摩托罗拉
半导体技术资料
飞思卡尔半导体公司
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通过MRF9130L / D
射频亚 - 美光MOSFET线
射频功率场效应晶体管
专为GSM和GSM EDGE基站应用
频率从921到960兆赫，高增益和宽带性能
这些设备使它们非常适用于大型 - 信号，常见的 - 源极放大器
应用28伏基站设备。
对于GSM频率， 921至960兆赫， 28伏典型性能
输出功率@ P1dB为 - 135瓦
功率增益 - 16.5分贝@ 130瓦的输出功率
效率 - 48 ％@ 130瓦的输出功率
内部匹配，控制Q，为方便使用
高增益，高效率和高线性度
集成ESD保护
专为最大增益和插入相位平坦度
能够处理5 ： 1 VSWR ， @ 28伏直流电，所有频段，
130瓦的连续输出功率
优良的热稳定性
特点等效串联阻抗大 - 信号阻抗参数
较低的镀金厚度对信息， 40μ “名义。
在磁带和卷轴。 R3后缀=每56毫米， 13英寸卷轴250单位。
N - 沟道增强 - 模式横向的MOSFET
MRF9130LR3
MRF9130LSR3
GSM / EDGE GSM
921 - 960兆赫， 130 W， 28 V
横向N - CHANNEL
RF功率MOSFET
飞思卡尔半导体公司...
CASE 465 - 06 ，风格1
NI - 780
MRF9130LR3
CASE 465A - 06 ，风格1
NI - 780S
MRF9130LSR3
最大额定值
等级
漏 - 源极电压
栅 - 源电压
器件总功耗@ T
C
=
25°C
减免上述25℃
存储温度范围
工作结温
符号
V
DSS
V
GS
P
D
T
英镑
T
J
价值
65
- 0.5, +15
298
1.7
- 65 + 200
200
单位
VDC
VDC
瓦
W / ℃，
°C
°C
热特性
特征
热阻，结到外壳
符号
R
θJC
价值
0.6
单位
° C / W
ESD保护特性
测试条件
人体模型
机器型号
充电器型号
类
1 （最低）
M2 （最低）
C7 （最低）
注 -
小心
- MOS器件容易受到由静电荷的损害。在处理合理的预防措施，并
包装MOS器件应观察。
REV 2
摩托罗拉RF
摩托罗拉公司2004年
设备数据
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MRF9130LR3 MRF9130LSR3
1
飞思卡尔半导体公司
电气特性
(T
C
= 25 ° C除非另有说明）
特征
开关特性
零栅极电压漏极漏电流
(V
DS
= Vds的65 ，V
GS
= 0伏）
零栅极电压漏极漏电流
(V
DS
= Vds的28 ，V
GS
= 0伏）
门 - 源极漏电流
(V
GS
= 5伏，V
DS
= 0伏）
基本特征
栅极阈值电压
(V
DS
= 10 VDC ，我
D
= 450
μAdc ）
门静态电压
(V
DS
= 28伏直流，我
D
= 1000 MADC ）
V
GS （ TH）
V
GS （ Q）
V
DS （ ON）
g
fs
2
—
—
—
3
3.6
0.2
12
4
—
0.4
—
VDC
VDC
VDC
S
I
DSS
I
DSS
I
GSS
—
—
—
—
—
—
10
1
1
μAdc
μAdc
μAdc
符号
民
典型值
最大
单位
飞思卡尔半导体公司...
