140 COMMERCE DRIVE
蒙哥马利， PA
18936-1013
电话：（ 215 ） 631-9840
传真： （ 215 ） 631-9855
MRF904
RF &微波离散
小功率三极管
特点
硅NPN ，高频， TO- 72封装，晶体管
高功率增益 - GU （最大） ：11分贝（典型值） @ F = 450 MHz的
7分贝（典型值） @ F = 1 GHz的
低噪声系数
NF = 1.5分贝（典型值） @ F = 450 MHz的
2
高FT - 4千兆赫（典型值） @ IC = 15 MADC
1
4
3
1.发射器
2.基
3.收集
4.案例
TO-72
描述：
主要用于高增益，低噪声的通用放大器使用而设计的。
绝对最大额定值
（ TCASE = 25
°
C)
符号
V
首席执行官
V
CBO
V
EBO
I
C
参数
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
价值
15
25
3.0
30
单位
VDC
VDC
VDC
mA
热数据
P
D
T
JMAX
T
存储
器件总功耗@ T
A
= 25 C
减免上述25°
结温
储存温度
200
1.14
200
-65到+200
毫瓦
毫瓦/°C的
°C
°C
先进的电源技术保留更改的权利，恕不另行通知，此处包含的规格和信息
请访问我们的网站：
www.advancedpower.com
或者联系我们的厂家直销。
MRF904
电气特性（温度上限= 25
°
C)
STATIC
（关闭）
符号
BVCEO
BVCBO
BVEBO
ICBO
测试条件
集电极 - 发射极击穿电压
（ IC = 1.0 MADC ， IB = 0 ）
集电极 - 基极击穿电压
（IC = 0.1 MADC ，IE = 0）
发射极 - 基极击穿电压
（IE = 0.1 MADC ， IC = 0）
收藏家Cuto FF电流
（ VCE = 15 VDC ， IE = 0伏）
价值
分钟。
15
25
3.0
-
典型值。
-
-
-
-
马克斯。
-
-
-
50
单位
VDC
VDC
VDC
nA
（上）
的hFE
直流电流增益
（ IC = 5.0 MADC ， VCE = 5 VDC ）
30
-
200
-
动态
符号
f
T
测试条件
电流增益 - 带宽积
（ IC = 15 MADC ， VCE = 10 VDC ， F = 1千兆赫）
结电容
（ VCB = 10V直流， IE = 0 ， F = 1兆赫）
噪声系数
（ IC = 5.0 MADC ， VCE = 6.0伏， F = 450兆赫）
价值
分钟。
-
-
-
典型值。
4.0
-
1.5
马克斯。
-
1.5
-
单位
GHz的
pF
dB
建行
NF
先进的电源技术保留更改的权利，恕不另行通知，此处包含的规格和信息
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或者联系我们的厂家直销。
MRF904
实用
符号
G
ü最大
测试条件
最大单向增益（ 1 ）
（ IC = 5.0 MADC ， VCE = 6.0伏， F = 500兆赫）
（ IC = 5.0 MADC ， VCE = 6.0伏， F = 1千兆赫）
最高可用增益（ 1 ）
（ IC = 5.0 MADC ， VCE = 6.0伏， F = 500兆赫）
（ IC = 5.0 MADC ， VCE = 6.0伏， F = 1千兆赫）
最高可用增益（ 1 ）
（ IC = 5.0 MADC ， VCE = 6.0伏， F = 500兆赫）
（ IC = 5.0 MADC ， VCE = 6.0伏， F = 1千兆赫）
2
2
2
价值
分钟。
-
-
9.5
-
-
-
典型值。
11
7
10.5
6.5
11
7
马克斯。
-
-
-
-
-
-
单位
dB
S
|21|
2
dB
MAG
dB
（1）最大的单方面增益= | S21 | /（1 - | S11 | ）（1 - | S22 | ）
表1.共发射极S参数， @ VCE = 5V ， IC = 6毫安
f
S11
S21
S12
S22
（兆赫）
100
200
300
400
500
600
700
800
900
1000
|S11|
.66
.41
.31
.26
.20
.18
.16
.16
.15
.15
∠φ
-37
-52
-54
-59
-61
-59
-60
-66
-74
-76
|S21|
10.5
7.03
5.33
4.00
3.38
3.00
2.69
2.30
2.16
2.16
∠φ
131
111
98
90
87
81
75
70
71
63
|S12|
.040
.065
.093
.111
.136
.162
.186
.200
