飞思卡尔半导体公司
技术参数
文档编号： MRF9045N
启12 ， 9/2008
射频功率场效应晶体管
N - 沟道增强 - 模式横向MOSFET
不推荐用于新设计
在945 MHz时， 28伏典型性能
输出功率 - 45瓦PEP
功率增益 - 19分贝
效率 - 41 ％ （二声调）
IMD - - 31 dBc的
集成ESD保护
保证坚固@负载VSWR = 5 ： 1 ， @ 28伏直流电， 945兆赫，
45瓦CW输出功率
特点
优良的热稳定性
特点等效串联阻抗大 - 信号阻抗参数
双 - 铅Boltdown塑料包装，也可用于表面
坐骑。
200℃有能力塑料包装
后缀表示铅 - 免费终结。符合RoHS 。
TO - 270 - 2可在磁带和卷轴。 R1每24毫米后缀= 500单位，
13英寸的卷轴。
945兆赫， 45 W， 28 V
横向N - CHANNEL
宽带
RF功率MOSFET
案例1265年至1209年，风格1
TO - 270 - 2
塑料
表1.最大额定值
等级
漏 - 源极电压
栅 - 源电压
器件总功耗@ T
C
= 25°C
减免上述25℃
存储温度范围
工作结温
符号
V
DSS
V
GS
P
D
T
英镑
T
J
价值
- 0.5, +65
- 0.5, + 15
177
1.18
- 65 + 150
200
单位
VDC
VDC
W
W / ℃，
°C
°C
表2.热特性
特征
热阻，结到外壳
符号
R
θJC
价值
(1)
0.85
单位
° C / W
表3. ESD保护特性
测试条件
人体模型
机器型号
类
1 （最低）
M2 （最低）
表4.湿度敏感度等级
测试方法
每JESD 22 - A113 ， IPC / JEDEC J - STD - 020
等级
3
封装峰值温度
260
单位
°C
1. MTTF计算器可在http://www.freescale.com/rf 。选择软件&工具/开发工具/计算器访问MTTF
计算器按照产品。
飞思卡尔半导体公司， 2008年。保留所有权利。
MRF9045NR1
1
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
不推荐用于新设计
设计用于frequen-宽带商业和工业应用
连锁商店最高到1000 MHz 。该装置的高增益和宽带性能
使其非常适用于大型 - 信号，常见的 - 源极放大器在28伏的应用
基站设备。
MRF9045NR1
表5.电气特性
(T
C
= 25 ° C除非另有说明）
特征
开关特性
零栅极电压漏极漏电流
(V
DS
= 65伏，V
GS
= 0伏）
I
DSS
I
DSS
I
GSS
—
—
—
—
—
—
10
1
1
μAdc
μAdc
μAdc
符号
民
典型值
最大
单位
不推荐用于新设计
门 - 源极漏电流
(V
GS
= 5伏，V
DS
= 0伏）
基本特征
栅极阈值电压
(V
DS
= 10 VDC ，我
D
= 150
μAdc ）
门静态电压
(V
DS
= 28伏直流，我
D
= 350 MADC ）
漏极 - 源极导 - 电压
(V
GS
= 10 VDC ，我
D
= 1 ADC）
正向跨导
(V
DS
= 10 VDC ，我
D
= 3 ADC）
动态特性
输入电容
(V
DS
= 28伏直流
±
30毫伏（ RMS） AC @ 1 MHz时，V
GS
= 0伏）
输出电容
(V
DS
= 28伏直流
±
30毫伏（ RMS） AC @ 1 MHz时，V
GS
= 0伏）
反向传输电容
(V
DS
= 28伏直流
±
30毫伏（ RMS） AC @ 1 MHz时，V
GS
= 0伏）
功能测试
（飞思卡尔测试夹具， 50欧姆系统）
两种 - 普通音 - 源放大器功率增益
(V
DD
= 28伏直流电，P
OUT
= 45瓦PEP ，我
DQ
= 350毫安，
F1 = 945.0兆赫， F2 = 945.1兆赫）
两个 - 音漏极效率
(V
DD
= 28伏直流电，P
OUT
= 45瓦PEP ，我
DQ
= 350毫安，
F1 = 945.0兆赫， F2 = 945.1兆赫）
三阶互调失真
(V
DD
= 28伏直流电，P
OUT
= 45瓦PEP ，我
DQ
= 350毫安，
F1 = 945.0兆赫， F2 = 945.1兆赫）
输入回波损耗
(V
DD
= 28伏直流电，P
OUT
= 45瓦PEP ，我
DQ
= 350毫安，
F1 = 945.0兆赫， F2 = 945.1兆赫）
两种 - 普通音 - 源放大器功率增益
(V
DD
= 28伏直流电，P
OUT
= 45瓦PEP ，我
DQ
= 350毫安，
F1 = 930.0兆赫， F2 = 930.1 MHz和F1 = 960.0兆赫，
F2 = 960.1兆赫）
两个 - 音漏极效率
(V
DD
= 28伏直流电，P
OUT
= 45瓦PEP ，我
DQ
= 350毫安，
F1 = 930.0兆赫， F2 = 930.1 MHz和F1 = 960.0兆赫，
F2 = 960.1兆赫）
三阶互调失真
(V
DD
= 28伏直流电，P
OUT
= 45瓦PEP ，我
DQ
= 350毫安，
F1 = 930.0兆赫， F2 = 930.1 MHz和F1 = 960.0兆赫，
F2 = 960.1兆赫）
输入回波损耗
(V
DD
= 28伏直流电，P
OUT
= 45瓦PEP ，我
DQ
= 350毫安，
F1 = 930.0兆赫， F2 = 930.1 MHz和F1 = 960.0兆赫，
F2 = 960.1兆赫）
V
GS （ TH）
V
GS （ Q）
V
DS （ ON）
g
fs
2
3
—
—
2.8
3.7
0.22
4
4
5
0.4
—
VDC
VDC
VDC
S