漏极 - 源极导 - 电压
(V
GS
= 10 VDC ，我
D
= 3 ADC）
正向跨导
(V
DS
= 10 VDC ，我
D
= 9 ADC）
动态特性
(1)
输出电容
(V
DS
= 28伏直流
±
30毫伏（ RMS） AC @ 1 MHz时，V
GS
= 0伏）
反向传输电容
(V
DS
= 28伏直流
±
30毫伏（ RMS） AC @ 1 MHz时，V
GS
= 0伏）
功能测试
（在摩托罗拉测试夹具）
功率输出， 1 dB压缩点
(V
DD
= 28伏直流，我
DQ
= 1000毫安， F = 921和960兆赫）
通用 - 源放大器功率增益
(V
DD
= 28伏直流电，P
OUT
= 130瓦，我
DQ
= 1000毫安， F = 921和960兆赫）
漏EF网络效率
(V
DD
= 28伏直流电，P
OUT
= 130瓦，我
DQ
= 1000毫安， F = 921和960兆赫）
输入回波损耗
(V
DD
= 28伏直流电，P
OUT
= 130瓦，我
DQ
= 1000毫安， F = 921和960兆赫）
输出失配应力
(V
DD
= 28伏直流电，P
OUT
= 130 W CW ，我
DQ
= 1000毫安，
F = 921 MHz时， VSWR = 5 ： 1 ，所有相位角在测试的频率）
（ 1 ）第一部分是在内部输入匹配。
C
OSS
C
RSS
—
—
110
4.4
—
—
pF
pF
P1dB
G
ps
η
IRL
Ψ
120
15.5
43
—
135
16.5
48
- 12
—
—
—
-9
W
dB
%
dB
在输出功率不降低
试验前后
MRF9130LR3 MRF9130LSR3
2
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摩托罗拉RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
R1
V
GG
+
C1
C2
R2
C3
C6
C5
+
C4
V
DD
R3
RF
输入
C10
Z1
C8
Z2
Z3
DUT
C12
Z4
C14
C16
C19
Z5
C20
C21
Z6
C22
RF
产量
C7
C9
C11
C13
C15
C17
C18
飞思卡尔半导体公司...
图1： 921 - 960 MHz的测试电路原理图
表1. 921 - 960 MHz的测试电路组件牌号和值
代号
C1, C4
C2, C5
C3, C8, C21, C22
C6
C7
C9
C10
C11
C12, C13
C14, C15
C16, C17, C18
C19
C20
R1
R2
R3
Z1
Z2
Z3
Z4
Z5
Z6
PCB
描述
10
F,
35 V钽电容，日前，Vishay - 斯普拉格＃ 293D106X9035D
100 nF的片式电容器（ 1206 ） ， AVX ＃ 1206C104KATDA
22 pF的， 100B贴片电容， ATC ＃ 100B220C
33 pF的， 100B贴片电容， ATC ＃ 100B330JW
1.0 pF的， 100B贴片电容， ATC ＃ 100B1R0BW
4.7 pF的， 100B贴片电容， ATC ＃ 100B4R7BW
8.2 pF的， 100B贴片电容， ATC ＃ 100B8R2CW
10 pF的， 100B贴片电容， ATC ＃ 100B100GW
12 pF的， 100B贴片电容， ATC ＃ 100B120GW
2.7 pF的， 100B贴片电容， ATC ＃ 100B2R7BW
3.9 pF的， 100B贴片电容， ATC ＃ 100B3R9BW
3.3 pF的， 100B贴片电容， ATC ＃ 100B3R3BW
1.8 pF的， 100B贴片电容， ATC ＃ 100B1R8BW
18千瓦， 1/8 W码电阻（ 1206 ）
10千瓦， 1/8 W码电阻（ 1206）
1.0千瓦， 1/8 W码电阻（ 1206 ）
0.117 “× 0.600 ”微带
0.117 “× 1.851 ”微带
1.074 “× 1.068 ”微带
1.074 “× 0.980 ”微带
0.117 “× 1.933 ”微带
0.117 “× 0.605 ”微带
Taconic的TLX8 ， 0.030 “ ，
ε
r
= 2.55
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MRF9130LR3 MRF9130LSR3
3
飞思卡尔半导体公司
V
BIAS
C1
R1
C2 R2
C7
C8
C3
C9
R3
C10
C12 C14
C16
C4
V
供应
C5
C6
C19 C20
C21
C11
C13 C15
C17
C18
C22
飞思卡尔半导体公司...