.215
.243
∠φ
71
71
70
69
71
68
66
63
65
62
|S22|
.781
.597
.551
.517
.467
.455
.438
.437
.409
.413
∠φ
-23
-27
-26
-30
-30
-32
-36
-42
-47
-48
先进的电源技术保留更改的权利，恕不另行通知，此处包含的规格和信息
请访问我们的网站：
www.advancedpower.com
或者联系我们的厂家直销。
MRF904
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140 COMMERCE DRIVE
蒙哥马利， PA
18936-1013
电话：（ 215 ） 631-9840
传真： （ 215 ） 631-9855
MRF904
RF &微波离散
小功率三极管
特点
硅NPN ，高频， TO- 72封装，晶体管
高功率增益 - GU （最大值）= 11分贝（典型值） @ F = 450 MHz的
7分贝（典型值） @ F = 1 GHz的
低噪声系数
NF = 1.5分贝（典型值） @ F = 450 MHz的
2
高FT - 4千兆赫（典型值） @ IC = 15 MADC
1
4
3
1.发射器
2.基
3.收集
4.案例
TO-72
描述：
主要用于高增益，低噪声的通用放大器设计。
绝对最大额定值
（ TCASE = 25
°
C)
符号
V
首席执行官
V
CBO
V
EBO
I
C
参数
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
价值
15
25
3.0
30
单位
VDC
VDC
VDC
mA
热数据
P
D
器件总功耗@ T
A
= 25C
减免上述25℃
200
1.14
毫瓦
毫瓦/°C的
MSC1324.PDF 99年10月25日
MRF904
电气特性（温度上限= 25
°
C)
STATIC
（关闭）
符号
BVCEO
BVCBO
BVEBO
ICBO
测试条件
分钟。
集电极 - 发射极击穿电压
（ IC = 1.0 MADC ， IB = 0 ）
集电极 - 基极击穿电压
（IC = 0.1 MADC ，IE = 0）
发射极 - 基极击穿电压
（IE = 0.1 MADC ， IC = 0）
收藏家Cuto FF电流
（ VCE = 15 VDC ， IE = 0伏）
15
25
3.0
-
价值
典型值。
-
-
-
-
马克斯。
-
-
-
50
单位
VDC
VDC
VDC
nA
（上）
的hFE
直流电流增益
（ IC = 5.0 MADC ， VCE = 5 VDC ）
30
-
200
-
动态
符号
f
T
测试条件
分钟。
电流增益 - 带宽积
（ IC = 15 MADC ， VCE = 10 VDC ， F = 1千兆赫）
结电容
（ VCB = 10V直流， IE = 0 ， F = 1兆赫）
噪声系数
（ IC = 5.0 MADC ， VCE = 6.0伏， F = 450兆赫）
-
-
-
价值
典型值。
4.0
1.0
1.5
马克斯。
-
1.5
-
单位
GHz的
pF
dB
建行
NF
MSC1324.PDF 99年10月25日
MRF904
实用
符号
测试条件
分钟。
G
ü最大
最大单向增益（ 1 ）
（ IC = 5.0 MADC ， VCE = 6.0伏， F = 500兆赫）
（ IC = 5.0 MADC ， VCE = 6.0伏， F = 1千兆赫）
最高可用增益（ 1 ）
（ IC = 5.0 MADC ， VCE = 6.0伏， F = 500兆赫）
（ IC = 5.0 MADC ， VCE = 6.0伏， F = 1千兆赫）
最高可用增益（ 1 ）
（ IC = 5.0 MADC ， VCE = 6.0伏， F = 500兆赫）
（ IC = 5.0 MADC ， VCE = 6.0伏， F = 1千兆赫）
2
2
2
价值
典型值。
11
7
10.5
6.5
11
7
马克斯。
-
-
-
-
-
-
单位
dB
-
-
9.5
-
-
-
S
|21|
2
dB
MAG
dB
（1）最大的单方面增益= | S21 | /（1 - | S11 | ）（1 - | S22 | ）
表1.共发射极S参数， @ VCE = 5V ， IC = 6毫安
f
S11
S21
S12
S22
（兆赫）
100
200
300
400
500
600
700
800
900
1000
|S11|
.66
.41
.31
.26
.20
.18
.16
.16
.15
.15
∠φ
-37
-52
-54
-59
-61
-59
-60
-66
-74
-76
|S21|
10.5
7.03
5.33
4.00
3.38
