飞思卡尔半导体公司
技术参数
文档编号： MRF9060N
启10 ， 5/2006
射频功率场效应晶体管
N - 沟道增强 - 模式横向的MOSFET
设计用于frequen-宽带商业和工业应用
连锁商店最高到1000 MHz 。高增益和它们的宽带性能
装置使它们非常适用于大信号，共源放大器应用
在26伏基站设备。
在945 MHz时， 26伏典型性能
输出功率 - 60瓦PEP
功率增益 - 18.0分贝
效率 - 40 ％ （二声调）
IMD - - 31.5 dBc的
能够处理5 ： 1 VSWR ， @ 26伏直流电， 945兆赫， 60瓦CW
输出功率
特点
优良的热稳定性
特点等效串联阻抗大 - 信号阻抗参数
集成ESD保护
200℃有能力塑料包装
后缀表示铅 - 免费终结。符合RoHS 。
TO - 270 - 2可在磁带和卷轴。 R1每24毫米后缀= 500单位，
13英寸的卷轴。
TO - 272 - 2可在磁带和卷轴。 R1每44毫米后缀= 500单位，
13英寸的卷轴。
MRF9060NR1
MRF9060NBR1
945兆赫， 60 W， 26 V
横向N - CHANNEL
宽带
RF功率MOSFET
CASE 1265至1208年，风格1
TO - 270- 2
塑料
MRF9060NR1
CASE 1337至1303年，风格1
TO - 272- 2
塑料
MRF9060NBR1
表1.最大额定值
等级
漏源电压
栅 - 源电压
器件总功耗@ T
C
= 25°C
减免上述25℃
存储温度范围
工作结温
符号
V
DSS
V
GS
P
D
T
英镑
T
J
价值
- 0.5, +65
- 0.5, + 15
223
1.79
- 65 + 150
200
单位
VDC
VDC
W
W / ℃，
°C
°C
表2.热特性
特征
热阻，结到外壳
符号
R
θJC
价值
(1)
0.56
单位
° C / W
1. MTTF计算器可在http://www.freescale.com/rf 。选择工具/软件/应用软件/计算器访问
平均无故障时间计算器副产品。
飞思卡尔半导体公司， 2006年。保留所有权利。
MRF9060NR1 MRF9060NBR1
1
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
表3. ESD保护特性
测试条件
人体模型
机器型号
充电器型号
MRF9060NR1
MRF9060NBR1
类
1 （最低）
M2 （最低）
C6 （最低）
C5 （最低）
表4.湿度敏感度等级
测试方法
每JESD 22 - A113 ， IPC / JEDEC J - STD - 020
MRF9060NR1
MRF9060NBR1
1
3
260
260
等级
封装峰值温度
单位
°C
表5.电气特性
(T
C
= 25 ° C除非另有说明）
特征
开关特性
零栅极电压漏极漏电流
(V
DS
= 65伏，V
GS
= 0伏）
零栅极电压漏极漏电流
(V
DS
= 26伏，V
GS
= 0伏）
栅源漏电流
(V
GS
= 5伏，V
DS
= 0伏）
基本特征
栅极阈值电压
(V
DS
= 10 VDC ，我
D
= 200
μAdc ）
门静态电压
(V
DS
= 26伏直流，我
D
= 450 MADC ）
漏源开 - 电压
(V
GS
= 10 VDC ，我
D
= 1.3 ADC）
正向跨导
(V
DS
= 10 VDC ，我
D
= 4 ADC）
动态特性
输入电容
(V
DS
= 26伏直流
±
30毫伏（ RMS） AC @ 1 MHz时，V
GS
= 0伏）
输出电容
(V
DS
= 26伏直流
±
30毫伏（ RMS） AC @ 1 MHz时，V
GS
= 0伏）
反向传输电容
(V
DS
= 26伏直流
±
30毫伏（ RMS） AC @ 1 MHz时，V
GS
= 0伏）
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
—
—
—
101
53
2.5
—
—
—
pF
pF
pF
（续）
V
GS （ TH）
V
GS （ Q）
V
DS （ ON）
g
fs
2
3
—
—
2.8
3.7
0.21
5.3
4
5
0.4
—
VDC
VDC
VDC
