【飞思卡尔半导体公司技术参数文档编号： MRF8S8260H第1版， 2/2012射频功率场效应晶体管】,IC型号MRF8S8260HSR3,MRF8S8260HSR3 PDF资料,MRF8S8260HSR3经销商,ic,电子元器件-51电子网

飞思卡尔半导体公司

技术参数

文档编号： MRF8S8260H

第1版， 2/2012

射频功率场效应晶体管

N - 沟道增强 - 模式横向的MOSFET

专为CDMA基站应用的频率从790到

895兆赫。可以用在AB类和C类的所有典型的蜂窝基站

站调制格式。

典型的单 - 载波W - CDMA性能： V

= 28伏，我

1500毫安，P

OUT

= 70瓦平均， IQ幅度裁剪，通道

带宽= 3.84 MHz的输入信号PAR = 7.5 dB的0.01 ％的概率

在CCDF 。

频率

850兆赫

875兆赫

895兆赫

（ dB）的

21.3

21.4

21.1

(%)

36.2

37.4

37.5

PAR输出

（ dB）的

6.5

6.3

6.2

ACPR

（ DBC）

--37.0

--36.7

--36.9

MRF8S8260HR3

MRF8S8260HSR3

850-

-895兆赫， 70瓦的魅力。 28 V

单W-

-CDMA

横向N-

声道

RF功率MOSFET

能够处理7 ： 1 VSWR ， @ 32 VDC ， 875兆赫， 390瓦CW

(1)

输出功率（从额定P 3 dB输入过载

OUT

），专为

增强耐用性

典型的P

OUT

@ 1 dB压缩点

260瓦CW

(1)

特点

100 ％测试PAR针对有保证的输出功率能力

特点等效串联阻抗大 - 信号阻抗参数

和常见的源极S - 参数

内部匹配的易用性

集成ESD保护

更大的负栅 - 源电压范围为改良C类操作

专为数字预失真纠错系统

优化的Doherty应用

在磁带和卷轴。 R3后缀= 250单位，56个毫米磁带宽度， 13英寸的卷轴。

对于R5磁带和卷轴选项，请参见p 。 16 。

表1.最大额定值

等级

漏 - 源极电压

栅 - 源电压

工作电压

存储温度范围

情况下的工作温度

工作结温

(2,3)

CW操作@ T

= 25C

减免上述25℃

符号

DSS

英镑

CASE 465B-

-04

NI-

-880

MRF8S8260HR3

CASE 465C-

-03

NI-

-880S

MRF8S8260HSR3

价值

--0.5, +70

--6.0, +10

32, +0

- 65 + 150

150

225

201

0.94

单位

VDC

W / ℃，

表2.热特性

特征

热阻，结到外壳

外壳温度83C ， 70瓦CW ， 28伏直流电，我

= 1500毫安， 895兆赫

外壳温度80C ， 260 W CW

(1)

， 28伏直流，我

= 1500毫安， 895兆赫

符号

θJC

价值

(3,4)

