摩托罗拉
半导体技术资料
飞思卡尔半导体公司
订购此文件
通过MRF9045MR1 / D
射频亚微米MOSFET线
射频功率场效应晶体管
设计用于frequen-宽带商业和工业应用
连锁商店高达1.0千兆赫。这些器件的高增益和宽带性能
使它们非常适用于大信号，共源放大器应用
28伏基站设备。
在945 MHz时， 28伏典型性能
输出功率 - 45瓦PEP
功率增益 - 19分贝
效率 - 41 ％ （二声调）
IMD - -31 dBc的
集成ESD保护
保证坚固@负载VSWR = 5 ： 1 ， @ 28伏直流电， 945兆赫，
45瓦CW输出功率
优良的热稳定性
特点等效串联阻抗大信号阻抗参数
双导Boltdown塑料包装，也可用于表面
坐骑。
TO- 272可在磁带和卷轴。 R1每44毫米后缀= 500单位，
13英寸的卷轴。
TO- 270可在磁带和卷轴。 R1每24毫米后缀= 500单位，
13英寸的卷轴。
N沟道增强模式横向的MOSFET
MRF9045MR1
MRF9045MBR1
945兆赫， 45 W， 28 V
横向N沟道
宽带
RF功率MOSFET
飞思卡尔半导体公司...
CASE 1265至08年，风格1
TO–270
塑料
MRF9045MR1
案例1337年至1303年，风格1
TO- 272双导
塑料
MRF9045MBR1
最大额定值
等级
漏源电压
栅源电压
器件总功耗@ T
C
= 25°C
减免上述25℃
存储温度范围
工作结温
符号
V
DSS
V
GS
P
D
T
英镑
T
J
特征
热阻，结到外壳
符号
R
θJC
价值
65
+15, –0.5
177
1.18
-65到+150
175
单位
VDC
VDC
瓦
W / ℃，
°C
°C
热特性
最大
0.85
单位
° C / W
ESD保护特性
测试条件
人体模型
机器型号
类
1 （最低）
M2 （最低）
湿度敏感度等级
测试方法
每JESD 22 - A113
等级
3
注 -
小心
- MOS器件容易受到由静电荷的损害。在处理合理的预防措施，并
包装MOS器件应观察。
REV 6
摩托罗拉RF
摩托罗拉公司2003
设备数据
欲了解更多有关该产品，
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MRF9045MR1 MRF9045MBR1
1
飞思卡尔半导体公司
电气特性
(T
C
= 25 ° C除非另有说明）
特征
符号
民
典型值
最大
单位
开关特性
零栅极电压漏极漏电流
(V
DS
= 65伏，V
GS
= 0伏）
零栅极电压漏极漏电流
(V
DS
= 28伏，V
GS
= 0伏）
门源漏电流
(V
GS
= 5伏，V
DS
= 0伏）
I
DSS
I
DSS
I
GSS
—
—
—
—
—
—
10
1
1
μAdc
μAdc
μAdc
基本特征
栅极阈值电压
(V
DS
= 10 VDC ，我
D
= 150
μAdc ）
门静态电压
(V
DS
= 28伏直流，我
D
= 350 MADC ）
V
GS （ TH）
V
GS （ Q）
V
DS （ ON）
g
fs
2
3
—
—
2.8
3.7
0.22
4
4
5
0.4
—
VDC
VDC
VDC
S
飞思卡尔半导体公司...
