飞思卡尔半导体公司
技术参数
MRF9045
9牧师， 2004年12月
射频功率场效应晶体管
N沟道增强模式横向的MOSFET
设计用于frequen-宽带商业和工业应用
连锁商店最高到1000 MHz 。高增益和它们的宽带性能
装置使它们非常适用于大信号，共源放大器的应用
系统蒸发散在28伏基站设备。
在945 MHz时， 28伏特典型的双音性能
输出功率 - 45瓦PEP
功率增益 - 18.8分贝
效率 - 42 ％
IMD =
32
dBc的
集成ESD保护
专为最大增益和插入相位平坦度
能够处理10 ： 1 VSWR ， @ 28伏直流电， 945兆赫， 45瓦CW
输出功率
优良的热稳定性
特点等效串联阻抗大信号阻抗参数
在磁带和卷轴。 R1后缀=每32毫米， 13英寸卷轴500单位。
较低的镀金厚度上信息。 L结尾的表示40μ “名义。
MRF9045LR1
MRF9045LSR1
945兆赫， 45 W， 28 V
横向N沟道
宽带
RF功率MOSFET
CASE 360B -05 ，风格1
NI360
MRF9045LR1
CASE 360C -05 ，风格1
NI360S
MRF9045LSR1
表1.最大额定值
等级
漏源电压
栅源电压
器件总功耗@ T
C
= 25°C
减免上述25℃
MRF9045LR1
MRF9045LSR1
存储温度范围
工作结温
T
英镑
T
J
特征
热阻，结到外壳
MRF9045LR1
MRF9045LSR1
符号
R
θJC
符号
V
DSS
V
GS
P
D
价值
0.5,
+65
0.5,
+ 15
125
0.71
175
1
65
+150
200
单位
VDC
VDC
W
W / ℃，
°C
°C
表2.热特性
价值
1.4
1.0
单位
° C / W
表3. ESD保护特性
测试条件
人体模型
机器型号
类
1 （最低）
M1 （最低）
记
小心
MOS器件容易受到由静电荷的损害。在处理合理的预防措施，并
包装MOS器件应观察。
飞思卡尔半导体公司2004版权所有。
MRF9045LR1 MRF9045LSR1
51
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
表4.电气特性
(T
C
= 25 ° C除非另有说明）
（续）
特征
功能测试
（飞思卡尔测试夹具， 50欧姆系统）
双色共源放大器功率增益
(V
DD
= 28伏直流电，P
OUT
= 45瓦PEP ，我
DQ
= 350毫安，
F1 = 945.0兆赫， F2 = 945.1兆赫）
双色漏极效率
(V
DD
= 28伏直流电，P
OUT
= 45瓦PEP ，我
DQ
= 350毫安，
F1 = 945.0兆赫， F2 = 945.1兆赫）
三阶互调失真
(V
DD
= 28伏直流电，P
OUT
= 45瓦PEP ，我
DQ
= 350毫安，
F1 = 945.0兆赫， F2 = 945.1兆赫）
输入回波损耗
(V
DD
= 28伏直流电，P
OUT
= 45瓦PEP ，我
DQ
= 350毫安，
F1 = 945.0兆赫， F2 = 945.1兆赫）
双色共源放大器功率增益
(V
DD
= 28伏直流电，P
OUT
= 45瓦PEP ，我
DQ
= 350毫安，
F1 = 930.0兆赫， F2 = 930.1 MHz和F1 = 960.0兆赫，
F2 = 960.1兆赫）
双色漏极效率
(V
DD
= 28伏直流电，P
OUT
= 45瓦PEP ，我
DQ
= 350毫安，
F1 = 930.0兆赫， F2 = 930.1 MHz和F1 = 960.0兆赫，
F2 = 960.1兆赫）
三阶互调失真
(V
DD
= 28伏直流电，P
OUT
= 45瓦PEP ，我
DQ
= 350毫安，
F1 = 930.0兆赫， F2 = 930.1 MHz和F1 = 960.0兆赫，
F2 = 960.1兆赫）
输入回波损耗
(V
DD
= 28伏直流电，P
OUT
= 45瓦PEP ，我
DQ
= 350毫安，
F1 = 930.0兆赫， F2 = 930.1 MHz和F1 = 960.0兆赫，
