飞思卡尔半导体公司
技术参数
文档编号： MRF8S7235N
第0版， 6/2012
射频功率场效应晶体管
N - 沟道增强 - 模式横向MOSFET
专为基站应用的频率从728到
768兆赫。可以用在AB类和C类的所有典型的蜂窝基站
站调制格式。
典型的单 - 载波W - CDMA性能： V
DD
= 28伏，我
DQ
=
1400毫安，P
OUT
= 63瓦平均， IQ幅度裁剪，通道
带宽= 3.84 MHz的输入信号PAR = 7.5 dB的0.01 ％的概率
在CCDF 。
频率
（兆赫）
728
748
768
G
ps
（ dB）的
20.0
20.2
20.1
η
D
(%)
36.1
36.0
35.9
PAR输出
（ dB）的
6.3
6.4
6.4
ACPR
（ DBC）
--38.1
--39.0
--38.7
MRF8S7235NR3
728-
-768兆赫， 63 W平均， 28 V
单W-
-CDMA
横向N-
声道
RF功率MOSFET
能够处理10 ： 1 VSWR ， @ 32 VDC ， 748兆赫， 360瓦的连续输出
从额定功率P （3 dB输入过载
OUT
） ，专为
增强耐用性
典型的P
OUT
@ 1 dB压缩点
260瓦CW
特点
100 ％测试PAR针对有保证的输出功率能力
特点等效串联阻抗大 - 信号阻抗参数
和常见的源极S - 参数
内部匹配的易用性
集成ESD保护
更大的负栅 - 源电压范围为改良C类操作
专为数字预失真纠错系统
优化的Doherty应用
225℃有能力塑料包装
在磁带和卷轴。 R3后缀= 250单元，32毫米磁带宽度， 13英寸的卷轴。
表1.最大额定值
等级
漏 - 源极电压
栅 - 源电压
工作电压
存储温度范围
情况下的工作温度
工作结温
(1,2)
符号
V
DSS
V
GS
V
DD
T
英镑
T
C
T
J
价值
--0.5, +70
--6.0, +10
32, +0
--65到150
150
225
单位
VDC
VDC
VDC
°C
°C
°C
OM-
-780-
-2
塑料
表2.热特性
Characteristich
热阻，结到外壳
外壳温度80 ° C， 63 W CW ， 28伏直流电，我
DQ
= 1400毫安， 728兆赫
外壳温度82℃ ， 250W的CW ， 28伏直流电，我
DQ
= 1400毫安， 728兆赫
符号
R
θJC
价值
(2,3)
0.33
0.29
单位
° C / W
在最高温度1，连续使用会影响平均无故障时间。
2. MTTF计算器可在http://www.freescale.com/rf 。选择软件&工具/开发工具/计算器访问MTTF
计算器按照产品。
3.请参阅AN1955 ，
射频功率放大器的热测量方法。
去http://www.freescale.com/rf 。
选择文档/应用笔记 - AN1955 。
飞思卡尔半导体公司， 2012年版权所有。
MRF8S7235NR3
1
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
表3. ESD保护特性
测试方法
人体模型（每JESD22 - A114 ）
机器型号（每EIA / JESD22 - A115 ）
充电器型号（每JESD22 - C101 ）
类
2
A
IV
表4.湿度敏感度等级
测试方法
每JESD22 - A113 ， IPC / JEDEC J - STD - 020
等级
3
封装峰值温度
260
单位
°C
表5.电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
特征
开关特性
零栅极电压漏极漏电流
(V
DS
= 70伏，V
GS
= 0伏）
零栅极电压漏极漏电流
(V
DS
= 28伏，V
GS
= 0伏）
门 - 源极漏电流
(V
GS
= 5伏，V
DS
= 0伏）
基本特征
栅极阈值电压
(V
DS
= 10 VDC ，我
D
= 920
μAdc ）
门静态电压
(V
DD
= 28伏直流，我
D
= 1400 MADC ，测量功能测试）
漏极 - 源极导 - 电压
(V
GS
= 10 VDC ，我
D
= 3.4 ADC）
V
GS （ TH）
V
GS （ Q）
V
DS （ ON）
1.5
2.3
0.1
2.3
3.0
0.18
3.0
3.8
0.3
VDC
VDC
VDC
I
DSS
I
DSS
I
GSS
—
—
—
—
—
—
10
1
1
μAdc
μAdc
μAdc
符号
民
典型值
最大
单位
功能测试
(1)
（飞思卡尔测试夹具， 50欧姆系统）V
DD
= 28伏直流，我
DQ
= 1400毫安，P
OUT
= 63 W平均， F = 728 MHz时，
单 - 载波W - CDMA ， IQ幅度裁剪，输入信号PAR = 7.5 dB的CCDF上0.01 ％的概率。 ACPR测量在3.84兆赫
信道带宽@
±5
MHz偏移。
功率增益
漏EF网络效率
