW
外壳温度80 ° C, 40瓦CW
符号
R
θJC
价值
(1,2)
0.28
0.34
单位
° C / W
1. MTTF计算器可在http://www.freescale.com/rf 。选择工具/软件/应用软件/计算器来
按产品访问MTTF计算器。
2.请参阅AN1955 ,
射频功率放大器的热测量方法。
去http://www.freescale.com/rf 。
选择文档/应用笔记 - AN1955 。
飞思卡尔半导体公司, 2006年。保留所有权利。
MRF9200LR3 MRF9200LSR3
1
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
表3. ESD保护特性
测试条件
人体模型(每JESD22 - A114 )
机器型号(每EIA / JESD22 - A115 )
充电器型号(每JESD22 - C101 )
1C (最低)
B(最低)
IV (最低)
表4.电气特性
(T
C
= 25 ° C除非另有说明)
特征
开关特性
零栅极电压漏极漏电流
(V
DS
= 65伏,V
GS
= 0伏)
零栅极电压漏极漏电流
(V
DS
= 26伏,V
GS
= 0伏)
栅源漏电流
(V
GS
= 5伏,V
DS
= 0伏)
基本特征
栅极阈值电压
(V
DS
= 10 VDC ,我
D
= 100
μAdc )
门静态电压
(V
DS
= 26伏直流,我
D
= 2400 MADC )
漏源开 - 电压
(V
GS
= 10 VDC ,我
D
= 6.0 ADC)
正向跨导
(V
DS
= 10 VDC ,我
D
= 6.7 ADC)
动态特性
(1)
反向传输电容
(V
DS
= 26伏直流
±
30毫伏( RMS) AC @ 1 MHz时,V
GS
= 0伏)
C
RSS
2.5
pF
V
GS ( TH)
V
GS ( Q)
V
DS ( ON)
g
fs
1.5
3
2.7
3.7
0.25
8.8
3.5
4.5
0.4
VDC
VDC
VDC
S
I
DSS
I
DSS
I
GSS
10
1
1
μAdc
μAdc
μAdc
符号
典型值
最大
单位
功能测试
(飞思卡尔测试夹具, 50欧姆系统)V
DD
= 26伏直流,我
DQ
= 2400毫安,P
OUT
= 40瓦的魅力。 N - CDMA ,
F = 880 MHz的单 - 载波N - CDMA , 1.2288 MHz信道带宽的载体。 ACPR测量在30 kHz的信道带宽@
±750
千赫
抵消。峰值/平均。 = 9.8分贝@ CCDF上0.01 %的概率。
功率增益
漏EF网络效率
相邻通道功率比
输入回波损耗
1.部分内部对输入和输出匹配两种。
G
ps
η
D
ACPR
IRL
16
22
17.5
25
- 46.5
- 13
- 45
-9
dB
%
dBc的
dB
MRF9200LR3 MRF9200LSR3
2
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
R3
R2
V
BIAS
+
C34
Z1
Z2
Z3
C2
R1
C1
L1
C3
C4
C5
C6
C8
+
C33
Z4
+
C32
Z5
C31
Z6
C30
Z7
C29
Z8
B2
B1
RF
输入
Z9
Z10
C7 Z11
DUT
+
C19
L2
C15
Z12
C10
C11
C12
C14
C16
C9
Z13
Z14
Z15
C13
Z16
Z17
C20
C21
C22
C23
+
C24
+
C25
+
C26
+
C27
+
C28
V
供应
Z18
RF
产量
C17
C18
Z1
Z2
Z3
Z4
Z5
Z6
Z7
0.015 “× 0.083 ”微带
0.048 “× 0.083 ”微带
0.352 “× 0.083 ”微带
0.086 “× 0.050 ”微带
0.367 “× 0.050 ”微带
0.417 “× 0.115 ”微带
0.068 “× 0.397 ”微带
Z8
Z9
Z10
Z11
Z12
Z13
0.335 “× 0.397 ”微带
0.134 “× 0.825 ”× 0.090 “锥
