摩托罗拉
半导体技术资料
订购此文件
由MRF9080 / D
射频亚微米MOSFET线
射频功率场效应晶体管
N沟道增强模式横向的MOSFET
专为GSM 900 MHz频段，高增益和宽带
这些设备的性能使其理想用于大信号，共
源放大器应用中的26伏基站设备。
对于GSM频率， 921至960兆赫， 26伏典型性能
输出功率@ P1dB为： 75瓦
功率增益@ P1dB为： 18.5分贝
效率@ P1dB为： 55 ％
内部匹配，控制Q，为方便使用
高增益，高效率和高线性度
集成ESD保护
专为最大增益和插入相位平坦度
能够处理5 ： 1 VSWR ， @ 26伏直流电， 921兆赫， 90瓦CW
输出功率
优良的热稳定性
特点等效串联阻抗大信号阻抗参数
可在磁带和卷轴。 R3后缀=每56毫米， 13英寸卷轴250单位。
可提供低镀金厚度上信息。 L结尾的表示
40
″
标称。
MRF9080
MRF9080R3
MRF9080SR3
MRF9080LSR3
GSM 900 MHz频段，
75 W， 26 V
横向N沟道
宽带射频功率MOSFET
CASE 465-06 ，风格1
NI–780
MRF9080
CASE 465A -06 ，风格1
NI–780S
MRF9080SR3 ， MRF9080LSR3
最大额定值
等级
漏源电压
栅源电压
器件总功耗@ T
C
=
25°C
减免上述25℃
存储温度范围
工作结温
符号
V
DSS
V
GS
P
D
T
英镑
T
J
价值
65
–0.5, +15
250
1.43
-65到+200
200
单位
VDC
VDC
瓦
W / ℃，
°C
°C
ESD保护特性
测试条件
人体模型
机器型号
类
1 （最低）
M1 （最低）
热特性
特征
热阻，结到外壳
符号
R
θJC
最大
0.7
单位
° C / W
注 -
小心
- MOS器件容易受到由静电荷的损害。在处理合理的预防措施，并
包装MOS器件应观察。
REV 2
摩托罗拉RF
摩托罗拉公司，2002年
设备数据
MRF9080 MRF9080R3 MRF9080SR3 MRF9080LSR3
1
电气特性
(T
C
= 25 ° C除非另有说明）
特征
开关特性
零栅极电压漏极漏电流
(V
DS
= 65伏，V
GS
= 0)
零栅极电压漏极漏电流
(V
DS
= Vds的26 ，V
GS
= 0)
门源漏电流
(V
GS
= 5伏，V
DS
= 0 )
基本特征
栅极阈值电压
(V
DS
= 10 VDC ，我
D
= 300
μAdc ）
门静态电压
(V
DS
= 26伏直流，我
D
= 700 MADC ）
漏源电压
(V
GS
= 10 VDC ，我
D
= 2 ADC）
正向跨导
(V
DS
= 10 VDC ，我
D
= 6 ADC）
动态特性（ 1 ）
输出电容
(V
DS
= 26伏，V
GS
= 0中，f = 1 MHz）的
反向传输电容
(V
DS
= 26伏，V
GS
= 0中，f = 1 MHz）的
功能测试
（在摩托罗拉测试夹具， 50欧姆系统）（2）
功率输出， 1 dB压缩点
(V
DD
= 26伏直流，我
DQ
= 600 mA时， F = 921和960兆赫）
共源放大器功率增益@ 70 W（最小值）
(V
DD
= 26伏直流，我
DQ
= 600 mA时， F = 921和960兆赫）
漏极效率@ P
OUT
= 70 W
(V
DD
= 26伏直流，我
DQ
= 600 mA时， F = 921和960兆赫）
漏极效率@ P1dB的
(V
DD
= 26伏直流，我
DQ
= 600 mA时， F = 921和960兆赫）
输入回波损耗
(V
DD
= 26伏直流电，P
OUT
= 70瓦，我
DQ
= 600 mA时， F = 921和960兆赫）
