飞思卡尔半导体公司
技术参数
MRF9060
8牧师， 2004年12月
射频功率场效应晶体管
N沟道增强模式横向的MOSFET
设计用于frequen-宽带商业和工业应用
连锁商店最高到1000 MHz 。高增益和它们的宽带性能
装置使它们非常适用于大信号，共源放大器的应用
系统蒸发散在26伏基站设备。
在945 MHz时， 26伏特典型的双音性能
输出功率 - 60瓦PEP
功率增益 - 17分贝
效率= 40％
IMD =
31
dBc的
集成ESD保护
专为最大增益和插入相位平坦度
能够处理10 ： 1 VSWR ， @ 26伏直流电， 945兆赫， 60瓦CW
输出功率
优良的热稳定性
特点等效串联阻抗大信号阻抗参数
在磁带和卷轴。 R1后缀=每32毫米， 13英寸卷轴500单位。
较低的镀金厚度上信息。 L结尾的表示40μ “名义。
MRF9060LR1
MRF9060LSR1
945兆赫， 60 W， 26 V
横向N沟道
宽带
RF功率MOSFET
CASE 360B -05 ，风格1
NI360
MRF9060LR1
CASE 360C -05 ，风格1
NI360S
MRF9060LSR1
表1.最大额定值
等级
漏源电压
栅源电压
器件总功耗@ T
C
= 25°C
减免上述25℃
MRF9060LR1
MRF9060LSR1
存储温度范围
工作结温
T
英镑
T
J
符号
V
DSS
V
GS
P
D
价值
0.5,
+65
0.5,
+ 15
159
0.91
219
1.25
65
+150
200
单位
VDC
VDC
W
W / ℃，
W
W / ℃，
°C
°C
表2.热特性
特征
热阻，结到外壳
MRF9060LR1
MRF9060LSR1
符号
R
θJC
价值
1.1
0.8
单位
° C / W
表3. ESD保护特性
测试条件
人体模型
机器型号
类
1 （最低）
M1 （最低）
记
小心
MOS器件容易受到由静电荷的损害。在处理合理的预防措施，并
包装MOS器件应观察。
飞思卡尔半导体公司2004版权所有。
MRF9060LR1 MRF9060LSR1
51
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
表4.电气特性
(T
C
= 25 ° C除非另有说明）
（续）
特征
功能测试
（飞思卡尔测试夹具， 50欧姆系统）
双色共源放大器功率增益
(V
DD
= 26伏直流电，P
OUT
= 60瓦PEP ，我
DQ
= 450毫安，
F1 = 945.0兆赫， F2 = 945.1兆赫）
双色漏极效率
(V
DD
= 26伏直流电，P
OUT
= 60瓦PEP ，我
DQ
= 450毫安，
F1 = 945.0兆赫， F2 = 945.1兆赫）
三阶互调失真
(V
DD
= 26伏直流电，P
OUT
= 60瓦PEP ，我
DQ
= 450毫安，
F1 = 945.0兆赫， F2 = 945.1兆赫）
输入回波损耗
(V
DD
= 26伏直流电，P
OUT
= 60瓦PEP ，我
DQ
= 450毫安，
F1 = 945.0兆赫， F2 = 945.1兆赫）
双色共源放大器功率增益
(V
DD
= 26伏直流电，P
OUT
= 60瓦PEP ，我
DQ
= 450毫安，
F1 = 930.0兆赫， F2 = 930.1 MHz和F1 = 960.0兆赫，
F2 = 960.1兆赫）
双色漏极效率
(V
DD
= 26伏直流电，P
OUT
= 60瓦PEP ，我
DQ
= 450毫安，
F1 = 930.0兆赫， F2 = 930.1 MHz和F1 = 960.0兆赫，
F2 = 960.1兆赫）
三阶互调失真
(V
DD
= 26伏直流电，P
OUT
= 60瓦PEP ，我
DQ
= 450毫安，
F1 = 930.0兆赫， F2 = 930.1 MHz和F1 = 960.0兆赫，
F2 = 960.1兆赫）
输入回波损耗
(V
DD
= 26伏直流电，P
OUT
= 60瓦PEP ，我
DQ
= 450毫安，
F1 = 930.0兆赫， F2 = 930.1 MHz和F1 = 960.0兆赫，
F2 = 960.1兆赫）
功率输出， 1 dB压缩点
(V
DD
= 26伏直流电，P
OUT
= 60瓦CW ，我
DQ
= 450毫安，
F1 = 945.0兆赫）
共源放大器功率增益
(V
DD
= 26伏直流电，P
OUT
= 60瓦CW ，我
DQ
= 450毫安，
F1 = 945.0兆赫）
漏EF网络效率
(V