S
I
DSS
I
DSS
I
GSS
—
—
—
—
—
—
10
1
1
μAdc
μAdc
μAdc
符号
民
典型值
最大
单位
MRF9060NR1 MRF9060NBR1
2
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
表5.电气特性
(T
C
= 25 ° C除非另有说明）
（续）
特征
功能测试
（飞思卡尔测试夹具， 50欧姆系统）
两种 - 普通音 - 源放大器功率增益
(V
DD
= 26伏直流电，P
OUT
= 60瓦PEP ，我
DQ
= 450毫安，
F1 = 945.0兆赫， F2 = 945.1兆赫）
两个 - 音漏极效率
(V
DD
= 26伏直流电，P
OUT
= 60瓦PEP ，我
DQ
= 450毫安，
F1 = 945.0兆赫， F2 = 945.1兆赫）
三阶互调失真
(V
DD
= 26伏直流电，P
OUT
= 60瓦PEP ，我
DQ
= 450毫安，
F1 = 945.0兆赫， F2 = 945.1兆赫）
输入回波损耗
(V
DD
= 26伏直流电，P
OUT
= 60瓦PEP ，我
DQ
= 450毫安，
F1 = 945.0兆赫， F2 = 945.1兆赫）
两种 - 普通音 - 源放大器功率增益
(V
DD
= 26伏直流电，P
OUT
= 60瓦PEP ，我
DQ
= 450毫安，
F1 = 930.0兆赫， F2 = 930.1 MHz和F1 = 960.0兆赫，
F2 = 960.1兆赫）
两个 - 音漏极效率
(V
DD
= 26伏直流电，P
OUT
= 60瓦PEP ，我
DQ
= 450毫安，
F1 = 930.0兆赫， F2 = 930.1 MHz和F1 = 960.0兆赫，
F2 = 960.1兆赫）
三阶互调失真
(V
DD
= 26伏直流电，P
OUT
= 60瓦PEP ，我
DQ
= 450毫安，
F1 = 930.0兆赫， F2 = 930.1 MHz和F1 = 960.0兆赫，
F2 = 960.1兆赫）
输入回波损耗
(V
DD
= 26伏直流电，P
OUT
= 60瓦PEP ，我
DQ
= 450毫安，
F1 = 930.0兆赫， F2 = 930.1 MHz和F1 = 960.0兆赫，
F2 = 960.1兆赫）
G
ps
17
18
—
dB
符号
民
典型值
最大
单位
η
37
40
—
%
IMD
—
- 31.5
- 28
dBc的
IRL
—
- 14.5
-9
dB
G
ps
—
18
—
dB
η
—
40
—
%
IMD
—
- 31
—
dBc的
IRL
—
- 12.5
—
dB
MRF9060NR1 MRF9060NBR1
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
3
V
GG
C6
RF
输入
B1
+
C7
L1
C4
DUT Z11
Z1
C1
Z2
Z3
Z4
Z5
C2
Z6
Z7
Z8
C3
Z9
C5
Z10
C9
Z12
Z13
Z14
L2
B2
+
C14
C15
+
C16
+
C17
RF
产量
Z15
Z16
Z17
Z18
C13
C8
C10
C11
C12
V
DD
Z1
Z2
Z3
Z4
Z5
Z6
Z7
Z8
Z9
0.240 “× 0.060 ”微带
0.240 “× 0.060 ”微带
0.500 “× 0.100 ”微带
0.100 “× 0.270 ”× 0.080 “ ，锥
0.330 “× 0.270 ”微带
0.120 “× 0.270 ”微带
0.270 “× 0.520 ”× 0.140 “ ，锥
0.240 “× 0.520 ”微带
0.340 “× 0.520 ”微带
Z10
Z11
Z12
Z13
Z14
Z15
Z16
Z17
Z18
0.060 “× 0.520 ”微带
0.360 “× 0.270 ”微带
0.060 “× 0.270 ”微带
0.130 “× 0.060 ”微带
0.300 “× 0.060 ”微带
0.210 “× 0.060 ”微带
0.600 “× 0.060 ”微带
0.290 “× 0.060 ”微带
0.340 “× 0.060 ”微带
图1： 930 - 960 MHz的宽带测试电路原理图