0.36

0.31

单位

° C / W

1.超出推荐的工作条件。见最大额定值表CW操作数据。

在最高温度2，连续使用会影响平均无故障时间。

3. MTTF计算器可在http://www.freescale.com/rf 。选择软件&工具/开发工具/计算器访问MTTF

计算器按照产品。

4.参考AN1955 ，

射频功率放大器的热测量方法。

去http://www.freescale.com/rf 。

选择文档/应用笔记 - AN1955 。

MRF8S8260HR3 MRF8S8260HSR3

RF设备数据

飞思卡尔半导体公司

表3. ESD保护特性

测试方法

人体模型（每JESD22 - A114 ）

机器型号（每EIA / JESD22 - A115 ）

充电器型号（每JESD22 - C101 ）

类

表4.电气特性

= 25 ° C除非另有说明）

特征

开关特性

零栅极电压漏极漏电流

= 70伏，V

= 0伏）

零栅极电压漏极漏电流

= 28伏，V

= 0伏）

门 - 源极漏电流

= 5伏，V

= 0伏）

基本特征

栅极阈值电压

= 10 VDC ，我

= 1380

μAdc ）

门静态电压

= 28伏直流，我

= 1500 MADC ，测量功能测试）

漏极 - 源极导 - 电压

= 10 VDC ，我

= 3.0 ADC）

GS （ TH）

GS （ Q）

DS （ ON）

1.5

2.3

0.1

2.3

3.0

0.24

3.0

3.8

0.3

VDC

DSS

GSS

—

μAdc

符号

民

典型值

最大

单位

功能测试

(1)

（飞思卡尔测试夹具， 50欧姆系统）V

= 28伏直流，我

= 1500毫安， P

OUT

= 70瓦的魅力。， F = 895 MHz时，

单 - 载波W - CDMA ， IQ幅度裁剪，输入信号PAR = 7.5 dB的CCDF上0.01 ％的概率。 ACPR测量在3.84兆赫

信道带宽@

MHz偏移。

功率增益

漏EF网络效率

输出峰 - 到 - 平均比@ CCDF上0.01 ％的概率

相邻通道功率比

输入回波损耗

PAR

ACPR

IRL

19.6

35.5

5.8

—

21.1

37.5

6.2

--36.9

--16

22.6

—

--35.0

--12

dBc的

典型的宽带性能

（飞思卡尔测试夹具， 50欧姆系统）V

= 28伏直流，我

= 1500毫安， P

OUT

= 70瓦平均，

单 - 载波W - CDMA ， IQ幅度裁剪，输入信号PAR = 7.5 dB的CCDF上0.01 ％的概率。 ACPR测量在3.84兆赫

信道带宽@

MHz偏移。

频率

850兆赫

875兆赫

895兆赫

1.部分内部对输入和输出匹配两种。

（续）

（ dB）的

21.3

21.4

21.1

(%)

36.2

37.4

37.5

PAR输出

（ dB）的

6.5

6.3

6.2

ACPR

（ DBC）

--37.0

--36.7

--36.9

IRL

（ dB）的

--9

--13

--16

MRF8S8260HR3 MRF8S8260HSR3

RF设备数据

飞思卡尔半导体公司

表4.电气特性

= 25 ° C除非另有说明）

（续）

特征

OUT

@ 1 dB压缩点， CW

IMD对称性@ 80瓦特PEP ，P

OUT

其中，第三IMD

阶互调

30 dBc的

上，下之间（增量IMD三阶互调

边带> 2分贝）

VBW共振点

（ IMD三阶互调拐点）

增益平坦度在45 MHz带宽@ P

OUT

= 70瓦的魅力。

增益随温度变化

（ --30C至+ 85C ）

输出功率随温度变化

（ --30C至+ 85C ）

(1)

符号

P1dB

IMD

符号

民

—

典型值

260

(1)