0.209 “× 0.825 ”微带
0.148 “× 0.825 ”微带
0.148 “× 0.750 ”微带
0.435 “× 0.750 ”微带
Z14
Z15
Z16
Z17
Z18
PCB
0.197 “× 0.750 ”× 0.111 “锥
0.331 “× 0.115 ”微带
0.557 “× 0.830 ”微带
0.078 “× 0.830 ”微带
0.414 “× 0.750 ”微带
阿尔隆, 0.030 “ ,
ε
r
= 2.56
图1. MRF9200LR3 ( SR3 )测试电路原理图
MRF9200LR3 MRF9200LSR3
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
3
C24 C26
C34
V
GG
C31
C30
C5
R1
C2 C3
C33
C32
R2
R3
B2
B1
C29
切出区
C7
C9
C11
L2
C19
C10
C14
C16
C23
V
DD
C22
C21
C27
C20
C28
C17
C13 C15
C25
C1
L1
C4
C6
C8
C18
C12
MRF9200漏
牧师3A
MRF9200漏
3B牧师
飞思卡尔已经开始标记印刷电路板(PCB )的过渡与飞思卡尔半导体
签名/标志。多氯联苯可能有过渡期间无论是摩托罗拉,飞思卡尔标记。这些变化将产生
在外形,装配或现有产品的功能没有任何影响。
图2. MRF9200LR3 ( SR3 )测试电路元件布局
表5. MRF9200LR3 ( SR3 )测试电路元件牌号和值
部分
B1
B2
C1
C2, C19
C3
C4, C18
C5
C6, C12
C7, C8
C9, C10
C11
C13
C14, C17
C15, C16
C20
C21, C22, C31
C23
C24, C25, C26, C27
C28
C29
C30
C32, C33
C34
L1
L2
R1
R2, R3
描述
RF珠,表面贴装( 0603 )
RF珠,表面贴装( 0805 )
2.2 pF的贴片电容( 0603 )
47 pF的片式电容器( 0805 )
2.0 pF的贴片电容( 0603 )
0.4 2.5 pF的可变电容器
8.2 pF的贴片电容( 0603 )
0.8- 8.0 pF的可变电容器
12 pF的片式电容器( 0603 )
10 pF的片式电容器( 0805 )
5.1 pF的贴片电容( 0805 )
3.3 pF的贴片电容( 0805 )
1.5 pF的片式电容器( 0805 )
22 pF的片式电容器( 0805 )
0.56
μF
贴片电容( 1825 )
2.2
μF
片式电容器( 1825 )
10
μF,
50 V钽贴片电容器
22
μF,
35 V片式钽电容器
330
μF,
63 V电解电容
10
μF
贴片电容( 1206 )
0.01
μF
贴片电容( 1825 )
22
μF,
25 V片式钽电容器
47
μF,
16 V钽贴片电容器
22 nH的贴片电感( 0805 )
8 nH的电感器
510
W,
1/10 W贴片电阻( 0805 )
11
W,
1/8 W贴片电阻( 1206 )
产品型号
2506033007Y0
2508051107Y0
GQM1885C2A2R2CB01B
GQM2195C1H470JB01B
GQM1885C2A2R0BB01B
27283PC
GQM1885C1H8R2DB01B
27291SL
GQM1885C1H120JB01B
GQM2195C2A100JB01B
GQM2195C2A5R1DB01B
GQM2195C2A3R3CB01B
GQM2195C2A1R5CB01B
GQM2195C1H220JB01B
C1825C564J5RAC
C1825C225J5RAC
522Z- 050 / 100MTRE
T491X226K035AS
NACZF331M100V ( 18X22 )
GRM31MF51A106ZA01B
C1825C103J1RAC
ECS - T1ED226R
T491D476K016AS
L0805220JEW
A03T- 5
生产厂家