F2 = 960.1兆赫）
功率输出， 1 dB压缩点
(V
DD
= 28伏直流电，P
OUT
= 45瓦CW ，我
DQ
= 350毫安，
F1 = 945.0兆赫）
共源放大器功率增益
(V
DD
= 28伏直流电，P
OUT
= 45瓦CW ，我
DQ
= 350毫安，
F1 = 945.0兆赫）
漏EF网络效率
(V
DD
= 28伏直流电，P
OUT
= 45瓦CW ，我
DQ
= 350毫安，
F1 = 945.0兆赫）
输出失配应力
(V
DD
= 28伏直流电，P
OUT
= 45瓦CW ，我
DQ
= 350毫安，
F = 945.0兆赫， VSWR = 10 ： 1 ，所有相位角频率为
测试）
G
ps
17
18.8
—
dB
符号
民
典型值
最大
单位
η
38
42
—
%
IMD
—
32
28
dBc的
IRL
—
14
9
dB
G
ps
—
18.5
—
dB
η
—
41
—
%
IMD
—
33
—
dBc的
IRL
—
13
—
dB
P
1dB
—
55
—
W
G
ps
—
18
—
dB
η
—
60
—
%
Ψ
在输出功率不降低
MRF9045LR1 MRF9045LSR1
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
53
B2
C14
L2
V
GG
B1
+
C6
C7
L1
Z8
C9
Z9
C8
+
C15
+
C16
+
C17
V
DD
Z10
Z11
Z12
C10
Z13
RF
产量
Z14
C13
Z15
C12
RF
输入Z1
C4
C1
Z2
Z3
Z4
Z5
Z6
Z7
C5
C2
C3
C11
B1
B2
C1, C7, C13, C14
C2, C3, C11
C4, C5, C8, C9
C6, C15, C16
C10
C12
C17
L1, L2
Z1
Z2
Z3
短铁氧体磁珠表面贴装
龙铁氧体磁珠表面贴装
47 pF的贴片电容
0.8-8.0 pF的Gigatrim可变微调电容器
10 pF的贴片电容
10
F,
35 V钽表面贴装片式电容器
2.2 pF的贴片电容
0.7 pF的贴片电容
MRF9045LS
1.3 pF的贴片电容
MRF9045
220
F,
50 V电解电容
12.5 nH的表面贴装电感器， Coilcraft公司
0.260 “× 0.080 ”微带
0.610 “× 0.120 ”微带
0.260 “× 0.320 ”微带
Z4
Z5
Z6
Z7
Z8
Z9
Z10
Z11
Z12
Z13
Z14
Z15
PCB
0.360 “× 0.320 ”微带
0.240 “× 0.320 ”× 0.620 “ ，锥
0.140 “× 0.620 ”微带
0.510 “× 0.620 ”微带
0.330 “× 0.320 ”微带
0.140 “× 0.320 ”微带
0.070 “× 0.080 ”微带
0.240 “× 0.080 ”微带
0.140 “× 0.080 ”微带
0.930 “× 0.080 ”微带
0.180 “× 0.080 ”微带
0.350 “× 0.080 ”微带
阿尔隆GX- 0300-55-22 ， 0.03 “ ，
ε
r
= 2.55
图1： 930
960 MHz的宽带测试电路原理图
C6
V
DD
C17
V
GG
B1
C7
C5
C9
C8
WB1
WB2
B2
C14
L2
C15 C16
C13
L1
C1
C2
C3
切出区
C4
C10
C11
C12
MRF9045
900兆赫
Rev-01
飞思卡尔已经开始标记印刷电路板（PCB ）的过渡与飞思卡尔半导体
签名/标志。多氯联苯可能有过渡期间无论是摩托罗拉，飞思卡尔标记。这些变化将产生
在外形，装配或现有产品的功能没有任何影响。
图2： 930
960 MHz的宽带测试电路元件布局
MRF9045LR1 MRF9045LSR1
54
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
飞思卡尔半导体公司
技术参数
文档编号： MRF9045