9.7

最大

—

单位

兆赫

典型性能

（飞思卡尔测试夹具， 50欧姆系统）V

= 28伏直流，我

= 1500毫安， 850--895 MHz带宽

VBW

水库

P1dB

—

0.3

0.016

0.002

—

兆赫

分贝/°C的

1.超出推荐的工作条件。见最大额定值表CW操作数据。

MRF8S8260HR3 MRF8S8260HSR3

RF设备数据

飞思卡尔半导体公司

C11

C30

C10

C22

C23

C26

C7 C8

C12

C27

C14 C15

切出区

C18

C16 C17

C19

C13

C28

C29

C20*

C1*

C5 C6

C21

C24

C25

C31

MRF8S8260H/HS

第1版

* C1和C20垂直安装。

图1. MRF8S8260HR3 （ HSR3 ）测试电路元件布局

表5. MRF8S8260HR3 （ HSR3 ）测试电路元件牌号和值

部分

C5 C7

C6, C8

C9, C20, C22, C23, C24, C25

C10

C11

C12, C13

C14, C16

C15, C17

C18

C19

C21

C26, C27, C28, C29

C30, C31

PCB

描述

RF珠

2.7 pF的电容芯片

100 pF的电容芯片

2.4 pF的贴片电容

5.1 pF的贴片电容

3.3 pF的贴片电容

3.9 pF的贴片电容

43 pF的贴片电容

4.7

100 V贴片电容

电解电容

8.2 pF的贴片电容

3.9 pF的贴片电容

3.0 pF的贴片电容

0.7 pF的贴片电容

4.3 pF的贴片电容

0.1 pF的贴片电容

50 V贴片电容

470

电解电容

2.0

1/4 W贴片电阻

1 kΩ的1/4 W贴片电阻

0.030,

= 3.5

产品型号

BLM21PG300SN1D

ATC100B2R7BT500XT

ATC100B101JT500XT

ATC100B2R4JT500XT

ATC100B5R1CT500XT

ATC100B3R3CT500XT

ATC100B3R9CT500XT

ATC100B430JT500XT

GRM55ER72A475KA01B

UUD1V220MCL1GS

ATC100B8R2CT500XT

ATC100B3R9CT500XT

ATC100B3R0CT500XT

ATC100B0R7BT500XT

ATC100B4R3CT500XT

ATC100B0R1BT500XT

GRM55DR61H106KA88L

MCGPR63V477M13X26--RH

P2.0VCT--ND

CRCW12061K00FKEA

TC350

生产厂家

村田

ATC

村田

尼吉康

ATC

村田

MULTICOMP

松下

日前，Vishay

阿尔隆

MRF8S8260HR3 MRF8S8260HSR3

RF设备数据

飞思卡尔半导体公司

典型特征

，沥干

效率（％）

，功率增益（分贝）

820

840

860

IRL

公园

900

920

940

960

ACPR

= 28伏直流电，P

OUT

= 70 W（平均），我

= 1500毫安

单 - 载波W - CDMA ， 3.84 MHz信道

带宽输入信号的PAR = 7.5 dB的

CCDF上0.01 ％的概率

--36

ACPR （ DBC）

--37

--38

--39

--40

--41

880

980

男，频率（MHz）

--4

--8

--12

--16

--20

IRL ，输入回波损耗（分贝）

--1

--1.2

--1.4

--1.6

--1.8

--2

PARC （分贝）

图2.输出峰值 - - 平均比例压缩（ PARC ）

- 到 -

宽带性能@ P

OUT

= 70瓦的魅力。

--20

--30

--40

--50

--60

--70

IMD ，互调失真（ DBC）

= 28伏直流电，P

OUT

= 80 W（ PEP ），我

= 1500毫安

两个 - 音频测量，（ F1 + F2） / 2 =中心

875 MHz的频率

IM3--U

IM3--L

IM5--U

IM5--L

IM7--L

IM7--U

TWO - TONE间隔（MHz ）

100

图3.互调失真产品

与两

-Tone间距

输出压缩0.01 ％

概率ON CCDF （分贝）

21.5

，功率增益（分贝）

20.5

19.5

--1

--2

--2分贝= 89.6 W

--3

--4

--5

--3分贝= 119.8 W

= 28伏直流，我

= 1500毫安， F = 875 MHz的

单 - 载波W - CDMA ， 3.84 MHz信道带宽

输入信号PAR =上CCDF 7.5分贝@ 0.01 ％概率

100

120

公园