地
MRF9130L
地
图2： 921 - 960 MHz的测试电路元件布局
MRF9130LR3 MRF9130LSR3
4
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射频亚 - 美光MOSFET线
射频功率场效应晶体管
专为GSM和GSM EDGE基站应用
频率从921到960兆赫，高增益和宽带性能
这些设备使它们非常适用于大型 - 信号，常见的 - 源极放大器
应用28伏基站设备。
对于GSM频率， 921至960兆赫， 28伏典型性能
输出功率@ P1dB为 - 135瓦
功率增益 - 16.5分贝@ 130瓦的输出功率
效率 - 48 ％@ 130瓦的输出功率
内部匹配，控制Q，为方便使用
高增益，高效率和高线性度
集成ESD保护
专为最大增益和插入相位平坦度
能够处理5 ： 1 VSWR ， @ 28伏直流电，所有频段，
130瓦的连续输出功率
优良的热稳定性
特点等效串联阻抗大 - 信号阻抗参数
较低的镀金厚度对信息， 40μ “名义。
在磁带和卷轴。 R3后缀=每56毫米， 13英寸卷轴250单位。
N - 沟道增强 - 模式横向的MOSFET
MRF9130LR3
MRF9130LSR3
GSM / EDGE GSM
921 - 960兆赫， 130 W， 28 V
横向N - CHANNEL
RF功率MOSFET
飞思卡尔半导体公司...
CASE 465 - 06 ，风格1
NI - 780
MRF9130LR3
CASE 465A - 06 ，风格1
NI - 780S
MRF9130LSR3
最大额定值
等级
漏 - 源极电压
栅 - 源电压
器件总功耗@ T
C
=
25°C
减免上述25℃
存储温度范围
工作结温
符号
V
DSS
V
GS
P
D
T
英镑
T
J
价值
65
- 0.5, +15
298
1.7
- 65 + 200
200
单位
VDC
VDC
瓦
W / ℃，
°C
°C
热特性
特征
热阻，结到外壳
符号
R
θJC
价值
0.6
单位
° C / W
ESD保护特性
测试条件
人体模型
机器型号
充电器型号
类
1 （最低）
M2 （最低）
C7 （最低）
注 -
小心
- MOS器件容易受到由静电荷的损害。在处理合理的预防措施，并
包装MOS器件应观察。
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摩托罗拉公司2004年
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1
飞思卡尔半导体公司
电气特性
(T
C
= 25 ° C除非另有说明）
特征
开关特性
零栅极电压漏极漏电流
(V
DS
= Vds的65 ，V
GS
= 0伏）
零栅极电压漏极漏电流
(V
DS
= Vds的28 ，V
GS
= 0伏）
门 - 源极漏电流
(V
GS
= 5伏，V
DS
= 0伏）
基本特征
栅极阈值电压
(V
DS
= 10 VDC ，我
D
= 450
μAdc ）
门静态电压
(V
DS
= 28伏直流，我
D
= 1000 MADC ）
V
GS （ TH）
V
GS （ Q）
V
DS （ ON）
g
fs
2
—
—
—
3
3.6
0.2
12
4
—
0.4
—
VDC
VDC
VDC
S
I
DSS
I
DSS
I
GSS
—
—
—
—
—
—
10
1
1
μAdc
μAdc
μAdc
符号
民
典型值
最大
单位
飞思卡尔半导体公司...