Fair-仪式
Fair-仪式
村田
村田
村田
Gigatronics
村田
Gigatronics
村田
村田
村田
村田
村田
村田
基美
基美
特卡特
基美
日本
村田
基美
松下TE系列
基美
AVX
Coilcraft公司
戴尔/威世
戴尔/威世
MRF9200LR3 MRF9200LSR3
4
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
典型特征
η
D
,沥干
效率(%)
8
ACPR ( DBC) , ALT1 ( DBC)
10
12
14
16
18
η
D
,沥干
效率(%)
10
ACPR ( DBC) , ALT1 ( DBC)
12
14
16
18
20
IRL ,输入回波损耗(分贝)
IRL ,输入回波损耗(分贝)
19
18.8
18.6
G
ps
,功率增益(分贝)
18.4
18.2
18
17.8
17.6
17.4
17.2
ALT1
850
860
870
880
890
900
910
IRL
η
D
V
DD
= 26伏直流电,P
OUT
= 40瓦(平均) ,我
DQ
= 1800毫安
N-二CDMA IS- 95飞行员,同步,寻呼,交通守则
8到13
G
ps
ACPR
26
24
22
20
18
45
50
55
60
65
70
920
17
840
男,频率(MHz)
图3.单 - 载波N - CDMA的宽带性能@ P
OUT
= 40瓦的魅力。
18
17.8
17.6
G
ps
,功率增益(分贝)
17.4
17.2
17
16.8
16.6
16.4
16.2
16
840
ALT1
850
860
870
880
890
900
910
V
DD
= 26伏直流电,P
OUT
= 85 W(平均) ,我
DQ
= 1800毫安
N-二CDMA IS- 95飞行员,同步,寻呼,交通守则8到13
IRL
η
D
G
ps
ACPR
38
36
34
32
35
40
45
50
55
60
65
920
男,频率(MHz)
图4.单 - 载波N - CDMA的宽带性能@ P
OUT
= 85瓦的魅力。
19
18.5
G
ps
,功率增益(分贝)
18
17.5
17
16.5
16
1200毫安
15.5
1
10
P
OUT
,输出功率(瓦)人教版
100
1800毫安
V
DD
= 26伏直流
F1 = 880兆赫, F2 = 880.1兆赫
双色测量
100 kHz音调间距
I
DQ
= 3000毫安
2400毫安
IMD ,三阶
互调失真( DBC)
25
30
3000毫安
35
I
DQ
= 1200毫安
40
45
50
55
60
1
10
100
P
OUT
,输出功率(瓦)人教版
1800毫安
V
DD
= 26伏直流
F1 = 880兆赫, F2 = 880.1兆赫
双色测量, 100 kHz音调间距
2400毫安
图5.两个 - 音频功率增益与
输出功率
图6.三阶互调失真
与输出功率
MRF9200LR3 MRF9200LSR3
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
5
飞思卡尔半导体公司
技术参数
MRF9200L
第1版, 2004年12月
射频功率场效应晶体管
N沟道增强模式横向的MOSFET
设计
宽带商业和工业
与应用程序
频率为1000兆赫。
高增益和它们的宽带性能
装置使它们非常适用于大信号,共源放大器的应用
系统蒸发散在26伏基站设备。
典型的单载波n -CDMA性能@ 880 MHz的: V
DD
= 26伏,
I
DQ
= 2400毫安,P
OUT
= 40瓦平均, IS- 95 CDMA (先导,同步,寻呼,
交通守则8 13 ) 。信道带宽= 1.2288兆赫。高峰/
平均。比=上CCDF 9.8分贝@ 0.01 %的概率。
功率增益 - 17.5分贝
漏极效率 - 25 %
ACPR @ 750 kHz偏置 -
46.5
dBc的@ 30 kHz带宽
能够处理10 :1的
VSWR , @
26
VDC ,
880兆赫, 40瓦的N- CDMA
输出功率