140

ACPR

--1分贝= 63.8 W

--25

--30

--35

--40

--45

--50

--55

ACPR （ DBC）

OUT

，输出功率（瓦）

图4.输出峰值 - - 平均比

- 到 -

压缩（ PARC ）与输出功率

MRF8S8260HR3 MRF8S8260HSR3

RF设备数据

飞思卡尔半导体公司

排水 FFI效率（％）

飞思卡尔半导体公司

技术参数

文档编号： MRF8S8260H

第0版， 1/2011

射频功率场效应晶体管

N - 沟道增强 - 模式横向的MOSFET

专为CDMA基站应用的频率从790到

895兆赫。可以用在AB类和C类的所有典型的蜂窝基站

站调制格式。

典型的单 - 载波W - CDMA性能： V

= 28伏，我

1500毫安，P

OUT

= 70瓦平均， IQ幅度裁剪，通道

带宽= 3.84 MHz的输入信号PAR = 7.5 dB的0.01 ％的概率

在CCDF 。

频率

850兆赫

875兆赫

895兆赫

（ dB）的

21.3

21.4

21.1

(%)

36.2

37.4

37.5

PAR输出

（ dB）的

6.5

6.3

6.2

ACPR

（ DBC）

--37.0

--36.7

--36.9

MRF8S8260HR3

MRF8S8260HSR3

850-

-895兆赫， 70瓦的魅力。 28 V

单W-

-CDMA

横向N-

声道

RF功率MOSFET

能够处理7 ： 1 VSWR ， @ 32 VDC ， 875兆赫， 390瓦CW

(1)

输出功率（从额定P 3 dB输入过载

OUT

），专为

增强耐用性

典型的P

OUT

@ 1 dB压缩点

260瓦CW

(1)

特点

100 ％测试PAR针对有保证的输出功率能力

特点等效串联阻抗大 - 信号阻抗参数

和常见的源极S - 参数

内部匹配的易用性

集成ESD保护

更大的负栅 - 源电压范围为改良C类操作

专为数字预失真纠错系统

优化的Doherty应用

符合RoHS

在磁带和卷轴。 R3后缀= 250单位，56个毫米磁带宽度， 13英寸的卷轴。

对于R5磁带和卷轴选项，请参见p 。 16 。

表1.最大额定值

等级

漏 - 源极电压

栅 - 源电压

工作电压

存储温度范围

情况下的工作温度

工作结温

(2,3)

CW操作@ T

= 25°C

减免上述25℃

符号

DSS

英镑

CASE 465B-

-03 ，风格1

NI-

-880

MRF8S8260HR3

CASE 465C-

-02 ，风格1

NI-

-880S

MRF8S8260HSR3

价值

--0.5, +70

--6.0, +10

32, +0

- 65 + 150

150

225

201

0.94

单位

VDC

°C

W / ℃，

表2.热特性

特征

热阻，结到外壳

外壳温度83C ， 70瓦CW ， 28伏直流电，我

= 1500毫安， 895兆赫

外壳温度80C ， 260 W CW

(1)

， 28伏直流，我

= 1500毫安， 895兆赫

符号

θJC

价值

(3,4)

0.36

0.31

单位

° C / W

1.超出推荐的工作条件。见最大额定值表CW操作数据。

在最高温度2，连续使用会影响平均无故障时间。

3. MTTF计算器可在http://www.freescale.com/rf 。选择软件&工具/开发工具/计算器访问MTTF

计算器按照产品。

4.参考AN1955 ，

射频功率放大器的热测量方法。

去http://www.freescale.com/rf 。

选择文档/应用笔记 - AN1955 。

MRF8S8260HR3 MRF8S8260HSR3

RF设备数据

飞思卡尔半导体公司

表3. ESD保护特性

测试方法

人体模型（每JESD22 - A114 ）

机器型号（每EIA / JESD22 - A115 ）

充电器型号（每JESD22 - C101 ）

类

2 （最小）

A（最小）

IV （最低）

表4.电气特性

= 25 ° C除非另有说明）

特征

开关特性

零栅极电压漏极漏电流

= 70伏，V

= 0伏）

零栅极电压漏极漏电流

= 28伏，V

= 0伏）

门 - 源极漏电流

= 5伏，V

= 0伏）

基本特征

栅极阈值电压

= 10 VDC ，我

= 1380

μAdc ）

门静态电压

= 28伏直流，我

= 1500 MADC ，测量功能测试）

漏极 - 源极导 - 电压

= 10 VDC ，我

= 3.0 ADC）

GS （ TH）

GS （ Q）

DS （ ON）

1.5

2.3

0.1

2.3

3.0

0.24

3.0

3.8

0.3

VDC

DSS

GSS

—

μAdc

符号

民

典型值

最大

单位

功能测试

(1)