输出失配应力
(V
DD
= 26伏直流电，P
OUT
= 90瓦CW，我
DQ
= 600毫安，
F = 921 MHz时， VSWR = 5 ： 1 ，所有相位角在测试的频率）
P
1dB
G
ps
η1
η2
IRL
Ψ
68
17
47
—
9.5
75
18.5
52
55
12.5
—
20
—
—
—
W
dB
%
%
dB
C
OSS
C
RSS
—
—
73
2.9
—
—
pF
pF
V
GS （ TH）
V
GS （ Q）
V
DS （ ON）
g
fs
2.0
—
—
—
—
3.7
0.19
8.0
4.0
—
0.4
—
VDC
VDC
VDC
S
I
DSS
I
DSS
I
GSS
—
—
—
—
—
—
10
1
1
μAdc
μAdc
μAdc
符号
民
典型值
最大
单位
在输出功率不降低
试验前后
（ 1 ）第一部分是在内部输入匹配。
（2）为了满足应用的要求，摩托罗拉测试夹具被设计成覆盖完整的GSM 900频带保证批与批之间的一致性
MRF9080 MRF9080R3 MRF9080SR3 MRF9080LSR3
2
摩托罗拉RF设备数据
V
GG
R3
+
C7
R2
C6
R1
C1
C18
+
V
DD
C17
C5
DUT
C11 C12 C13
C15
C14
C16
RF
产量
RF
输入
C3
C2
C4
C8
C9
C10
图1.宽带GSM 900测试电路原理图
表1.宽带GSM 900测试电路元件牌号和值
部分
C1
C2
C3
C4, C5, C9, C10, C12, C13
C6, C16, C17
C7, C18
C8, C11
C14
C15
R1, R2, R3
WB1 ， WB2
原始PCB材料
PCB
描述
4.7 pF的贴片电容，B案例
2.7 pF的贴片电容，B案例
1.5 pF的贴片电容，B案例
5.6 pF的贴片电容，B案例
22 pF的贴片电容，B案例
10
F,
35 V片式钽电容器
10 pF的贴片电容，B案例
0.8 pF的贴片电容，B案例
8.2 pF的贴片电容，B案例
1.0 kΩ的， ？ W贴片电阻（ 0805 ）
铍铜块磨损
30万玻璃
特在佛罗里达州
,
ε
r
= 2.55
蚀刻电路板
0.004″ x 0.210″ x 0.520″
TLX8–0300
C–GY–00–001–02
Taconic的
Cibel
值， P / N或DWG
100B4R7BW
100B2R7BW
100B1R5BW
100B5R6CW
100B220GW
293D106X9035D2T
100B100JW
100B0R8BW
100B8R2GW
生产厂家
ATC
ATC
ATC
ATC
ATC
斯普拉格 - 日前，Vishay
ATC
ATC
ATC
摩托罗拉RF设备数据
MRF9080 MRF9080R3 MRF9080SR3 MRF9080LSR3
3
C7
C18
R3
R2
C6
C17
V
GG
V
DD
RF输入
C1
C2
C3
R1 C5
WB1
C4
C11 C12 C13
WB2
C15
C16
C14
RF输出
切出区
C8 C9 C10
MRF9080
图2.宽带GSM 900测试电路元件布局
MRF9080 MRF9080R3 MRF9080SR3 MRF9080LSR3
4
摩托罗拉RF设备数据
V
GG
+
C6
U1
R1
C5
V
DD
+
C9
R2
R3
P1
R4
T1
+
C4
C3
C15
R5
R6
C7
DUT
C10
C13
C14
RF
产量
RF
输入
C1
C2
C11
C8
C12
图3.宽带GSM 900优化的演示电路板原理图
表2.宽带GSM 900优化的演示板组件牌号和值
部分
C1
C2
C3, C15
C4, C6
C5
C7, C8
C9
C10, C11