表6. 930 - 960 MHz的宽带测试电路元件牌号和值
部分
B1
B2
C1, C7, C13, C14
C2, C3, C11
C4, C5
C6, C15, C16
C8, C9
C10
C12
C17
L1, L2
N1, N2
WB1 ， WB2
板材料
PCB
短式铁氧体磁珠
龙铁氧体磁珠
47 pF的贴片电容
0.8- 8.0 Gigatrim可变电容器
11 pF的片式电容器（ MRF9060NR1 ）
10 pF的片式电容器（ MRF9060NBR1 ）
10
MF，
35 V片式钽电容器
10 pF的贴片电容
3.9 pF的贴片电容
1.7 pF的贴片电容
220
mF
电解贴片电容
12.5 nH的电感器
N - 类型面板安装，带状线
15万铜管上穿块
30万铁氟龙玻璃
,
ε
r
= 2.55铜包钢， 2盎司铜
蚀刻电路板
RF - 35 - 0300
TO - 270 / TO - 272面/螺栓
Taconic的
DSelectronics
描述
95F786
95F787
100B470JP 500X
44F3360
100B110JP 500X
100B100JP 500X
93F2975
100B100JP 500X
100B3R9CP 500X
100B1R7BP 500X
14F185
A04T- 5
3052- 1648- 10
产品型号
生产厂家
纽瓦克
纽瓦克
ATC
纽瓦克
ATC
纽瓦克
纽瓦克
ATC
ATC
纽瓦克
Coilcraft公司
安富利
MRF9060NR1 MRF9060NBR1
4
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
C6
C17
V
GG
B1
B2
C7
C14
L1
C4
WB1
切出区
C3
C5
C8
WB2
C9
C10
L2
V
DD
C15 C16
产量
C11
C12
C13
输入
C1
C2
MRF9060M
MRF9060MB
飞思卡尔已经开始标记印刷电路板（PCB ）的过渡与飞思卡尔半导体
签名/标志。多氯联苯可能有过渡期间无论是摩托罗拉，飞思卡尔标记。这些变化将产生
在外形，装配或现有产品的功能没有任何影响。
图2： 930 - 960 MHz的宽带测试电路元件布局
MRF9060NR1 MRF9060NBR1
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
5
飞思卡尔半导体公司
技术参数
文档编号： MRF9060N
启示录13 ， 2009年6月
射频功率场效应晶体管
N - 沟道增强 - 模式横向MOSFET
不推荐用于新设计
在945 MHz时， 26伏典型性能
输出功率 - 60瓦PEP
功率增益 - 18.0分贝
效率 - 40 ％ （二声调）
IMD - - 31.5 dBc的
能够处理5 ： 1 VSWR ， @ 26伏直流电， 945兆赫， 60瓦CW
输出功率
特点
优良的热稳定性
特点等效串联阻抗大 - 信号阻抗参数
集成ESD保护
200℃有能力塑料包装
后缀表示铅 - 免费终结。符合RoHS 。
TO - 270 - 2可在磁带和卷轴。 R1每24毫米后缀= 500单位，
13英寸的卷轴。
945兆赫， 60 W， 26 V
横向N - CHANNEL
宽带
RF功率MOSFET
案例1265年至1209年，风格1
TO - 270 - 2
塑料
表1.最大额定值
等级
漏 - 源极电压
栅 - 源电压
器件总功耗@ T
C
= 25°C
减免上述25℃
存储温度范围
工作结温
符号
V
DSS
V
GS
P
D
T
英镑
T
J
价值
- 0.5, +65
- 0.5, + 15
223
1.79
- 65 + 150
200
单位
VDC
VDC
W
W / ℃，
°C
°C
表2.热特性
特征
热阻，结到外壳
符号
R
θJC
价值
(1)
0.56
单位
° C / W
表3. ESD保护特性
测试条件
人体模型
机器型号
充电器型号
类
1 （最低）
M2 （最低）
C6 （最低）
表4.湿度敏感度等级
测试方法
每JESD22 - A113 ， IPC / JEDEC J - STD - 020
等级
3
封装峰值温度
260
单位
°C