牧师11 ， 9/2008
射频功率场效应晶体管
N - 沟道增强 - 模式横向的MOSFET
不推荐用于新设计
945兆赫， 45 W， 28 V
横向N - CHANNEL
宽带
RF功率MOSFET
CASE 360B - 05 ，风格1
NI - 360
MRF9045LR1
CASE 360℃ - 05 ，风格1
NI - 360S
MRF9045LSR1
表1.最大额定值
等级
漏 - 源极电压
栅 - 源电压
器件总功耗@ T
C
= 25°C
减免上述25℃
MRF9045LR1
MRF9045LSR1
存储温度范围
情况下的工作温度
工作结温
T
英镑
T
C
T
J
特征
热阻，结到外壳
MRF9045LR1
MRF9045LSR1
符号
R
θJC
符号
V
DSS
V
GS
P
D
价值
- 0.5, +65
- 0.5, + 15
125
0.71
175
1
- 65 + 150
150
200
单位
VDC
VDC
W
W / ℃，
°C
°C
°C
表2.热特性
价值
1.4
1.0
单位
° C / W
表3. ESD保护特性
测试条件
人体模型
机器型号
类
1 （最低）
M1 （最低）
飞思卡尔半导体公司， 2008年。保留所有权利。
MRF9045LR1 MRF9045LSR1
1
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
不推荐用于新设计
设计用于frequen-宽带商业和工业应用
连锁商店最高到1000 MHz 。高增益和它们的宽带性能
装置使它们非常适用于大型 - 信号，常见的 - 源极放大器的应用
系统蒸发散在28伏基站设备。
典型的双 - 在945 MHz时， 28伏音频性能
输出功率 - 45瓦PEP
功率增益 - 18.8分贝
效率 - 42 ％
IMD - - 32 dBc的
能够处理10 ： 1 VSWR ， @ 28伏直流电， 945兆赫， 45瓦CW
输出功率
特点
集成ESD保护
专为最大增益和插入相位平坦度
优良的热稳定性
特点等效串联阻抗大 - 信号阻抗参数
较低的镀金厚度上信息。 L结尾的表示40μ “名义。
符合RoHS
在磁带和卷轴。 R1后缀=每32毫米， 13英寸卷轴500单位。
MRF9045LR1
MRF9045LSR1
表4.电气特性
(T
C
= 25 ° C除非另有说明）
（续）
特征
功能测试
（飞思卡尔测试夹具， 50欧姆系统）
两种 - 普通音 - 源放大器功率增益
(V
DD
= 28伏直流电，P
OUT
= 45瓦PEP ，我
DQ
= 350毫安，
F1 = 945.0兆赫， F2 = 945.1兆赫）
G
ps
17
18.8
—
dB
符号
民
典型值
最大
单位
不推荐用于新设计
两个 - 音漏极效率
(V
DD
= 28伏直流电，P
OUT
= 45瓦PEP ，我
DQ
= 350毫安，
F1 = 945.0兆赫， F2 = 945.1兆赫）
三阶互调失真
(V
DD
= 28伏直流电，P
OUT
= 45瓦PEP ，我
DQ
= 350毫安，
F1 = 945.0兆赫， F2 = 945.1兆赫）
输入回波损耗
(V
DD
= 28伏直流电，P
OUT
= 45瓦PEP ，我
DQ
= 350毫安，
F1 = 945.0兆赫， F2 = 945.1兆赫）
两种 - 普通音 - 源放大器功率增益
(V
DD
= 28伏直流电，P
OUT
= 45瓦PEP ，我
DQ
= 350毫安，
F1 = 930.0兆赫， F2 = 930.1 MHz和F1 = 960.0兆赫，
F2 = 960.1兆赫）
两个 - 音漏极效率
(V
DD
= 28伏直流电，P
OUT
= 45瓦PEP ，我
DQ
= 350毫安，
F1 = 930.0兆赫， F2 = 930.1 MHz和F1 = 960.0兆赫，
F2 = 960.1兆赫）
三阶互调失真
(V
DD
= 28伏直流电，P
OUT
= 45瓦PEP ，我
DQ
= 350毫安，
F1 = 930.0兆赫， F2 = 930.1 MHz和F1 = 960.0兆赫，