DD
= 26伏直流电，P
OUT
= 60瓦CW ，我
DQ
= 450毫安，
F1 = 945.0兆赫）
输出失配应力
(V
DD
= 26伏直流电，P
OUT
= 60瓦CW ，我
DQ
= 450毫安，
F = 945.0兆赫， VSWR = 10 ： 1 ，所有相位角频率为
测试）
G
ps
16
17
—
dB
符号
民
典型值
最大
单位
η
36
40
—
%
IMD
—
31
28
dBc的
IRL
—
16
9
dB
G
ps
—
17
—
dB
η
—
39
—
%
IMD
—
31
—
dBc的
IRL
—
16
—
dB
P
1dB
—
70
—
W
G
ps
—
17
—
dB
η
—
51
—
%
Ψ
在输出功率不降低
MRF9060LR1 MRF9060LSR1
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
53
V
GG
C6
RF
输入
B1
+
C7
L1
C4
Z1
C1
Z2
Z3
Z4
C2
Z5
Z6
Z7
C3
Z8
C5
Z9
Z10
DUT
C9
Z11 Z12
Z13
L2
B2
C13
+
C15
+
C16
+
C17
V
DD
Z14
Z15
Z16
C14
Z17
RF
产量
C8
C10
C11
C12
Z1
Z2
Z3
Z4
Z5
Z6
Z7
Z8
Z9
0.240 “× 0.060 ”微带
0.240 “× 0.060 ”微带
0.500 “× 0.100 ”微带
0.180 “× 0.270 ”微带
0.350 “× 0.270 ”微带
0.270 “× 0.520 X 0.140 ”锥
0.170 “× 0.520 ”微带
0.410 “× 0.520 ”微带
0.060 “× 0.520 ”微带
Z10
Z11
Z12
Z13
Z14
Z15
Z16
Z17
PCB
0.360 “× 0.270 ”微带
0.060 “× 0.270 ”微带
0.110 “× 0.060 ”微带
0.330 “× 0.060 ”微带
0.230 “× 0.060 ”微带
0.740 “× 0.060 ”微带
0.130 “× 0.060 ”微带
0.340 “× 0.060 ”微带
Taconic的RF- 35-0300 ， 30万，
ε
r
= 3.55
图1. 945 MHz的宽带测试电路原理图
表5. 945 MHz的宽带测试电路元件牌号和值
部分
B1
B2
C1, C7, C13, C14
C2, C3, C11
C4, C5, C8, C9
C6, C15, C16
C10
C12
C17
L1, L2
N1, N2
WB1 ， WB2
短式铁氧体磁珠
龙铁氧体磁珠
47 pF的贴片电容
0.8-8.0 Gigatrim可变电容器
10 pF的贴片电容
10
MF，
35 V钽贴片电容器
3.0 pF的贴片电容
0.5 pF的贴片电容（ MRF9060 ）
0.7 pF的贴片电容（ MRF9060S ）
220
mF
电解贴片电容
12.5 nH的电感器
N型面板安装，带状线
10万铜管上穿块
描述
95F786
95F787
100B470JP 500X
44F3360
100B100JP 500X
93F2975
100B3R0JP 500X
100B0R5BP 500X
100B0R7BP 500X
14F185
A04T5
3052164810
产品型号
生产厂家
纽瓦克
纽瓦克
ATC
纽瓦克
ATC
纽瓦克
ATC
ATC
ATC
纽瓦克
Coilcraft公司
安富利
MRF9060LR1 MRF9060LSR1
54
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
C6
V
DD
C7
B2
C13
L1
输入
C1
C2
C3
C4
WB1
切出区
C5
C8
WB2
C9
L2
C15 C16
C17
V
GG
B1
C14
C10
C11
C12
产量
MRF9060
900兆赫
Rev-02
飞思卡尔已经开始标记印刷电路板（PCB ）的过渡与飞思卡尔半导体
签名/标志。多氯联苯可能有过渡期间无论是摩托罗拉，飞思卡尔标记。这些变化将产生
在外形，装配或现有产品的功能没有任何影响。
图2： 930
960 MHz的宽带测试电路元件布局
MRF9060LR1 MRF9060LSR1
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
55
QQ：2880707522 复制