C12, C13
C14
P1
R1
R2
R3
R4
R5, R6
T1
U1
描述
4.7 pF的贴片电容， ACCU -P （ 0805 ）
3.9 pF的贴片电容， ACCU -P （ 0805 ）
22 pF的贴片电容， ACCU -P （ 0805 ）
22
MF，
35 V片式钽电容器
1.0
mF
贴片电容， ACCU -P （ 0805 ）
5.6 pF的贴片电容， ACCU -P （ 0805 ）
220
MF，
63 V电解电容
3.3 pF的贴片电容， ACCU -P （ 0805 ）
2.2 pF的贴片电容， ACCU -P （ 0805 ）
4.7 pF的贴片电容
5.0 kΩ电位CMS金属陶瓷多转
10
,
1/8 W贴片电阻（ 0805 ）
1.0 kΩ的1/8 W贴片电阻（ 0805 ）
1.2 kΩ的1/8 W贴片电阻（ 0805 ）
2.2 kΩ的1/8 W贴片电阻（ 0805 ）
1.0千欧， 1/8 W码电阻器（ 0805 ）
双极NPN晶体管， SOT -23
电压调节器，微型8
射频连接器， SMA型
底= Taconic的RF35 ，厚度0.5毫米
#BC847ALT1
#LP2951ACDM–5.0R2
#R125510001
安森美半导体
安森美半导体
RADIAL
#08051J8R2CBT
#08051J2R2CBT
#100B
#3224W
AVX
AVX
ATC
BOURNS
值， P / N或DWG
#08051J3R9CBT
#08051J3R9CBT
#08051J221
#T491X226K035AS4394
#08053G105ZATEA
#08051J5R18CBT
生产厂家
AVX
AVX
AVX
基美
AVX
AVX
摩托罗拉RF设备数据
MRF9080 MRF9080R3 MRF9080SR3 MRF9080LSR3
5
摩托罗拉
半导体技术资料
订购此文件
由MRF9080 / D
射频亚微米MOSFET线
射频功率场效应晶体管
N沟道增强模式横向的MOSFET
专为GSM 900 MHz频段，高增益和宽带
这些设备的性能使其理想用于大信号，共
源放大器应用中的26伏基站设备。
对于GSM频率， 921至960兆赫， 26伏典型性能
输出功率@ P1dB为： 75瓦
功率增益@ P1dB为： 18.5分贝
效率@ P1dB为： 55 ％
内部匹配，控制Q，为方便使用
高增益，高效率和高线性度
集成ESD保护
专为最大增益和插入相位平坦度
能够处理5 ： 1 VSWR ， @ 26伏直流电， 921兆赫， 90瓦CW
输出功率
优良的热稳定性
特点等效串联阻抗大信号阻抗参数
可在磁带和卷轴。 R3后缀=每56毫米， 13英寸卷轴250单位。
可提供低镀金厚度上信息。 L结尾的表示
40
″
标称。
MRF9080
MRF9080R3
MRF9080SR3
MRF9080LSR3
GSM 900 MHz频段，
75 W， 26 V
横向N沟道
宽带射频功率MOSFET
CASE 465-06 ，风格1
NI–780
MRF9080
CASE 465A -06 ，风格1
NI–780S
MRF9080SR3 ， MRF9080LSR3
最大额定值
等级
漏源电压
栅源电压
器件总功耗@ T
C
=
25°C
减免上述25℃
存储温度范围
工作结温
符号
V
DSS
V
GS
P
D
T
英镑
T
J
价值
65
–0.5, +15
250
1.43
-65到+200
200
单位
VDC
VDC
瓦
W / ℃，
°C
°C
ESD保护特性
测试条件
人体模型
机器型号
类
1 （最低）
M1 （最低）
热特性
特征
热阻，结到外壳
符号
R
θJC
最大
0.7
单位
° C / W
注 -
小心
- MOS器件容易受到由静电荷的损害。在处理合理的预防措施，并