漏源电压
(V
GS
= 10 VDC ，我
D
= 1 ADC）
正向跨导
(V
DS
= 10 VDC ，我
D
= 3 ADC）
动态特性
输入电容
(V
DS
= 28伏直流
±
30毫伏（ RMS） AC @ 1 MHz时，V
GS
= 0伏）
输出电容
(V
DS
= 28伏直流
±
30毫伏（ RMS） AC @ 1 MHz时，V
GS
= 0伏）
反向传输电容
(V
DS
= 28伏直流
±
30毫伏（ RMS） AC @ 1 MHz时，V
GS
= 0伏）
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
—
—
—
70
38
1.7
—
—
—
pF
pF
pF
功能测试
（在摩托罗拉测试夹具， 50欧姆系统）
双色共源放大器功率增益
(V
DD
= 28伏直流电，P
OUT
= 45瓦PEP ，我
DQ
= 350毫安，
F1 = 945.0兆赫， F2 = 945.1兆赫）
双色漏极效率
(V
DD
= 28伏直流电，P
OUT
= 45瓦PEP ，我
DQ
= 350毫安，
F1 = 945.0兆赫， F2 = 945.1兆赫）
三阶互调失真
(V
DD
= 28伏直流电，P
OUT
= 45瓦PEP ，我
DQ
= 350毫安，
F1 = 945.0兆赫， F2 = 945.1兆赫）
输入回波损耗
(V
DD
= 28伏直流电，P
OUT
= 45瓦PEP ，我
DQ
= 350毫安，
F1 = 945.0兆赫， F2 = 945.1兆赫）
双色共源放大器功率增益
(V
DD
= 28伏直流电，P
OUT
= 45瓦PEP ，我
DQ
= 350毫安，
F1 = 930.0兆赫， F2 = 930.1 MHz和F1 = 960.0兆赫，
F2 = 960.1兆赫）
双色漏极效率
(V
DD
= 28伏直流电，P
OUT
= 45瓦PEP ，我
DQ
= 350毫安，
F1 = 930.0兆赫， F2 = 930.1 MHz和F1 = 960.0兆赫，
F2 = 960.1兆赫）
三阶互调失真
(V
DD
= 28伏直流电，P
OUT
= 45瓦PEP ，我
DQ
= 350毫安，
F1 = 930.0兆赫， F2 = 930.1 MHz和F1 = 960.0兆赫，
F2 = 960.1兆赫）
输入回波损耗
(V
DD
= 28伏直流电，P
OUT
= 45瓦PEP ，我
DQ
= 350毫安，
F1 = 930.0兆赫， F2 = 930.1 MHz和F1 = 960.0兆赫，
F2 = 960.1兆赫）
G
ps
17
19
—
dB
η
38
41
—
%
IMD
—
–31
–28
dBc的
IRL
—
–14
–9
dB
G
ps
—
19
—
dB
η
—
41
—
%
IMD
—
–31
—
dBc的
IRL
—
–13
—
dB
MRF9045MR1 MRF9045MBR1
2
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摩托罗拉RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
V
GG
B1
+
C6
C7
L1
RF
输入Z1
C5
C1
Z2
Z3
Z4
Z5
Z6
Z7
DUT
Z8
C9
Z9
C8
Z10
C10
Z11
C11
Z12
C13
C12
C14
B2
+
C15
+
C16
+
C17
V
DD
L2
RF
产量
Z13
C2
C3
C4
飞思卡尔半导体公司...
B1, B2
C1, C7, C13, C14
C2, C8
C3
C4, C5, C8, C9
C6, C15, C16
C10
C11
C12
C17
L1, L2
Z1
Z2
短铁氧体磁珠，表面贴装
47 pF的贴片电容，B案例
2.7 pF的贴片电容，B案例
3.9 pF的贴片电容，B案例
10 pF的贴片电容，B案例
10
F,
35 V钽表面贴装电容器
2.2 pF的贴片电容，B案例
4.7 pF的贴片电容，B案例
1.2 pF的贴片电容，B案例
220
F,
50 V电解电容
12.5 nH的电感器
0.20 “× 0.08 ”微带
0.57 “× 0.12 ”微带
Z3
Z4
Z5
Z6
Z7
Z8
Z9
Z10
Z11
Z12
Z13
0.14 “× 0.32 ”微带
0.47 “× 0.32 ”微带
0.16 “× 0.32 ”× 0.62 “锥
0.18 “× 0.62 ”微带
0.56 “× 0.62 ”微带
0.33 “× 0.32 ”微带
0.14 “× 0.32 ”微带
0.36 “× 0.08 ”微带
1.01 “× 0.08 ”微带
0.15 “× 0.08 ”微带
0.29 “× 0.08 ”微带
图1. MRF9045MR1 930-960 MHz的宽带测试电路原理图
C6
V
BIAS
C17
B1
C7
L1
C2
C3
C5
B2
C14
L2
C15 C16
A2
C10 C11
C12 C13
V
供应
A1
C1
C4
切出区
C9
C8
WB1
WB2
地
MRF9045MR1
地
图2. MRF9045MR1 930-960 MHz的宽带测试电路元件布局
摩托罗拉RF设备数据
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MRF9045MR1 MRF9045MBR1
3
飞思卡尔半导体公司
V
GG
B1
+
C7
C8
C14
L2
RF
产量
Z13
B2
+
C15
+
C16
+
C17
V
DD
L1
RF
输入Z1
C5
C1
Z2
Z3
Z4
Z5
Z6
Z7
DUT
Z8
C9
Z9
Z10
Z11
Z12
C13
C2
C3
C4
C6
C10
C11
C12
飞思卡尔半导体公司...
