摩托罗拉
半导体技术资料
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通过MRF9060M / D
射频亚微米MOSFET线
射频功率场效应晶体管
N沟道增强模式横向的MOSFET
设计用于frequen-宽带商业和工业应用
连锁商店高达1.0千兆赫。这些器件的高增益和宽带性能
使它们非常适用于大信号，共源放大器应用
26伏基站设备。
在945 MHz时， 26伏典型性能
输出功率 - 60瓦PEP
功率增益 - 18.0分贝
效率 - 40 ％ （二声调）
IMD - -31.5 dBc的
集成ESD保护
能够处理5 ： 1 VSWR ， @ 26伏直流电， 945兆赫， 60瓦CW
输出功率
优良的热稳定性
特点等效串联阻抗大信号阻抗参数
TO- 270双导线可在磁带和卷轴。每R1后缀= 500单位
24毫米， 13英寸卷轴。
TO- 272双导线可在磁带和卷轴。每R1后缀= 500单位
44毫米， 13英寸卷轴。
MRF9060MR1
MRF9060MBR1
945兆赫， 60 W， 26 V
横向N沟道
宽带
RF功率MOSFET
案例1265年至1207年，风格1
TO- 270双导
塑料
MRF9060MR1
CASE 1337至01年，风格1
TO- 272双导
塑料
MRF9060MBR1
最大额定值
等级
漏源电压
栅源电压
器件总功耗@ T
C
= 25°C
减免上述25℃
存储温度范围
工作结温
符号
V
DSS
V
GS
P
D
T
英镑
T
J
价值
65
–0.5, +15
223
1.79
-65到+150
175
单位
VDC
VDC
瓦
W / ℃，
°C
°C
热特性
特征
热阻，结到外壳
符号
R
θJC
最大
0.56
单位
° C / W
注 -
小心
- MOS器件容易受到由静电荷的损害。在处理合理的预防措施，并
包装MOS器件应观察。
转4
摩托罗拉RF
摩托罗拉公司，2002年
设备数据
MRF9060MR1 MRF9060MBR1
1
电气特性 - 续
(T
C
= 25 ° C除非另有说明）
特征
功能测试
（在摩托罗拉测试夹具， 50欧姆系统）
双色共源放大器功率增益
(V
DD
= 26伏直流电，P
OUT
= 60瓦PEP ，我
DQ
= 450毫安，
F1 = 945.0兆赫， F2 = 945.1兆赫）
双色漏极效率
(V
DD
= 26伏直流电，P
OUT
= 60瓦PEP ，我
DQ
= 450毫安，
F1 = 945.0兆赫， F2 = 945.1兆赫）
三阶互调失真
(V
DD
= 26伏直流电，P
OUT
= 60瓦PEP ，我
DQ
= 450毫安，
F1 = 945.0兆赫， F2 = 945.1兆赫）
输入回波损耗
(V
DD
= 26伏直流电，P
OUT
= 60瓦PEP ，我
DQ
= 450毫安，
F1 = 945.0兆赫， F2 = 945.1兆赫）
双色共源放大器功率增益
(V
DD
= 26伏直流电，P
OUT
= 60瓦PEP ，我
DQ
= 450毫安，
F1 = 930.0兆赫， F2 = 930.1 MHz和F1 = 960.0兆赫，
F2 = 960.1兆赫）
双色漏极效率
(V
DD
= 26伏直流电，P
OUT
= 60瓦PEP ，我
DQ
= 450毫安，
F1 = 930.0兆赫， F2 = 930.1 MHz和F1 = 960.0兆赫，
F2 = 960.1兆赫）
三阶互调失真
(V
DD
= 26伏直流电，P
OUT
= 60瓦PEP ，我
DQ
= 450毫安，
F1 = 930.0兆赫， F2 = 930.1 MHz和F1 = 960.0兆赫，
F2 = 960.1兆赫）
输入回波损耗
(V
DD
= 26伏直流电，P
OUT
= 60瓦PEP ，我
DQ
= 450毫安，
F1 = 930.0兆赫， F2 = 930.1 MHz和F1 = 960.0兆赫，
F2 = 960.1兆赫）
G
ps
17
18
—
dB