3.00
2.69
2.30
2.16
2.16
∠φ
131
111
98
90
87
81
75
70
71
63
|S12|
.040
.065
.093
.111
.136
.162
.186
.200
.215
.243
∠φ
71
71
70
69
71
68
66
63
65
62
|S22|
.781
.597
.551
.517
.467
.455
.438
.437
.409
.413
∠φ
-23
-27
-26
-30
-30
-32
-36
-42
-47
-48
MSC1324.PDF 99年10月25日
MRF904
NPN硅晶体管RF
描述：
该
ASI MRF904
是专为
通用扩增fi er
应用程序。
封装形式TO- 72
产品特点：
NF = 1.5分贝（典型值） 450 MHz的
G
最大
= 16分贝（典型值） 450 MHz的
f
T
= 4.0千兆赫（典型值） @我
C
= 15毫安
最大额定值
I
C
V
CBO
V
首席执行官
P
DISS
T
J
T
英镑
30毫安
25 V
15 V
为0.2W @ T
A
= 25 °C
-65℃ + 200 ℃，
-65℃ + 200 ℃，
1 =发射器2 =基地3 =集热4 = CASE
特征
符号
BV
首席执行官
BV
CBO
BV
EBO
I
CBO
h
FE
C
OB
f
T
NF
G
最大
NF
G
最大
T
C
= 25 °C
NONETEST
条件
I
C
= 1.0毫安
I
C
= 100
A
I
E
= 100
A
V
CB
= 15 V
V
CE
= 5.0 V
V
CB
= 10 V
V
CE
= 10 V
V
CE
= 6.0 V
V
CE
= 6.0 V
I
C
= 15毫安
I
C
= 5.0毫安
I
C
= 5.0毫安
I
C
= 5.0毫安
F = 1.0 MHz的
F = 1.0 GHz的
F = 450 MHz的
F = 1.0 GHz的
最小典型最大
15
25
3.0
50
30
200
1.0
4.0
1.5
16
2.5
10
单位
V
V
V
nA
---
pF
GHz的
dB
dB
dB
dB
A D V A N c个E D性S E M I C 0 N D ü （C T） R， I N C。
7525 ETHEL AVENUE
北好莱坞， CA 91605
(818) 982-1200
传真（ 818 ） 765-3004
特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
REV 。一
1/1
MRF581
MRF581G
MRF581A
MRF581AG
* G表示符合RoHS标准的无铅端子表面涂层
RF &微波离散
小功率三极管
特点
低噪声 - 2.5 dB的500 MHZ
增益最佳的噪声系数= 15.5分贝@ 500 MHz的
Ftau - 5.0 GHz的@ 10V ， 75毫安
高性价比MacroX套餐
万家乐X
描述：
专为高电流，低功耗，低噪声，放大器高达1.0 GHz的。
绝对最大额定值
（ TCASE = 25
°
C)
符号
V
首席执行官
V
CBO
V
EBO
I
C
参数
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
MRF581
18
30
2.5
200
MRF581A
15
单位
VDC
VDC
VDC
mA
热数据
P
P
D
D
器件总功耗@ TC = 50℃
减免上述50℃
器件总功耗@ TC = 25°C
减免上述25℃
存储结温范围
-65到+150
最高结温
150
C
C
2.5
25
1.25
10
瓦
毫瓦/°C的
瓦
毫瓦/°C的
TSTG
T
JMAX
修订A- 2008年12月
Microsemi的保留更改的权利，恕不另行通知，此处包含的规格和信息
请访问我们的网站www.microsemi.com或联系我们的厂家直销。
MRF581
MRF581G
MRF581A
MRF581AG
电气特性（温度上限= 25
°
C)
STATIC
（关闭）
符号
BVCEO
BVCBO
BVEBO
ICBO
IEBO
测试条件
集电极 - 发射极击穿电压
（ IC = 5.0 MADC ， IB = 0 ）
集电极 - 基极击穿电压
（ IC = 1.0 MADC ， IE = 0 ）
发射极 - 基极击穿电压
（IE = 0.1 MADC ， IC = 0）
收藏家Cuto FF电流
（ VCB = 15 VDC ， VBE = 0伏）
发射Cuto FF电流
（VBE = 2.5伏）
MRF581
MRF581A
价值
分钟。
18
15
30
2.5
-
-
典型值。
-
-
-
-
-
马克斯。
-
-
-
0.1
0.1
单位
VDC