包装MOS器件应观察。
REV 2
摩托罗拉RF
摩托罗拉公司，2002年
设备数据
MRF9080 MRF9080R3 MRF9080SR3 MRF9080LSR3
1
电气特性
(T
C
= 25 ° C除非另有说明）
特征
开关特性
零栅极电压漏极漏电流
(V
DS
= 65伏，V
GS
= 0)
零栅极电压漏极漏电流
(V
DS
= Vds的26 ，V
GS
= 0)
门源漏电流
(V
GS
= 5伏，V
DS
= 0 )
基本特征
栅极阈值电压
(V
DS
= 10 VDC ，我
D
= 300
μAdc ）
门静态电压
(V
DS
= 26伏直流，我
D
= 700 MADC ）
漏源电压
(V
GS
= 10 VDC ，我
D
= 2 ADC）
正向跨导
(V
DS
= 10 VDC ，我
D
= 6 ADC）
动态特性（ 1 ）
输出电容
(V
DS
= 26伏，V
GS
= 0中，f = 1 MHz）的
反向传输电容
(V
DS
= 26伏，V
GS
= 0中，f = 1 MHz）的
功能测试
（在摩托罗拉测试夹具， 50欧姆系统）（2）
功率输出， 1 dB压缩点
(V
DD
= 26伏直流，我
DQ
= 600 mA时， F = 921和960兆赫）
共源放大器功率增益@ 70 W（最小值）
(V
DD
= 26伏直流，我
DQ
= 600 mA时， F = 921和960兆赫）
漏极效率@ P
OUT
= 70 W
(V
DD
= 26伏直流，我
DQ
= 600 mA时， F = 921和960兆赫）
漏极效率@ P1dB的
(V
DD
= 26伏直流，我
DQ
= 600 mA时， F = 921和960兆赫）
输入回波损耗
(V
DD
= 26伏直流电，P
OUT
= 70瓦，我
DQ
= 600 mA时， F = 921和960兆赫）
输出失配应力
(V
DD
= 26伏直流电，P
OUT
= 90瓦CW，我
DQ
= 600毫安，
F = 921 MHz时， VSWR = 5 ： 1 ，所有相位角在测试的频率）
P
1dB
G
ps
η1
η2
IRL
Ψ
68
17
47
—
9.5
75
18.5
52
55
12.5
—
20
—
—
—
W
dB
%
%
dB
C
OSS
C
RSS
—
—
73
2.9
—
—
pF
pF
V
GS （ TH）
V
GS （ Q）
V
DS （ ON）
g
fs
2.0
—
—
—
—
3.7
0.19
8.0
4.0
—
0.4
—
VDC
VDC
VDC
S
I
DSS
I
DSS
I
GSS
—
—
—
—
—
—
10
1
1
μAdc
μAdc
μAdc
符号
民
典型值
最大
单位
在输出功率不降低
试验前后
（ 1 ）第一部分是在内部输入匹配。
（2）为了满足应用的要求，摩托罗拉测试夹具被设计成覆盖完整的GSM 900频带保证批与批之间的一致性
MRF9080 MRF9080R3 MRF9080SR3 MRF9080LSR3
2
摩托罗拉RF设备数据
V
GG
R3
+
C7
R2
C6
R1
C1
C18
+
V
DD
C17
C5
DUT
C11 C12 C13
C15
C14
C16
RF
产量
RF
输入
C3
C2
C4
C8
C9
C10
图1.宽带GSM 900测试电路原理图
表1.宽带GSM 900测试电路元件牌号和值
部分
C1
C2
C3
C4, C5, C9, C10, C12, C13
C6, C16, C17
C7, C18
C8, C11
C14
C15
R1, R2, R3
WB1 ， WB2
原始PCB材料
PCB
描述
4.7 pF的贴片电容，B案例
2.7 pF的贴片电容，B案例
1.5 pF的贴片电容，B案例
5.6 pF的贴片电容，B案例
22 pF的贴片电容，B案例