符号
民
典型值
最大
单位
η
37
40
—
%
IMD
—
–31.5
–28
dBc的
IRL
—
–14.5
–9
dB
G
ps
—
18
—
dB
η
—
40
—
%
IMD
—
–31
—
dBc的
IRL
—
–12.5
—
dB
摩托罗拉RF设备数据
MRF9060MR1 MRF9060MBR1
3
V
GG
C6
RF
输入
B1
+
C7
L1
C4
Z1
C1
Z2
Z3
Z4
Z5
C2
Z6
Z7
Z8
C3
Z9
C5
Z10
DUT Z11
C9
Z12
Z13
Z14
L2
B2
C14
+
C15
+
C16
+
C17
V
DD
RF
产量
Z15
Z16
Z17
Z18
C13
C8
C10
C11
C12
Z1
Z2
Z3
Z4
Z5
Z6
Z7
Z8
Z9
0.240 “× 0.060 ”微带
0.240 “× 0.060 ”微带
0.500 “× 0.100 ”微带
0.100 “× 0.270 ”× 0.080 “ ，锥
0.330 “× 0.270 ”微带
0.120 “× 0.270 ”微带
0.270 “× 0.520 ”× 0.140 “ ，锥
0.240 “× 0.520 ”微带
0.340 “× 0.520 ”微带
Z10
Z11
Z12
Z13
Z14
Z15
Z16
Z17
Z18
0.060 “× 0.520 ”微带
0.360 “× 0.270 ”微带
0.060 “× 0.270 ”微带
0.130 “× 0.060 ”微带
0.300 “× 0.060 ”微带
0.210 “× 0.060 ”微带
0.600 “× 0.060 ”微带
0.290 “× 0.060 ”微带
0.340 “× 0.060 ”微带
图1： 930-960 MHz的宽带测试电路原理图
表1. 930-960 MHz的宽带测试电路元件牌号和值
部分
B1
B2
C1, C7, C13, C14
C2, C3, C11
C4, C5
C6, C15, C16
C8, C9
C10
C12
C17
L1, L2
N1, N2
WB1 ， WB2
板材料
PCB
短式铁氧体磁珠
龙铁氧体磁珠
47 pF的贴片电容，B案例
0.8-8.0 Gigatrim可变电容器
11 pF的贴片电容，B案例（ MRF9060MR1 ）
10 pF的贴片电容，B案例（ MRF9060MBR1 ）
10
MF，
35 V片式钽电容器
10 pF的贴片电容，B案例
3.9 pF的贴片电容，B案例
1.7 pF的贴片电容，B案例
220
mF
电解贴片电容
12.5 nH的电感器
N型面板安装，带状线
15万铜管上穿块
30万铁氟龙玻璃
,
ε
r
= 2.55铜包钢， 2盎司铜
蚀刻电路板
RF–35–0300
TO- 270 / TO- 272表面/螺栓
Taconic的
DSelectronics
描述
值， P / N或DWG
95F786
95F787
100B470JP 500X
44F3360
100B110JP 500X
100B100JP 500X
93F2975
100B100JP 500X
100B3R9CP 500X
100B1R7BP 500X
14F185
A04T–5
3052–1648–10
生产厂家
纽瓦克
纽瓦克
ATC
纽瓦克
ATC
纽瓦克
纽瓦克
ATC
ATC
纽瓦克
Coilcraft公司
安富利
MRF9060MR1 MRF9060MBR1
4
摩托罗拉RF设备数据
C6
V
DD
B2
C7
L1
输入
C1
C2
C3
C4
WB1
切出区
C5
C14
C8
WB2
C9
L2
C15 C16
C17
V
GG
B1
产量
C10
C11
C12
C13
MRF9060M
MRF9060MB
图2： 930-960 MHz的宽带测试电路元件布局
摩托罗拉RF设备数据
MRF9060MR1 MRF9060MBR1
5
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