摩托罗拉
半导体技术资料
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通过MRF9045M / D
射频亚微米MOSFET线
射频功率场效应晶体管
设计用于在frequen-宽带商业和工业应用
连锁商店高达1.0千兆赫。该装置的高增益和宽带性能
使其非常适用于大信号，在28伏的共源放大器应用
基站设备。
在945 MHz时， 28伏典型性能
输出功率 - 45瓦PEP
功率增益 - 18.5分贝
效率 - 41 ％ （二声调）
IMD - -31 dBc的
集成ESD保护
保证坚固@负载VSWR = 5 ： 1 ， @ 28伏直流电， 945兆赫，
45瓦（ CW）输出功率
优良的热稳定性
特点等效串联阻抗大信号阻抗
参数
湿度敏感度等级3
射频功率塑料表面贴装封装
可在磁带和卷轴。 R1每24毫米后缀= 500单位，
13英寸的卷轴。
N沟道增强模式横向MOSFET
MRF9045M
MRF9045MR1
945兆赫， 45 W， 28 V
横向N沟道
宽带
RF功率MOSFET
CASE 1265至1206年，风格1
(TO–270)
塑料
最大额定值
等级
漏源电压
栅源电压
器件总功耗@ TC = 25°C
减免上述25℃
存储温度范围
工作结温
符号
VDSS
VGS
PD
TSTG
TJ
价值
65
+ 15, – 0.5
156(1)
1.25(1)
- 65 + 150
150
单位
VDC
VDC
瓦
W / ℃，
°C
°C
ESD保护特性
测试条件
人体模型
机器型号
类
1 （典型值）
M2 （典型值）
热特性
特征
热阻，结到外壳
（1）模拟
注 -
小心
- MOS器件容易受到由静电荷的损害。在处理合理的预防措施，并
包装MOS器件应观察。
符号
R
θJC
最大
0.8(1)
单位
° C / W
REV 0
摩托罗拉RF设备数据
摩托罗拉公司2000
MRF9045M MRF9045MR1
1
电气特性
（ TC = 25° C除非另有说明）
特征
符号
民
典型值
最大
单位
开关特性
零栅极电压漏极漏电流
（ VDS = 65伏直流电， VGS = 0 ）
零栅极电压漏极漏电流
（ VDS = 28V直流电， VGS = 0 ）
门源漏电流
（ VGS = 5 VDC ， VDS = 0 ）
IDSS
IDSS
IGSS
—
—
—
—
—
—
10
1
1
μAdc
μAdc
μAdc
基本特征
栅极阈值电压
（ VDS = 10 VDC ， ID = 150
μAdc ）
门静态电压
（ VDS = 28V直流电， ID = 350 MADC ）
漏源电压
（ VGS = 10 VDC ， ID = 1 ADC ）
正向跨导
（ VDS = 10 VDC ， ID = 3 ADC ）
VGS （ TH）
VGS （ q）的
VDS （上）
政府飞行服务队
2
—
—
—
—
3.7
0.19
4
4
—
0.4
—
VDC
VDC
VDC
S
动态特性
输入电容
（ VDS = 28V直流电， VGS = 0 ， F = 1兆赫）
输出电容
（ VDS = 28V直流电， VGS = 0 ， F = 1兆赫）
反向传输电容
（ VDS = 28V直流电， VGS = 0 ， F = 1兆赫）
西塞
科斯
CRSS
—
—
—
74
39
1.9
—
—
—
pF
pF
pF
（续）
MRF9045M MRF9045MR1
2
摩托罗拉RF设备数据
电气特性 - 续
（ TC = 25° C除非另有说明）
特征
符号
民
典型值
最大
单位
功能测试
（在摩托罗拉测试夹具）
双色共源放大器功率增益
（ VDD = 28V直流电，噘= 45瓦PEP ， IDQ = 350 mA时，
F1 = 945.0兆赫， F2 = 945.1兆赫）
双色漏极效率
（ VDD = 28V直流电，噘= 45瓦PEP ， IDQ = 350 mA时，
F1 = 945.0兆赫， F2 = 945.1兆赫）
三阶互调失真
（ VDD = 28V直流电，噘= 45瓦PEP ， IDQ = 350 mA时，
F1 = 945.0兆赫， F2 = 945.1兆赫）
输入回波损耗