1. MTTF计算器可在http://www.freescale.com/rf 。选择软件&工具/开发工具/计算器访问MTTF
计算器按照产品。
飞思卡尔半导体公司， 2008-2009 。版权所有。
MRF9060NR1
1
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
不推荐用于新设计
设计用于frequen-宽带商业和工业应用
连锁商店最高到1000 MHz 。该装置的高增益和宽带性能
使其非常适用于大信号，在26伏的共源放大器应用
基站设备。
MRF9060NR1
表5.电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
特征
开关特性
零栅极电压漏极漏电流
(V
DS
= 65伏，V
GS
= 0伏）
I
DSS
I
DSS
I
GSS
—
—
—
—
—
—
10
1
1
μAdc
符号
民
典型值
最大
单位
不推荐用于新设计
门 - 源极漏电流
(V
GS
= 5伏，V
DS
= 0伏）
基本特征
栅极阈值电压
(V
DS
= 10 VDC ，我
D
= 200
μAdc ）
门静态电压
(V
DS
= 26伏直流，我
D
= 450 MADC ）
漏极 - 源极导 - 电压
(V
GS
= 10 VDC ，我
D
= 1.3 ADC）
正向跨导
(V
DS
= 10 VDC ，我
D
= 4 ADC）
动态特性
输入电容
(V
DS
= 26伏直流
±
30毫伏（ RMS） AC @ 1 MHz时，V
GS
= 0伏）
输出电容
(V
DS
= 26伏直流
±
30毫伏（ RMS） AC @ 1 MHz时，V
GS
= 0伏）
反向传输电容
(V
DS
= 26伏直流
±
30毫伏（ RMS） AC @ 1 MHz时，V
GS
= 0伏）
功能测试
（飞思卡尔测试夹具， 50欧姆系统）
两种 - 普通音 - 源放大器功率增益
(V
DD
= 26伏直流电，P
OUT
= 60瓦PEP ，我
DQ
= 450毫安，
F1 = 945.0兆赫， F2 = 945.1兆赫）
两个 - 音漏极效率
(V
DD
= 26伏直流电，P
OUT
= 60瓦PEP ，我
DQ
= 450毫安，
F1 = 945.0兆赫， F2 = 945.1兆赫）
三阶互调失真
(V
DD
= 26伏直流电，P
OUT
= 60瓦PEP ，我
DQ
= 450毫安，
F1 = 945.0兆赫， F2 = 945.1兆赫）
输入回波损耗
(V
DD
= 26伏直流电，P
OUT
= 60瓦PEP ，我
DQ
= 450毫安，
F1 = 945.0兆赫， F2 = 945.1兆赫）
两种 - 普通音 - 源放大器功率增益
(V
DD
= 26伏直流电，P
OUT
= 60瓦PEP ，我
DQ
= 450毫安，
F1 = 930.0兆赫， F2 = 930.1 MHz和F1 = 960.0兆赫，
F2 = 960.1兆赫）
两个 - 音漏极效率
(V
DD
= 26伏直流电，P
OUT
= 60瓦PEP ，我
DQ
= 450毫安，
F1 = 930.0兆赫， F2 = 930.1 MHz和F1 = 960.0兆赫，
F2 = 960.1兆赫）
三阶互调失真
(V
DD
= 26伏直流电，P
OUT
= 60瓦PEP ，我
DQ
= 450毫安，
F1 = 930.0兆赫， F2 = 930.1 MHz和F1 = 960.0兆赫，
F2 = 960.1兆赫）
输入回波损耗
(V
DD
= 26伏直流电，P
OUT
= 60瓦PEP ，我
DQ
= 450毫安，
F1 = 930.0兆赫， F2 = 930.1 MHz和F1 = 960.0兆赫，
F2 = 960.1兆赫）
μAdc
V
GS （ TH）
V
GS （ Q）
V
DS （ ON）
g
fs
2
3
—
—
2.8
3.7
0.21
5.3
4
5
0.4
—
VDC
VDC
VDC
S
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
—
—
—
101
53
2.5
—
—
—
pF
pF
pF
G
ps
17
18
—
dB
η
37
40
—
%
IMD
—
- 31.5
- 28
dBc的
IRL
—
- 14.5
-9