（飞思卡尔测试夹具， 50欧姆系统）V

= 28伏直流，我

= 1500毫安， P

OUT

= 70瓦的魅力。， F = 895 MHz时，

单 - 载波W - CDMA ， IQ幅度裁剪，输入信号PAR = 7.5 dB的CCDF上0.01 ％的概率。 ACPR测量在3.84兆赫

信道带宽@

±5

MHz偏移。

功率增益

漏EF网络效率

输出峰 - 到 - 平均比@ CCDF上0.01 ％的概率

相邻通道功率比

输入回波损耗

PAR

ACPR

IRL

19.6

35.5

5.8

—

21.1

37.5

6.2

--36.9

--16

22.6

—

--35.0

--12

dBc的

典型的宽带性能

（飞思卡尔测试夹具， 50欧姆系统）V

= 28伏直流，我

= 1500毫安， P

OUT

= 70瓦平均，

单 - 载波W - CDMA ， IQ幅度裁剪，输入信号PAR = 7.5 dB的CCDF上0.01 ％的概率。 ACPR测量在3.84兆赫

信道带宽@

±5

MHz偏移。

频率

850兆赫

875兆赫

895兆赫

1.部分内部对输入和输出匹配两种。

（续）

（ dB）的

21.3

21.4

21.1

(%)

36.2

37.4

37.5

PAR输出

（ dB）的

6.5

6.3

6.2

ACPR

（ DBC）

--37.0

--36.7

--36.9

IRL

（ dB）的

--9

--13

--16

MRF8S8260HR3 MRF8S8260HSR3

RF设备数据

飞思卡尔半导体公司

表4.电气特性

= 25 ° C除非另有说明）

（续）

特征

OUT

@ 1 dB压缩点， CW

IMD对称性@ 80瓦特PEP ，P

OUT

其中，第三IMD

阶互调

30 dBc的

上，下之间（增量IMD三阶互调

边带> 2分贝）

VBW共振点

（ IMD三阶互调拐点）

增益平坦度在45 MHz带宽@ P

OUT

= 70瓦的魅力。

增益随温度变化

（ --30C至+ 85C ）

输出功率随温度变化

（ --30C至+ 85C ）

(1)

符号

P1dB

IMD

符号

民

—

典型值

260

(1)