VDC
VDC
mA
mA
（上）
的hFE
直流电流增益
（ IC = 50 MADC ， VCE = 5.0 V直流）
MRF581
MRF581A
50
90
-
200
250
-
动态
符号
COB
Ftau
测试条件
输出电容
（ VCB = 10 VDC ， IE = 0 ， F = 1.0兆赫）
电流增益带宽积
（ IC = 75 MADC ， VCE = 10 VDC ， F = 1.0千兆赫）
价值
分钟。
-
-
典型值。
2.0
5.0
马克斯。
3.0
-
单位
pF
GHz的
Microsemi的保留更改的权利，恕不另行通知，此处包含的规格和信息
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MRF581
MRF581G
MRF581A
MRF581AG
实用
符号
NF
测试条件
噪声系数（ 50欧姆）
（ IC = 50 MADC ， VCE = 10 VDC ， F = 0.5千兆赫）
功率增益@ NFmin
（ IC = 50 MADC ， VCE = 10 VDC ， F = 0.5千兆赫）
最大单向增益（ 1 ）
IC = 50 MADC ， VCE = 10 VDC ， F = 500 MHz的
最大稳定增益
IC = 50 MADC ， VCE = 10 VDC ， F = 500 MHz的
插入增益
IC = 50 MADC ， VCE = 10 VDC ， F = 500 MHz的
价值
分钟。
-
13
-
-
14
典型值。
3.0
15.5
17.8
20
15
-
-
-
马克斯。
3.5
单位
dB
dB
dB
dB
dB
G
G
NF
ü最大
味精
|S
21
|
2
表1.共发射极S参数， @ VCE = 10 V ， IC = 50毫安
f
S11
S21
S12
S22
（兆赫）
100
200
300
400
500
600
700
800
900
1000
|S11|
.610
.659
.671
.675
.677
.678
.677
.679
.678
.682
∠φ
-137
-161
-171
-178
176
172
168
184
160
156
|S21|
23.8
13.2
9.0
6.8
5.5
4.6
4.0
3.5
3.1
2.8
∠φ
116
98
89
83
77
72
68
64
60
56
|S12|
.026
.033
.040
.047
.055
.064
.073
.082
.092
.102
∠φ
46
47
51
55
58
61
62
63
64
65
|S22|
.522
.351
.304
.292
.293
.299
.306
.314
.322
.311
∠φ
-78
-106
-120
-128
-132
-134
-135
-136
-138
-139
Microsemi的保留更改的权利，恕不另行通知，此处包含的规格和信息
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MRF581
MRF581G
MRF581A
MRF581AG
C1 ， C4 ， C5 ， C6 ， C8 ， C9 - 1000 PF，贴片电容
C7, C10 — 10
F,
钽电容
RFC - VK- 200 ， Ferroxcube公司
TL1 ， TL7 ， TL8 - 微带0.162 ， X 0.600 ，
TL3 - 微带0.162 ， X 0.800 ，
TL5 - 微带0.120 ， X 0.440 ，
TL9 ， TL10 - 微带0.025 ， X 4.250 ，
板材料 - 0.0625 ，厚厚的玻璃铁氟龙
ε
r = 2.55
C2 ， C3 - 1.0-10 PF，约翰森电容器
R1 - 1.0 kΩ的水库。
FB - 铁氧体磁珠， Ferroxcube公司， 56-590-65 / 3B
TL2 - 微带0.162 ， X 1.000 ，
TL4 - 微带0.162 ， X 0.440 ，
TL6 - 微带0.120 ， X 1.160 ，
图1.最小噪声系数和增益@最小噪声系数。
Microsemi的保留更改的权利，恕不另行通知，此处包含的规格和信息
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MRF581
MRF581G
MRF581A
MRF581AG
射频低功率PA， LNA ，和通用离散选择指南
GPE频率（MHz ）
效率（％）
顾MAX（分贝）
IC最大（MA ）
建行（PF ）
BVCEO
IC最大（MA ）
3.5
20 400
30 400
30 400
1
1
3
1
1
1
2.6
噘嘴（瓦特）
NF（ dB）的
NF IC （MA ）