漏极 - 源极导 - 电压
(V
GS
= 10 VDC ，我
D
= 3 ADC）
正向跨导
(V
DS
= 10 VDC ，我
D
= 9 ADC）
动态特性
(1)
输出电容
(V
DS
= 28伏直流
±
30毫伏（ RMS） AC @ 1 MHz时，V
GS
= 0伏）
反向传输电容
(V
DS
= 28伏直流
±
30毫伏（ RMS） AC @ 1 MHz时，V
GS
= 0伏）
功能测试
（在摩托罗拉测试夹具）
功率输出， 1 dB压缩点
(V
DD
= 28伏直流，我
DQ
= 1000毫安， F = 921和960兆赫）
通用 - 源放大器功率增益
(V
DD
= 28伏直流电，P
OUT
= 130瓦，我
DQ
= 1000毫安， F = 921和960兆赫）
漏EF网络效率
(V
DD
= 28伏直流电，P
OUT
= 130瓦，我
DQ
= 1000毫安， F = 921和960兆赫）
输入回波损耗
(V
DD
= 28伏直流电，P
OUT
= 130瓦，我
DQ
= 1000毫安， F = 921和960兆赫）
输出失配应力
(V
DD
= 28伏直流电，P
OUT
= 130 W CW ，我
DQ
= 1000毫安，
F = 921 MHz时， VSWR = 5 ： 1 ，所有相位角在测试的频率）
（ 1 ）第一部分是在内部输入匹配。
C
OSS
C
RSS
—
—
110
4.4
—
—
pF
pF
P1dB
G
ps
η
IRL
Ψ
120
15.5
43
—
135
16.5
48
- 12
—
—
—
-9
W
dB
%
dB
在输出功率不降低
试验前后
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2
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摩托罗拉RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
R1
V
GG
+
C1
C2
R2
C3
C6
C5
+
C4
V
DD
R3
RF
输入
C10
Z1
C8
Z2
Z3
DUT
C12
Z4
C14
C16
C19
Z5
C20
C21
Z6
C22
RF
产量
C7
C9
C11
C13
C15
C17
C18
飞思卡尔半导体公司...
图1： 921 - 960 MHz的测试电路原理图
表1. 921 - 960 MHz的测试电路组件牌号和值
代号
C1, C4
C2, C5
C3, C8, C21, C22
C6
C7
C9
C10
C11
C12, C13
C14, C15
C16, C17, C18
C19
C20
R1
R2
R3
Z1
Z2
Z3
Z4
Z5
Z6
PCB
描述
10
F,
35 V钽电容，日前，Vishay - 斯普拉格＃ 293D106X9035D
100 nF的片式电容器（ 1206 ） ， AVX ＃ 1206C104KATDA
22 pF的， 100B贴片电容， ATC ＃ 100B220C
33 pF的， 100B贴片电容， ATC ＃ 100B330JW
1.0 pF的， 100B贴片电容， ATC ＃ 100B1R0BW
4.7 pF的， 100B贴片电容， ATC ＃ 100B4R7BW
8.2 pF的， 100B贴片电容， ATC ＃ 100B8R2CW
10 pF的， 100B贴片电容， ATC ＃ 100B100GW
12 pF的， 100B贴片电容， ATC ＃ 100B120GW
2.7 pF的， 100B贴片电容， ATC ＃ 100B2R7BW
3.9 pF的， 100B贴片电容， ATC ＃ 100B3R9BW
3.3 pF的， 100B贴片电容， ATC ＃ 100B3R3BW
1.8 pF的， 100B贴片电容， ATC ＃ 100B1R8BW
18千瓦， 1/8 W码电阻（ 1206 ）
10千瓦， 1/8 W码电阻（ 1206）
1.0千瓦， 1/8 W码电阻（ 1206 ）
0.117 “× 0.600 ”微带
0.117 “× 1.851 ”微带
1.074 “× 1.068 ”微带
1.074 “× 0.980 ”微带
0.117 “× 1.933 ”微带
0.117 “× 0.605 ”微带
Taconic的TLX8 ， 0.030 “ ，
ε
r
= 2.55
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C1
R1
C2 R2
C7
C8
C3
C9
R3
C10
C12 C14
C16
C4
V
供应
C5
C6
C19 C20
C21
C11
C13 C15
C17
C18
C22
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地
图2： 921 - 960 MHz的测试电路元件布局
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4
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