B1
B2
C1, C8, C13, C14
C2
C3
C4
C5, C6, C9, C10
C7, C15, C16
C11
C12
C17
L1, L2
WB1 ， WB2
短式铁氧体磁珠
龙铁氧体磁珠
47 pF的贴片电容，B案例
0.4-2.5 pF的可变电容，约翰森Gigatrim
3.6 pF的贴片电容，B案例
0.8-8.0 pF的可变电容，约翰森Gigatrim
10 pF的贴片电容，B案例
10
F,
35 V片式钽电容器
7.5 pF的贴片电容，B案例
0.6-4.5 pF的可变电容，约翰森Gigatrim
220
F
电解贴片电容
12.5 nH的表面贴装电感器
10万铜管上穿块
Z1
Z2
Z3
Z4
Z5
Z6
Z7
Z8
Z9
Z10
Z11
Z12
Z13
板
0.260 “× 0.060 ”微带
0.240 “× 0.060 ”微带
0.500 “× 0.100 ”微带
0.215 “× 0.270 ”微带
0.315 “× 0.270 ”微带
0.160 “× 0.270 ”× 0.520 “锥
0.285 “× 0.520 ”微带
0.140 “× 0.270 ”微带
0.450 “× 0.270 ”微带
0.250 “× 0.060 ”微带
0.720 “× 0.060 ”微带
0.490 “× 0.060 ”微带
0.290 “× 0.060 ”微带
Taconic的RF- 35-0300 ，
ε
r
= 3.5
图3. MRF9045MBR1 930-960 MHz的宽带测试电路原理图
C17
C7
B1
C8
C5
WB1
WB2
C4
C6
C14
L2
C13
C11
C12
产量
V
DD
C15 C16
V
GG
B2
输入
C1
C2
L1
C3
C9
C10
切出区
MRF9045MB
900兆赫
Rev-02
图4. MRF9045MBR1 930-960 MHz的宽带测试电路元件布局
MRF9045MR1 MRF9045MBR1
4
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摩托罗拉RF设备数据
摩托罗拉
半导体技术资料
飞思卡尔半导体公司
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通过MRF9045MR1 / D
射频亚微米MOSFET线
射频功率场效应晶体管
设计用于frequen-宽带商业和工业应用
连锁商店高达1.0千兆赫。这些器件的高增益和宽带性能
使它们非常适用于大信号，共源放大器应用
28伏基站设备。
在945 MHz时， 28伏典型性能
输出功率 - 45瓦PEP
功率增益 - 19分贝
效率 - 41 ％ （二声调）
IMD - -31 dBc的
集成ESD保护
保证坚固@负载VSWR = 5 ： 1 ， @ 28伏直流电， 945兆赫，
45瓦CW输出功率
优良的热稳定性
特点等效串联阻抗大信号阻抗参数
双导Boltdown塑料包装，也可用于表面
坐骑。
TO- 272可在磁带和卷轴。 R1每44毫米后缀= 500单位，
13英寸的卷轴。
TO- 270可在磁带和卷轴。 R1每24毫米后缀= 500单位，
13英寸的卷轴。
N沟道增强模式横向的MOSFET
MRF9045MR1
MRF9045MBR1
945兆赫， 45 W， 28 V
横向N沟道
宽带
RF功率MOSFET
飞思卡尔半导体公司...