NF VCE
GN （ dB）的
频率（MHz ）
设备
SO-8
TO-39
POWER指令
POWER指令
TO-39
TO-39
TO-72
MRF4427 ， R2
2N4427
MRF553
MRF553T
MRF607
2N6255
2N5179
NPN
NPN
NPN
NPN
NPN
NPN
NPN
NPN
NPN
NPN
NPN
NPN
NPN
175 0.15
175
1
175 1.5
175 1.5
175 1.75
175
3
200
512
512
400
400
470
470
0.5
0.5
1
1
1.5
1.5
18
10
11.5
11.5
11.5
7.8
20
10
13
10
10
11
11
6.5
9.5
8
8
8
60
50
60
50
50
50
12
12
12.5
12.5
12.5
12.5
6
20 400
20 400
16 500
16 500
16 330
18 1000
12 50
TO-39
TO-39
SO-8
TO-72
TO-72
TO-39
TO-72
TO-72
万家乐牛逼
万家乐牛逼
SO-8
万家乐X
万家乐
TO-72
TO-72
万家乐X
TO-39
2N5109
MRF5943C
2N5179
2N2857
MRF517
MRF904
2N6304
BFR91
BFR96
MRF581A
BFR90
BFY90
MRF914
MRF581
MRF586
NPN 200
NPN 200
NPN 200
NPN 300
NPN 300
NPN 450
NPN 450
NPN 500
NPN 500
NPN 500
NPN 500
NPN 500
NPN 500
NPN 500
NPN 500
3
10 15
12
15
17
13
1200
1300
900
1600
3.4 30 15
3.4 30 15
4.5 1.5
5.5 50
6
6
11.4 1000
MRF5943中，R 1 ，R 2的NPN 200
Ftau （兆赫）
4000
1400
5000
5000
1300
4500
GPE （ dB）的
GPE VCC
包
BVCEO
设备
TYPE
PACKAG
TYPE
12 50
15 40
25 150
15 30
15 50
12 35
15 100
15 200
15 200
7.5 50 15
1.5
5
1.9
2
2
2
2.4
2.5
2.5
3
5
2
2
6
5
5
11
5.5 4600
11
14
16.5 5000
14.5 500
万家乐X
MRF559
万家乐X
MRF559
TO-39
2N3866A
SO-8
MRF3866中，R1， R2的
POWER指令
MRF555
POWER指令
MRF555T
65 7.5 16 150
60 12.5 16 150
45 28 30 400
45 28 30 400
50 12.5 16 400
50 12.5 16 400
70
65
55
55
55
7.5
12.5
12.5
12.5
12.5
16
16
16
16
16
150
150
200
400
400
10 10
50 10
2
2
5
10
5
10
15
11
14
15
MRF5812中，R 1 ，R 2的NPN 500
50 10 15.5 17.8 5000
15
18
20
15
1
15 30
15 50
12 40
16 200
2.5 50 10
90 15
17.8 5000
14.5 4500
2.2
17 200
万家乐X
MRF559
NPN 870 0.5
万家乐X
MRF559
NPN 870 0.5
SO-8
MRF8372中，R 1 ，R 2的NPN 870 0.75
POWER指令
MRF557
NPN 870 1.5
POWER指令
MRF557T
NPN 870 1.5
万家乐X
万家乐X
万家乐牛逼
万家乐牛逼
MRF951
MRF571
BFR91
BFR90
NPN 1000 1.3
NPN 1000 2.5
NPN 1000
3
5
2
2
6
6
5
10
14
10
8
10
17
11
8000 0.45 10 100
8000
5000
1
1
1
10 70
12 35
15 30
NPN 1000 1.5 10
12.5 5000
TO-39
TO-39
MRF545
MRF544
PNP
NPN
14
1400
2
70 400
70 400
13.5 1500
RF （低功率PA /通用）选择指南
RF （ LNA /通用）选择指南
低成本RF塑料包装选项
1
1
4
3
3
2
4
2
8
1
5
4
万家乐牛逼
万家乐X
动力
SO-8
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