特点等效串联阻抗大信号阻抗参数
内部匹配,控制Q,为方便使用
集成ESD保护
较低的镀金厚度上信息, 40
标称。
在磁带和卷轴。
R3
后缀=
250
个单位
56毫米, 13英寸的卷轴。
MRF9200LR3
MRF9200LSR3
880兆赫, 40瓦平均, 26 V
单个n -CDMA
横向N沟道
RF功率MOSFET
CASE 465B -03 ,风格1
NI880
MRF9200LR3
表1.最大额定值
等级
漏源电压
栅源电压
器件总功耗@ T
C
= 25°C
减免上述25℃
存储温度范围
工作结温
CW操作
外壳温度60℃
外壳温度80℃
CASE 465C -02 ,风格1
NI880S
MRF9200LSR3
符号
V
DSS
V
GS
P
D
T
英镑
T
J
CW
200
160
价值
0.5,
+65
0.5,
+15
625
3.6
65
+150
200
单位
VDC
VDC
W
W / ℃,
°C
°C
W
表2.热特性
特征
热阻,结到外壳
外壳温度60 ° C, 200瓦CW
外壳温度80 ° C, 40瓦CW
符号
R
θJC
价值
(1,2)
0.28
0.34
单位
° C / W
1. MTTF计算器可在http://www.freescale.com/rf 。选择工具/软件/应用软件/计算器来
按产品访问MTTF计算器。
2.请参阅AN1955 / D,
射频功率放大器的热测量方法。
去http://www.freescale.com/rf 。
选择文档/应用笔记
AN1955.
小心
MOS器件容易受到由静电荷的损害。在处理合理的预防措施,并
包装MOS器件应观察。
飞思卡尔半导体公司2004版权所有。
MRF9200LR3 MRF9200LSR3
51
飞思卡尔半导体公司
无线射频产品设备数据
表3. ESD保护特性
测试条件
人体模型
(每JESD22- A114 )
机器型号
(按照EIA / JESD22- A115 )
充电器型号
(每JESD22- C101 )
1C (最低)
B(最低)
IV (最低)
表4.电气特性
(T
C
= 25 ° C除非另有说明)
特征
开关特性
零栅极电压漏极漏电流
(V
DS
= 65伏,V
GS
= 0伏)
零栅极电压漏极漏电流
(V
DS
= 26伏,V
GS
= 0伏)
门源漏电流
(V
GS
= 5伏,V
DS
= 0伏)
基本特征
栅极阈值电压
(V
DS
= 10 VDC ,我
D
= 100
μAdc )
门静态电压
(V
DS
= 26伏直流,我
D
= 2400 MADC )
漏源电压
(V
GS
= 10 VDC ,我
D
= 6.0 ADC)
正向跨导
(V
DS
= 10 VDC ,我
D
= 6.7 ADC)
动态特性
(1)
反向传输电容
(V
DS
= 26伏直流
±
30毫伏( RMS) AC @ 1 MHz时,V
GS
= 0伏)
C
RSS
2.5
pF
V
GS ( TH)
V
GS ( Q)
V
DS ( ON)
g
fs
1.5
3
2.7
3.7
0.25
8.8
3.5
4.5
0.4
VDC
VDC
VDC
S
I
DSS
I
DSS
I
GSS
10
1
1
μAdc
μAdc
μAdc
符号
典型值
最大
单位
功能测试
(飞思卡尔测试夹具, 50欧姆系统)V
DD
= 26伏直流,我
DQ
= 2400毫安,P
OUT
= 40瓦的魅力。 N-二CDMA ,
F = 880 MHz的单载波n -CDMA , 1.2288 MHz信道带宽的载体。 ACPR测量在30 kHz的信道带宽@
±750
千赫
抵消。峰值/平均。比=上CCDF 9.8分贝@ 0.01 %的概率。
功率增益
漏EF网络效率
相邻通道功率比
输入回波损耗
1.部分是输入和输出内部匹配两种。
G
ps
η
D
ACPR
IRL
16
22
17.5
25
46.5
13
45
9
dB
%
dBc的
dB
MRF9200LR3 MRF9200LSR3
2
飞思卡尔半导体公司
无线射频产品设备数据
R3
R2
V
BIAS
+
C34
Z1
Z2
R1
Z3
C2
C1
L1
C3
C4
C5
C6
C8
+
C33