dB
G
ps
—
18
—
dB
η
—
40
—
%
IMD
—
- 31
—
dBc的
IRL
—
- 12.5
—
dB
MRF9060NR1
2
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
不推荐用于新设计
零栅极电压漏极漏电流
(V
DS
= 26伏，V
GS
= 0伏）
μAdc
V
GG
C6
RF
输入
B1
+
C7
L1
C4
DUT Z11
Z1
C1
Z2
Z3
Z4
Z5
C2
Z6
Z7
Z8
C3
Z9
C5
Z10
C9
Z12
Z13
Z14
L2
B2
+
C14
C15
+
C16
+
C17
RF
产量
Z15
Z16
Z17
Z18
C13
C8
C10
C11
C12
V
DD
不推荐用于新设计
Z1
Z2
Z3
Z4
Z5
Z6
Z7
Z8
Z9
0.240″
0.240″
0.500″
0.100″
0.330″
0.120″
0.270″
0.240″
0.340″
x 0.060″
x 0.060″
x 0.100″
x 0.270″
x 0.270″
x 0.270″
x 0.520″
x 0.520″
x 0.520″
微带
微带
微带
X 0.080 “ ，锥
微带
微带
X 0.140 “ ，锥
微带
微带
Z10
Z11
Z12
Z13
Z14
Z15
Z16
Z17
Z18
0.060″
0.360″
0.060″
0.130″
0.300″
0.210″
0.600″
0.290″
0.340″
x 0.520″
x 0.270″
x 0.270″
x 0.060″
x 0.060″
x 0.060″
x 0.060″
x 0.060″
x 0.060″
微带
微带
微带
微带
微带
微带
微带
微带
微带
图1： 930 - 960 MHz的宽带测试电路原理图
表6. 930 - 960 MHz的宽带测试电路元件牌号和值
部分
B1
B2
C1, C7, C13, C14
C2, C3, C11
C4, C5
C6, C15, C16
C8, C9
C10
C12
C17
L1, L2
板材料
短式铁氧体磁珠
龙铁氧体磁珠
47 pF的贴片电容
0.8 - 8.0 Gigatrim可变电容器
11 pF的片式电容器（ MRF9060NR1 ）
10 pF的片式电容器（ MRF9060NBR1 ）
10
MF，
35 V片式钽电容器
10 pF的贴片电容
3.9 pF的贴片电容
1.7 pF的贴片电容
220
mF
电解贴片电容
12.5 nH的电感器
30万铁氟龙玻璃
,
ε
r
= 2.55铜包钢， 2盎司铜
描述
产品型号
2743019447
2743029446
ATC100B470JT500XT
27291SL
ATC100B110JT500XT
ATC100B100JT500XT
T491D106K035AT
ATC100B100JT500XT
ATC100B3R9CT500XT
ATC100B1R7BT500XT
MCAX63V227M13X22
A04T - 5
RF - 35 - 0300
生产厂家
博览会 - 爱色丽
博览会 - 爱色丽
ATC
约翰森
ATC
基美
纽瓦克
ATC
ATC
MULTICOMP
Coilcraft公司
Taconic的
MRF9060NR1
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
3
不推荐用于新设计
C6
C17
V
GG
B1
B2
C7
V
DD
不推荐用于新设计
C15 C16
产量
C10
C11
C12
C13
L1
输入
C1
C2
C3
C4
WB1
切出区
C5
C8
WB2
C9
L2
MRF9060M
MRF9060MB
飞思卡尔已经开始标记印刷电路板（PCB ）的过渡与飞思卡尔半导体
签名/标志。多氯联苯可能有过渡期间无论是摩托罗拉，飞思卡尔标记。这些变化将产生
在外形，装配或现有产品的功能没有任何影响。
图2： 930 - 960 MHz的宽带测试电路元件布局
MRF9060NR1
4
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
不推荐用于新设计
C14
QQ：2880707522 复制