10
F,
35 V片式钽电容器
10 pF的贴片电容，B案例
0.8 pF的贴片电容，B案例
8.2 pF的贴片电容，B案例
1.0 kΩ的， ？ W贴片电阻（ 0805 ）
铍铜块磨损
30万玻璃
特在佛罗里达州
,
ε
r
= 2.55
蚀刻电路板
0.004″ x 0.210″ x 0.520″
TLX8–0300
C–GY–00–001–02
Taconic的
Cibel
值， P / N或DWG
100B4R7BW
100B2R7BW
100B1R5BW
100B5R6CW
100B220GW
293D106X9035D2T
100B100JW
100B0R8BW
100B8R2GW
生产厂家
ATC
ATC
ATC
ATC
ATC
斯普拉格 - 日前，Vishay
ATC
ATC
ATC
摩托罗拉RF设备数据
MRF9080 MRF9080R3 MRF9080SR3 MRF9080LSR3
3
C7
C18
R3
R2
C6
C17
V
GG
V
DD
RF输入
C1
C2
C3
R1 C5
WB1
C4
C11 C12 C13
WB2
C15
C16
C14
RF输出
切出区
C8 C9 C10
MRF9080
图2.宽带GSM 900测试电路元件布局
MRF9080 MRF9080R3 MRF9080SR3 MRF9080LSR3
4
摩托罗拉RF设备数据
V
GG
+
C6
U1
R1
C5
V
DD
+
C9
R2
R3
P1
R4
T1
+
C4
C3
C15
R5
R6
C7
DUT
C10
C13
C14
RF
产量
RF
输入
C1
C2
C11
C8
C12
图3.宽带GSM 900优化的演示电路板原理图
表2.宽带GSM 900优化的演示板组件牌号和值
部分
C1
C2
C3, C15
C4, C6
C5
C7, C8
C9
C10, C11
C12, C13
C14
P1
R1
R2
R3
R4
R5, R6
T1
U1
描述
4.7 pF的贴片电容， ACCU -P （ 0805 ）
3.9 pF的贴片电容， ACCU -P （ 0805 ）
22 pF的贴片电容， ACCU -P （ 0805 ）
22
MF，
35 V片式钽电容器
1.0
mF
贴片电容， ACCU -P （ 0805 ）
5.6 pF的贴片电容， ACCU -P （ 0805 ）
220
MF，
63 V电解电容
3.3 pF的贴片电容， ACCU -P （ 0805 ）
2.2 pF的贴片电容， ACCU -P （ 0805 ）
4.7 pF的贴片电容
5.0 kΩ电位CMS金属陶瓷多转
10
,
1/8 W贴片电阻（ 0805 ）
1.0 kΩ的1/8 W贴片电阻（ 0805 ）
1.2 kΩ的1/8 W贴片电阻（ 0805 ）
2.2 kΩ的1/8 W贴片电阻（ 0805 ）
1.0千欧， 1/8 W码电阻器（ 0805 ）
双极NPN晶体管， SOT -23
电压调节器，微型8
射频连接器， SMA型
底= Taconic的RF35 ，厚度0.5毫米
#BC847ALT1
#LP2951ACDM–5.0R2
#R125510001
安森美半导体
安森美半导体
RADIAL
#08051J8R2CBT
#08051J2R2CBT
#100B
#3224W
AVX
AVX
ATC
BOURNS
值， P / N或DWG
#08051J3R9CBT
#08051J3R9CBT
#08051J221
#T491X226K035AS4394
#08053G105ZATEA
#08051J5R18CBT
生产厂家
AVX
AVX
AVX
基美
AVX
AVX
摩托罗拉RF设备数据
MRF9080 MRF9080R3 MRF9080SR3 MRF9080LSR3
5
QQ：2881677436 复制