Z4
+
C32
Z5
C31
Z6
C30
Z7
C29
Z8
B2
B1
RF
输入
Z9
Z10
C7 Z11
DUT
+
L2
C19
C20
C21
C22
C23
+
C24
+
C25
+
C26
+
C27
+
C28
V
供应
Z12
C9
Z13
Z14
Z15
C13
Z16
C15
Z17
Z18
RF
产量
C10
C11
C12
C14
C16
C17
C18
Z1
Z2
Z3
Z4
Z5
Z6
Z7
0.015 “× 0.083 ”微带
0.048 “× 0.083 ”微带
0.352 “× 0.083 ”微带
0.086 “× 0.050 ”微带
0.367 “× 0.050 ”微带
0.417 “× 0.115 ”微带
0.068 “× 0.397 ”微带
Z8
Z9
Z10
Z11
Z12
Z13
0.335 “× 0.397 ”微带
0.134 “× 0.825 ”× 0.090 “锥
0.209 “× 0.825 ”微带
0.148 “× 0.825 ”微带
0.148 “× 0.750 ”微带
0.435 “× 0.750 ”微带
Z14
Z15
Z16
Z17
Z18
PCB
0.197 “× 0.750 ”× 0.111 “锥
0.331 “× 0.115 ”微带
0.557 “× 0.830 ”微带
0.078 “× 0.830 ”微带
0.414 “× 0.750 ”微带
阿尔隆, 0.030 “ ,
ε
r
= 2.56
图1. MRF9200LR3 ( SR3 )测试电路原理图
MRF9200LR3 MRF9200LSR3
飞思卡尔半导体公司
无线射频产品设备数据
3
C24 C26
C34
V
GG
C31
C30
C5
R1
C2 C3
L1
C33
C32
R2
R3
B2
B1
C29
切出区
C7
C9
C11
L2
C19
C10
C14
C16
C23
V
DD
C22
C21
C25
C27
C20
C28
C17
C13 C15
C1
C4
C6
C8
C18
C12
MRF9200漏
牧师3A
MRF9200漏
3B牧师
飞思卡尔已经开始标记印刷电路板(PCB )的过渡与飞思卡尔半导体
签名/标志。多氯联苯可能有过渡期间无论是摩托罗拉,飞思卡尔标记。这些变化将产生
在外形,装配或现有产品的功能没有任何影响。
图2. MRF9200LR3 ( SR3 )测试电路元件布局
表5. MRF9200LR3 ( SR3 )测试电路元件牌号和值
部分
B1
B2
C1
C2, C19
C3
C4, C18
C5
C6, C12
C7, C8
C9, C10
C11
C13
C14, C17
C15, C16
C20
C21, C22, C31
C23
C24, C25, C26, C27
C28
C29
C30
C32, C33
C34
L1
L2
R1
R2, R3
描述
RF珠,表面贴装( 0603 )
RF珠,表面贴装( 0805 )
2.2 pF的贴片电容( 0603 )
47 pF的片式电容器( 0805 )
2.0 pF的贴片电容( 0603 )
0.4-2.5 pF的可变电容器
8.2 pF的贴片电容( 0603 )
0.8-8.0 pF的可变电容器
12 pF的片式电容器( 0603 )
10 pF的片式电容器( 0805 )
5.1 pF的贴片电容( 0805 )
3.3 pF的贴片电容( 0805 )
1.5 pF的片式电容器( 0805 )
22 pF的片式电容器( 0805 )
0.56
F
贴片电容( 1825 )
2.2
F
片式电容器( 1825 )
10
F,
50 V钽贴片电容器
22
F,
35 V片式钽电容器
330
F,
63 V电解电容
10
F
贴片电容( 1206 )
0.01
F
贴片电容( 1825 )
22
F,
25 V片式钽电容器
47
F,
16 V钽贴片电容器
22 nH的贴片电感( 0805 )
8 nH的电感器
510
W,
1/10 W贴片电阻( 0805 )
11
W,
1/8 W贴片电阻( 1206 )
产品型号
2506033007Y0
2508051107Y0
GQM1885C2A2R2CB01B