CASE 1265至08年，风格1
TO–270
塑料
MRF9045MR1
案例1337年至1303年，风格1
TO- 272双导
塑料
MRF9045MBR1
最大额定值
等级
漏源电压
栅源电压
器件总功耗@ T
C
= 25°C
减免上述25℃
存储温度范围
工作结温
符号
V
DSS
V
GS
P
D
T
英镑
T
J
特征
热阻，结到外壳
符号
R
θJC
价值
65
+15, –0.5
177
1.18
-65到+150
175
单位
VDC
VDC
瓦
W / ℃，
°C
°C
热特性
最大
0.85
单位
° C / W
ESD保护特性
测试条件
人体模型
机器型号
类
1 （最低）
M2 （最低）
湿度敏感度等级
测试方法
每JESD 22 - A113
等级
3
注 -
小心
- MOS器件容易受到由静电荷的损害。在处理合理的预防措施，并
包装MOS器件应观察。
REV 6
摩托罗拉RF
摩托罗拉公司2003
设备数据
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MRF9045MR1 MRF9045MBR1
1
飞思卡尔半导体公司
电气特性
(T
C
= 25 ° C除非另有说明）
特征
符号
民
典型值
最大
单位
开关特性
零栅极电压漏极漏电流
(V
DS
= 65伏，V
GS
= 0伏）
零栅极电压漏极漏电流
(V
DS
= 28伏，V
GS
= 0伏）
门源漏电流
(V
GS
= 5伏，V
DS
= 0伏）
I
DSS
I
DSS
I
GSS
—
—
—
—
—
—
10
1
1
μAdc
μAdc
μAdc
基本特征
栅极阈值电压
(V
DS
= 10 VDC ，我
D
= 150
μAdc ）
门静态电压
(V
DS
= 28伏直流，我
D
= 350 MADC ）
V
GS （ TH）
V
GS （ Q）
V
DS （ ON）
g
fs
2
3
—
—
2.8
3.7
0.22
4
4
5
0.4
—
VDC
VDC
VDC
S
飞思卡尔半导体公司...
漏源电压
(V
GS
= 10 VDC ，我
D
= 1 ADC）
正向跨导
(V
DS
= 10 VDC ，我
D
= 3 ADC）
动态特性
输入电容
(V
DS
= 28伏直流
±
30毫伏（ RMS） AC @ 1 MHz时，V
GS
= 0伏）
输出电容
(V
DS
= 28伏直流
±
30毫伏（ RMS） AC @ 1 MHz时，V
GS
= 0伏）
反向传输电容
(V
DS
= 28伏直流
±
30毫伏（ RMS） AC @ 1 MHz时，V
GS
= 0伏）
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
—
—
—
70
38
1.7
—
—
—
pF
pF
pF
功能测试
（在摩托罗拉测试夹具， 50欧姆系统）
双色共源放大器功率增益
(V
DD
= 28伏直流电，P
OUT
= 45瓦PEP ，我
DQ
= 350毫安，
F1 = 945.0兆赫， F2 = 945.1兆赫）
双色漏极效率
(V
DD
= 28伏直流电，P
OUT
= 45瓦PEP ，我
DQ
= 350毫安，
F1 = 945.0兆赫， F2 = 945.1兆赫）
三阶互调失真
(V
DD
= 28伏直流电，P
OUT
= 45瓦PEP ，我
DQ
= 350毫安，
F1 = 945.0兆赫， F2 = 945.1兆赫）
输入回波损耗
(V
DD
= 28伏直流电，P
OUT
= 45瓦PEP ，我
DQ
= 350毫安，
F1 = 945.0兆赫， F2 = 945.1兆赫）
双色共源放大器功率增益
(V
DD
= 28伏直流电，P
OUT
= 45瓦PEP ，我
DQ
= 350毫安，
F1 = 930.0兆赫， F2 = 930.1 MHz和F1 = 960.0兆赫，
F2 = 960.1兆赫）
双色漏极效率
(V
DD
= 28伏直流电，P
OUT
= 45瓦PEP ，我
DQ
= 350毫安，
F1 = 930.0兆赫， F2 = 930.1 MHz和F1 = 960.0兆赫，
F2 = 960.1兆赫）
三阶互调失真
(V
DD
= 28伏直流电，P
OUT
= 45瓦PEP ，我
DQ
= 350毫安，
F1 = 930.0兆赫， F2 = 930.1 MHz和F1 = 960.0兆赫，
F2 = 960.1兆赫）
输入回波损耗
(V
DD
= 28伏直流电，P
OUT
= 45瓦PEP ，我
DQ
= 350毫安，
F1 = 930.0兆赫， F2 = 930.1 MHz和F1 = 960.0兆赫，
F2 = 960.1兆赫）
G
ps
17
19
—
dB
η
38
41
—
%
IMD
—
–31
–28
dBc的
IRL
—
–14
–9
dB
G
ps
—
19
—
dB
η
—
41
—
%
IMD
—
–31
—
dBc的
IRL
—
–13
—
dB
MRF9045MR1 MRF9045MBR1
2
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摩托罗拉RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
V
GG
B1
+
C6
C7
L1
RF
输入Z1
C5
C1
Z2
Z3
Z4
Z5
Z6
Z7
DUT
Z8
C9
Z9
C8
Z10
C10
Z11
C11
Z12
C13
C12
C14
B2
+
C15
+
C16
+
C17
V
DD
L2
RF
产量
Z13
C2
C3
C4
飞思卡尔半导体公司...