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
—
—
—
70
38
1.7
—
—
—
pF
pF
pF
G
ps
17
19
—
dB
η
38
41
—
%
IMD
—
- 31
- 28
dBc的
IRL
—
- 14
-9
dB
G
ps
—
19
—
dB
η
—
41
—
%
IMD
—
- 31
—
dBc的
IRL
—
- 13
—
dB
MRF9045NR1
2
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
不推荐用于新设计
零栅极电压漏极漏电流
(V
DS
= 28伏，V
GS
= 0伏）
B1
V
GG
+
C6
C7
C14
B2
+
C15
+
C16
+
V
DD
C17
L1
C5
C9
DUT
Z8
Z9
C8
C2
C3
C4
Z10
L2
Z11
Z12 C13
不推荐用于新设计
RF
输入Z1
C1 Z2
Z3
Z4
Z5
Z6
Z7
C10
C11
C12
B1, B2
C1, C7, C13, C14
C2, C8
C3
C4, C5, C8, C9
C6, C15, C16
C10
C11
C12
C17
L1, L2
Z1
Z2
短铁氧体磁珠，表面贴装
47 pF的贴片电容
2.7 pF的贴片电容
3.9 pF的贴片电容
10 pF的贴片电容
10
μF,
35 V钽表面贴装电容器
2.2 pF的贴片电容
4.7 pF的贴片电容
1.2 pF的贴片电容
220
μF,
50 V电解电容
12.5 nH的电感器
0.20 “× 0.08 ”微带
0.57 “× 0.12 ”微带
Z3
Z4
Z5
Z6
Z7
Z8
Z9
Z10
Z11
Z12
Z13
0.14″
0.47″
0.16″
0.18″
0.56″
0.33″
0.14″
0.36″
1.01″
0.15″
0.29″
x 0.32″
x 0.32″
x 0.32″
x 0.62″
x 0.62″
x 0.32″
x 0.32″
x 0.08″
x 0.08″
x 0.08″
x 0.08″
微带
微带
X 0.62 “锥
微带
微带
微带
微带
微带
微带
微带
微带
图1. MRF9045NR1 930 - 960 MHz的宽带测试电路原理图
C6
V
BIAS
B1
B2
C7
C5
WB1
WB2
C4
切出区
C9
C8
C10 C11
C12 C13
C14
L2
C15 C16
A2
C17
V
供应
L1
A1
C1
C2
C3
地
MRF9045MR1
地
飞思卡尔已经开始标记印刷电路板（PCB ）的过渡与飞思卡尔半导体
签名/标志。多氯联苯可能有过渡期间无论是摩托罗拉，飞思卡尔标记。这些变化将产生
在外形，装配或现有产品的功能没有任何影响。
图2. MRF9045NR1 930 - 960 MHz的宽带测试电路元件布局
MRF9045NR1
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
3
不推荐用于新设计
RF
产量
Z13
B1
V
GG
+
C7
C8
L1
L2
C14
B2
+
C15
+
C16
+
V
DD
C17
不推荐用于新设计
RF
输入Z1
C1 Z2
Z3
Z4
Z5
Z6
Z7
DUT
Z8
Z9
Z10
Z11
Z12
C13
C2
C3
C4
C6
C10
C11
C12
B1
B2
C1, C8, C13, C14
C2
C3
C4
C5, C6, C9, C10
C7, C15, C16
C11
C12
C17
L1, L2
WB1 ， WB2
短式铁氧体磁珠
龙铁氧体磁珠
47 pF的贴片电容
0.4 - 2.5 pF的可变电容，约翰森Gigatrim
3.6 pF的贴片电容
0.8 - 8.0 pF的可变电容，约翰森Gigatrim
10 pF的贴片电容
10
μF,
35 V片式钽电容器
7.5 pF的贴片电容
0.6 - 4.5 pF的可变电容，约翰森Gigatrim
220
μF
电解贴片电容
12.5 nH的表面贴装电感器
10万铜管上穿块
Z1
Z2
Z3
Z4
Z5
Z6
Z7
Z8
Z9
Z10
Z11
Z12
Z13
板
0.260 “× 0.060 ”微带
0.240 “× 0.060 ”微带
0.500 “× 0.100 ”微带
0.215 “× 0.270 ”微带
0.315 “× 0.270 ”微带
0.160 “× 0.270 ”× 0.520 “锥
0.285 “× 0.520 ”微带
0.140 “× 0.270 ”微带
0.450 “× 0.270 ”微带
0.250 “× 0.060 ”微带
0.720 “× 0.060 ”微带
0.490 “× 0.060 ”微带
0.290 “× 0.060 ”微带
Taconic的RF - 35 - 0300 ，
ε
r
= 3.5
图3. MRF9045NR1 930 - 960 MHz的宽带测试电路原理图
C17
V
DD
C15 C16
C7
V
GG
B1
C8
C14
L2
WB2
C9
C10
C11
B2
输入
C1
C2
WB1
L1
C3
C4
C5
C13
C12
产量
切出区
C6
MRF9045MB
900兆赫
Rev02
飞思卡尔已经开始标记印刷电路板（PCB ）的过渡与飞思卡尔半导体
签名/标志。多氯联苯可能有过渡期间无论是摩托罗拉，飞思卡尔标记。这些变化将产生
在外形，装配或现有产品的功能没有任何影响。
图4. MRF9045NR1 930 - 960 MHz的宽带测试电路元件布局
MRF9045NR1
4
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
不推荐用于新设计
C5
C9
RF
产量
Z13
QQ：2880707522 复制