F2 = 960.1兆赫）
输入回波损耗
(V
DD
= 28伏直流电，P
OUT
= 45瓦PEP ，我
DQ
= 350毫安，
F1 = 930.0兆赫， F2 = 930.1 MHz和F1 = 960.0兆赫，
F2 = 960.1兆赫）
功率输出， 1 dB压缩点
(V
DD
= 28伏直流电，P
OUT
= 45瓦CW ，我
DQ
= 350毫安，
F1 = 945.0兆赫）
通用 - 源放大器功率增益
(V
DD
= 28伏直流电，P
OUT
= 45瓦CW ，我
DQ
= 350毫安，
F1 = 945.0兆赫）
漏EF网络效率
(V
DD
= 28伏直流电，P
OUT
= 45瓦CW ，我
DQ
= 350毫安，
F1 = 945.0兆赫）
η
38
42
—
%
IMD
—
- 32
- 28
dBc的
IRL
—
- 14
-9
dB
G
ps
—
18.5
—
dB
η
—
41
—
%
IMD
—
- 33
—
dBc的
IRL
—
13
—
dB
P
1dB
—
55
—
W
G
ps
—
18
—
dB
η
—
60
—
%
MRF9045LR1 MRF9045LSR1
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
3
不推荐用于新设计
B2
C14
L2
B1
V
GG
+
+
C15
+
C16
+
V
DD
C17
不推荐用于新设计
L1
Z8
C9
Z9
C8
Z10
Z11
Z12
Z13
C10
C11
C12
RF
输入Z1
C4
C1 Z2
Z3
Z4
Z5
Z6
Z7
C5
C2
C3
B1
B2
C1, C7, C13, C14
C2, C3, C11
C4, C5, C8, C9
C6, C15, C16
C10
C12
C17
L1, L2
Z1
Z2
Z3
短铁氧体磁珠表面贴装
龙铁氧体磁珠表面贴装
47 pF的贴片电容
0.8 - 8.0 pF的Gigatrim可变微调电容器
10 pF的贴片电容
10
μF,
35 V钽表面贴装片式电容器
2.2 pF的贴片电容
0.7 pF的贴片电容 - MRF9045LS
1.3 pF的贴片电容 - MRF9045
220
μF,
50 V电解电容
12.5 nH的表面贴装电感器， Coilcraft公司
0.260 “× 0.080 ”微带
0.610 “× 0.120 ”微带
0.260 “× 0.320 ”微带
Z4
Z5
Z6
Z7
Z8
Z9
Z10
Z11
Z12
Z13
Z14
Z15
PCB
0.360 “× 0.320 ”微带
0.240 “× 0.320 ”× 0.620 “ ，锥
0.140 “× 0.620 ”微带
0.510 “× 0.620 ”微带
0.330 “× 0.320 ”微带
0.140 “× 0.320 ”微带
0.070 “× 0.080 ”微带
0.240 “× 0.080 ”微带
0.140 “× 0.080 ”微带
0.930 “× 0.080 ”微带
0.180 “× 0.080 ”微带
0.350 “× 0.080 ”微带
阿尔隆GX - 0300 - 55 - 22 ， 0.03 “ ，
ε
r
= 2.55
图1： 930 - 960 MHz的宽带测试电路原理图
C6
C17
V
GG
B1
B2
C7
C14
WB1
WB2
L1
C5
C9
C8
C10
L2
V
DD
C15 C16
C13
C11
C12
C1
C2
C3
切出区
C4
MRF9045
900兆赫
Rev01
飞思卡尔已经开始标记印刷电路板（PCB ）的过渡与飞思卡尔半导体
签名/标志。多氯联苯可能有过渡期间无论是摩托罗拉，飞思卡尔标记。这些变化将产生
在外形，装配或现有产品的功能没有任何影响。
图2： 930 - 960 MHz的宽带测试电路元件布局
MRF9045LR1 MRF9045LSR1
4
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
不推荐用于新设计
C6
C7
RF
产量
Z14 Z15 C13
QQ：2880707522 复制