（ VDD = 28V直流电，噘= 45瓦PEP ， IDQ = 350 mA时，
F1 = 945.0兆赫， F2 = 945.1兆赫）
双色共源放大器功率增益
（ VDD = 28V直流电，噘= 45瓦PEP ， IDQ = 350 mA时，
F1 = 930.0兆赫， F2 = 930.1 MHz和F1 = 960.0兆赫，
F2 = 960.1兆赫）
双色漏极效率
（ VDD = 28V直流电，噘= 45瓦PEP ， IDQ = 350 mA时，
F1 = 930.0兆赫， F2 = 930.1 MHz和F1 = 960.0兆赫，
F2 = 960.1兆赫）
三阶互调失真
（ VDD = 28V直流电，噘= 45瓦PEP ， IDQ = 350 mA时，
F1 = 930.0兆赫， F2 = 930.1 MHz和F1 = 960.0兆赫，
F2 = 960.1兆赫）
输入回波损耗
（ VDD = 28V直流电，噘= 45瓦PEP ， IDQ = 350 mA时，
F1 = 930.0兆赫， F2 = 930.1 MHz和F1 = 960.0兆赫，
F2 = 960.1兆赫）
全球定位系统
17
18.5
—
dB
η
38
41
—
%
IMD
—
–31
–28
dBc的
IRL
9
15
—
dB
全球定位系统
—
18.5
—
dB
η
—
41
—
%
IMD
—
–31
—
dBc的
IRL
—
13
—
dB
摩托罗拉RF设备数据
MRF9045M MRF9045MR1
3
典型特征
h
，漏极效率（ ％ ）G PS ，功率增益（分贝）
,
h
，漏极效率（ ％ ）G PS ，功率增益（分贝）
,
50
45
40
35
30
25
20
15
10
5
900
920
940
960
980
1000
男，频率（MHz）
IMD3
–35
全球定位系统
IRL
VDD = 28伏直流
噘嘴= 45瓦（ PEP ）
IDQ = 350毫安
双色测量
100 kHz音调间距
–15
–5
60
50
40
30
20
10
0
0.5
VDD = 28伏直流
IDQ = 350毫安
F = 945 MHz的
双色测量
100 kHz音调间距
0
–10
–20
–30
全球定位系统
–40
h
IRL ，输入回波损耗（分贝）
IMD ， INTERMODULATIONDISTORTION （ DBC）
IRL
–25
h
–50
–60
1
10
100
噘嘴，输出功率（瓦）人教版
图3. AB类测试电路性能
图4.功率增益，效率和IRL与
输出功率
IMD ，互调失真（ DBC）
–20
–25
–30
–35
–40
–45
–50
–55
–60
–65
–70
1
10
噘嘴，输出功率（瓦）人教版
100
7阶
VDD = 28伏直流
IDQ = 350毫安
F = 945 MHz的
双色测量，
100 kHz音调间距
IMD ，互调失真（ DBC）
–25
–30
–35
–40
IDQ = 350毫安
–45
–50
–55
–60
0.5
IDQ = 500毫安
VDD = 28伏直流
F = 945 MHz的
双色测量
100 kHz音调间距
1
10
噘嘴，输出功率（瓦）人教版
100
IDQ = 200毫安
3阶
五阶
图5.互调失真与
输出功率
图6.互调失真产品
与输出功率
20
全球定位系统
PS ，功率增益（分贝）
15
VDD = 28伏直流
IDQ = 350毫安
F = 945 MHz的
10
60
P了，输出功率（瓦）人教版
50
40
30
h
20
10
5
0.5
0
1
10
100
70
65
60
55
50
45
40
35
30
25
20
15
10
5
0
22
24
引脚= 1 W
h
，漏极效率（ ％ ）
PIN = 0.6W，
PIN = 0.3瓦
IDQ = 350毫安
F = 945 MHz的
双色测量
100 kHz音调间距
28
30
32
26
噘嘴，输出功率（瓦CW）
VDD ，漏极电压（伏）
图7. CW功率增益和漏极效率
与输出功率
图8.输出电压与电源电压
摩托罗拉RF设备数据
MRF9045M MRF9045MR1
5
IRL ，输入回波损耗（分贝）
QQ：2881677436 复制