B1, B2
C1, C7, C13, C14
C2, C8
C3
C4, C5, C8, C9
C6, C15, C16
C10
C11
C12
C17
L1, L2
Z1
Z2
短铁氧体磁珠，表面贴装
47 pF的贴片电容，B案例
2.7 pF的贴片电容，B案例
3.9 pF的贴片电容，B案例
10 pF的贴片电容，B案例
10
F,
35 V钽表面贴装电容器
2.2 pF的贴片电容，B案例
4.7 pF的贴片电容，B案例
1.2 pF的贴片电容，B案例
220
F,
50 V电解电容
12.5 nH的电感器
0.20 “× 0.08 ”微带
0.57 “× 0.12 ”微带
Z3
Z4
Z5
Z6
Z7
Z8
Z9
Z10
Z11
Z12
Z13
0.14 “× 0.32 ”微带
0.47 “× 0.32 ”微带
0.16 “× 0.32 ”× 0.62 “锥
0.18 “× 0.62 ”微带
0.56 “× 0.62 ”微带
0.33 “× 0.32 ”微带
0.14 “× 0.32 ”微带
0.36 “× 0.08 ”微带
1.01 “× 0.08 ”微带
0.15 “× 0.08 ”微带
0.29 “× 0.08 ”微带
图1. MRF9045MR1 930-960 MHz的宽带测试电路原理图
C6
V
BIAS
C17
B1
C7
L1
C2
C3
C5
B2
C14
L2
C15 C16
A2
C10 C11
C12 C13
V
供应
A1
C1
C4
切出区
C9
C8
WB1
WB2
地
MRF9045MR1
地
图2. MRF9045MR1 930-960 MHz的宽带测试电路元件布局
摩托罗拉RF设备数据
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MRF9045MR1 MRF9045MBR1
3
飞思卡尔半导体公司
V
GG
B1
+
C7
C8
C14
L2
RF
产量
Z13
B2
+
C15
+
C16
+
C17
V
DD
L1
RF
输入Z1
C5
C1
Z2
Z3
Z4
Z5
Z6
Z7
DUT
Z8
C9
Z9
Z10
Z11
Z12
C13
C2
C3
C4
C6
C10
C11
C12
飞思卡尔半导体公司...
B1
B2
C1, C8, C13, C14
C2
C3
C4
C5, C6, C9, C10
C7, C15, C16
C11
C12
C17
L1, L2
WB1 ， WB2
短式铁氧体磁珠
龙铁氧体磁珠
47 pF的贴片电容，B案例
0.4-2.5 pF的可变电容，约翰森Gigatrim
3.6 pF的贴片电容，B案例
0.8-8.0 pF的可变电容，约翰森Gigatrim
10 pF的贴片电容，B案例
10
F,
35 V片式钽电容器
7.5 pF的贴片电容，B案例
0.6-4.5 pF的可变电容，约翰森Gigatrim
220
F
电解贴片电容
12.5 nH的表面贴装电感器
10万铜管上穿块
Z1
Z2
Z3
Z4
Z5
Z6
Z7
Z8
Z9
Z10
Z11
Z12
Z13
板
0.260 “× 0.060 ”微带
0.240 “× 0.060 ”微带
0.500 “× 0.100 ”微带
0.215 “× 0.270 ”微带
0.315 “× 0.270 ”微带
0.160 “× 0.270 ”× 0.520 “锥
0.285 “× 0.520 ”微带
0.140 “× 0.270 ”微带
0.450 “× 0.270 ”微带
0.250 “× 0.060 ”微带
0.720 “× 0.060 ”微带
0.490 “× 0.060 ”微带
0.290 “× 0.060 ”微带
Taconic的RF- 35-0300 ，
ε
r
= 3.5
图3. MRF9045MBR1 930-960 MHz的宽带测试电路原理图
C17
C7
B1
C8
C5
WB1
WB2
C4
C6
C14
L2
C13
C11
C12
产量
V
DD
C15 C16
V
GG
B2
输入
C1
C2
L1
C3
C9
C10
切出区
MRF9045MB
900兆赫
Rev-02
图4. MRF9045MBR1 930-960 MHz的宽带测试电路元件布局
MRF9045MR1 MRF9045MBR1
4
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