GQM2195C1H470JB01B
GQM1885C2A2R0BB01B
27283PC
GQM1885C1H8R2DB01B
27291SL
GQM1885C1H120JB01B
GQM2195C2A100JB01B
GQM2195C2A5R1DB01B
GQM2195C2A3R3CB01B
GQM2195C2A1R5CB01B
GQM2195C1H220JB01B
C1825C564J5RAC
C1825C225J5RAC
522Z050/100MTRE
T491X226K035AS
NACZF331M100V ( 18X22 )
GRM31MF51A106ZA01B
C1825C103J1RAC
ECST1ED226R
T491D476K016AS
L0805220JEW
A03T5
生产厂家
商Fair-Rite
商Fair-Rite
村田
村田
村田
Gigatronics
村田
Gigatronics
村田
村田
村田
村田
村田
村田
基美
基美
特卡特
基美
日本
村田
基美
松下TE系列
基美
AVX
Coilcraft公司
戴尔/威世
戴尔/威世
MRF9200LR3 MRF9200LSR3
4
飞思卡尔半导体公司
无线射频产品设备数据
典型特征
η
D
,沥干
效率(%)
-10
-12
-14
-16
-18
η
D
,沥干
效率(%)
-12
-14
-16
-18
-20
IRL ,输入回波损耗(分贝)
2400毫安
-10
ACPR ( DBC) , ALT1 ( DBC)
3000毫安
I
DQ
= 1200毫安
10
IRL ,输入回波损耗(分贝)
-8
ACPR ( DBC) , ALT1 ( DBC)
19
18.8
18.6
G
ps
,功率增益(分贝)
18.4
18.2
18
17.8
17.6
17.4
17.2
ALT1
850
860
870
880
890
900
910
17
840
IRL
η
D
V
DD
= 26伏直流电,P
OUT
= 40瓦(平均) ,我
DQ
=
1800毫安
N-二CDMA IS- 95飞行员,同步,寻呼,交通守则
8到13
G
ps
ACPR
26
24
22
20
18
-45
-50
-55
-60
-65
-70
920
男,频率(MHz)
图3.单载波n -CDMA宽带性能@ P
OUT
= 40瓦的魅力。
18
17.8
17.6
G
ps
,功率增益(分贝)
17.4
17.2
17
16.8
16.6
16.4
16.2
16
840
IRL
V
DD
= 26伏直流电,P
OUT
= 85 W(平均) ,我
DQ
=
1800毫安
N-二CDMA IS- 95飞行员,同步,寻呼,交通守则8到13
ALT1
850
860
870
880
890
900
910
男,频率(MHz)
η
D
G
ps
ACPR
38
36
34
32
-35
-40
-45
-50
-55
-60
-65
920
图4.单载波n -CDMA宽带性能@ P
OUT
= 85瓦的魅力。
19
IMD ,三阶
互调失真( DBC)
18.5
G
ps
,功率增益(分贝)
18
17.5
17
16.5
16
15.5
1
1200毫安
10
P
OUT
,输出功率(瓦)人教版
1800毫安
V
DD
= 26伏直流
F1 = 880兆赫, F2 = 880.1兆赫
双色测量
100 kHz音调间距
100
I
DQ
= 3000毫安
2400毫安
-25
-30
-35
-40
-45
-50
-55
-60
1
1800毫安
V
DD
= 26伏直流
F1 = 880兆赫, F2 = 880.1兆赫
双色测量, 100 kHz音调间距
100
P
OUT
,输出功率(瓦)人教版
图5.双色功率增益与
输出功率
图6.三阶互调失真
与输出功率
MRF9200LR3 MRF9200LSR3
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    -
    -
    -
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