9.7

最大

—

单位

兆赫

典型性能

（飞思卡尔测试夹具， 50欧姆系统）V

= 28伏直流，我

= 1500毫安， 850--895 MHz带宽

VBW

水库

P1dB

—

0.3

0.016

0.002

—

兆赫

分贝/°C的

1.超出推荐的工作条件。见最大额定值表CW操作数据。

MRF8S8260HR3 MRF8S8260HSR3

RF设备数据

飞思卡尔半导体公司

C11

C30

C10

C22

C23

C26

C7 C8

C12

C27

C14 C15

切出区

C18

C16 C17

C19

C13

C28

C29

C20*

C1*

C5 C6

C21

C24

C25

C31

MRF8S8260H/HS

第1版

* C1和C20垂直安装。

图1. MRF8S8260HR3 （ HSR3 ）测试电路元件布局

表5. MRF8S8260HR3 （ HSR3 ）测试电路元件牌号和值

部分

C5 C7

C6, C8

C9, C20, C22, C23, C24, C25

C10

C11

C12, C13

C14, C16

C15, C17

C18

C19

C21

C26, C27, C28, C29

C30, C31

PCB

描述

RF珠

2.7 pF的电容芯片

100 pF的电容芯片

2.4 pF的贴片电容

5.1 pF的贴片电容

3.3 pF的贴片电容

3.9 pF的贴片电容

43 pF的贴片电容

4.7

μF,

100 V贴片电容

μF

电解电容

8.2 pF的贴片电容

3.9 pF的贴片电容

3.0 pF的贴片电容

0.7 pF的贴片电容

4.3 pF的贴片电容

0.1 pF的贴片电容

μF,

50 V贴片电容

470

μF

电解电容

2.0

1/4 W贴片电阻

1 kΩ的1/4 W贴片电阻

0.030″,

= 3.5

产品型号

BLM21PG300SN1D

ATC100B2R7BT500XT

ATC100B101JT500XT

ATC100B2R4JT500XT

ATC100B5R1CT500XT

ATC100B3R3CT500XT

ATC100B3R9CT500XT

ATC100B430JT500XT

GRM55ER72A475KA01B

UUD1V220MCL1GS

ATC100B8R2CT500XT

ATC100B3R9CT500XT

ATC100B3R0CT500XT

ATC100B0R7BT500XT

ATC100B4R3CT500XT

ATC100B0R1BT500XT

GRM55DR61H106KA88L

MCGPR63V477M13X26--RH

P2.0VCT--ND

CRCW12061K00FKEA

TC350

生产厂家

村田

ATC

村田

尼吉康

ATC

村田

MULTICOMP

松下

日前，Vishay

阿尔隆

MRF8S8260HR3 MRF8S8260HSR3

RF设备数据

飞思卡尔半导体公司

典型特征

，沥干

效率（％）

，功率增益（分贝）

820

840

860

IRL

公园

900

920

940

960

ACPR

= 28伏直流电，P

OUT

= 70 W（平均），我

= 1500毫安

单 - 载波W - CDMA ， 3.84 MHz信道

带宽输入信号的PAR = 7.5 dB的

CCDF上0.01 ％的概率

--36

ACPR （ DBC）

--37

--38

--39

--40

--41

880

980

男，频率（MHz）

--4

--8

--12

--16

--20

IRL ，输入回波损耗（分贝）

--1

--1.2

--1.4

--1.6

--1.8

--2

PARC （分贝）

图2.输出峰值 - - 平均比例压缩（ PARC ）

- 到 -

宽带性能@ P

OUT

= 70瓦的魅力。

--20

--30

--40

--50

--60

--70

IMD ，互调失真（ DBC）

= 28伏直流电，P

OUT

= 80 W（ PEP ），我

= 1500毫安

两个 - 音频测量，（ F1 + F2） / 2 =中心

875 MHz的频率

IM3--U

IM3--L

IM5--U

IM5--L

IM7--L

IM7--U

TWO - TONE间隔（MHz ）

100

图3.互调失真产品

与两

-Tone间距

输出压缩0.01 ％

概率ON CCDF （分贝）

21.5

，功率增益（分贝）

20.5

19.5

--1

--2

--2分贝= 89.6 W

--3

--4

--5

--3分贝= 119.8 W

= 28伏直流，我

= 1500毫安， F = 875 MHz的

单 - 载波W - CDMA ， 3.84 MHz信道带宽

输入信号PAR =上CCDF 7.5分贝@ 0.01 ％概率

100

120

公园

140

ACPR

--1分贝= 63.8 W

--25

--30

--35

--40

--45

--50

--55

ACPR （ DBC）

OUT

，输出功率（瓦）

图4.输出峰值 - - 平均比

- 到 -

压缩（ PARC ）与输出功率

MRF8S8260HR3 MRF8S8260HSR3

RF设备数据

飞思卡尔半导体公司

排水 FFI效率（％）