输出峰 - 到 - 平均比@ CCDF上0.01 ％的概率
相邻通道功率比
输入回波损耗
G
ps
η
D
PAR
ACPR
IRL
18.8
34.5
5.8
—
—
20.0
36.1
6.3
--38.1
--16
21.8
—
—
--35.5
--10
dB
%
dB
dBc的
dB
典型的宽带性能
（飞思卡尔测试夹具， 50欧姆系统）V
DD
= 28伏直流，我
DQ
= 1400毫安，P
OUT
= 63 W平均，
单 - 载波W - CDMA ， IQ幅度裁剪，输入信号PAR = 7.5 dB的CCDF上0.01 ％的概率。 ACPR测量在3.84兆赫
信道带宽@
±5
MHz偏移。
频率
728兆赫
748兆赫
768兆赫
1.部分内部对输入和输出匹配两种。
G
ps
（ dB）的
20.0
20.2
20.1
η
D
(%)
36.1
36.0
35.9
PAR输出
（ dB）的
6.3
6.4
6.4
ACPR
（ DBC）
--38.1
--39.0
--38.7
IRL
（ dB）的
--16
--17
--15
（续）
MRF8S7235NR3
2
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
B1
C6
R1
C1
C9
C19
C10
C11*
R2
C21
C23 C25
切出区
C16
C17*
C18
C12*
C24 C26
C22
C7 C2
C3
C28*
C27*
C30*
C29*
C31
C14
C15
C13*
C8
C20 C4*
C5*
MRF8S7235N
牧师4A
* C4，C5， C11，C12 ，C13， C17， C27 ，C28 ， C29和C30中垂直安装。
图1. MRF8S7235NR3测试电路元件布局
表6. MRF8S7235NR3测试电路组件牌号和值
部分
B1
C1, C2, C3, C4, C5
C6, C7, C8
C9, C19, C20
C10
C11, C12
C13
C14
C15, C16, C17, C18, C27
C21, C22
C23, C24
C25, C26
C28
C29
C30
C31
R1
R2
PCB
铁氧体磁珠
22
μF
贴片电容
3.3
μF
贴片电容
68 pF的贴片电容
12 pF的电容芯片
10 pF的贴片电容
2.7 pF的电容芯片
110 pF的贴片电容
3.6 pF的贴片电容
15 pF的贴片电容
6.2 pF的贴片电容
8.2 pF的贴片电容
3.3 pF的贴片电容
1.0 pF的贴片电容
39 pF的贴片电容
470
μF
电解电容
27 KΩ 1/4 W码片电阻
4.75
,
1/4 W贴片电阻
0.030″,
ε
r
= 3.5
描述
产品型号
MPZ2012S300A
C5750KF1H226ZT
C3225JB1H335MT
ATC100B680JT500XT
ATC100B120JT500XT
ATC100B100CT500XT
ATC100B2R7CT500XT
ATC100B111JT500XT
ATC100B3R6CT500XT
ATC100B150JT500XT
ATC100B6R2CT500XT
ATC100B8R2CT500XT
ATC100B3R3CT500XT
ATC100B1R0BT500XT
ATC100B390JT500XT
MCGPR63V477M13X26-RH
CRCW120627K0JNEA
CRCW12064R75FNEA
RF35--A2
TDK
TDK
ATC
ATC
ATC
ATC
ATC
ATC
ATC
ATC
ATC
ATC
ATC
ATC
MULTICOMP
日前，Vishay
日前，Vishay
Taconic的
生产厂家
村田
MRF8S7235NR3
4
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
典型特征
V
DD
= 28伏直流电，P
OUT
= 63 W（平均） ，我
DQ
= 1400毫安
23单 - 载波W - CDMA ， 3.84 MHz信道带宽
22
G
ps
，功率增益（分贝）
21
20
19
18
17
16
15
14
710
720
730
740
750
760
ACPR
IRL
770
780
公园
输入信号PAR = 7.5 dB的0.01 ％的概率
在CCDF
η
D
，沥干
效率（％）
24
38
37
η
D
G
ps
36
35
34
--35
--36
ACPR （ DBC）
--37
--38
--39
--40
790
男，频率（MHz）
IRL ，输入回波损耗（分贝）
--10
--12
--14
--16
--18
--20
--1.1
--1.2
--1.3
--1.4
--1.5
--1.6
PARC （分贝）
图2.输出峰值 - - 平均比例压缩（ PARC ）
- 到 -
宽带性能@ P
OUT
= 63瓦的魅力。
--10
--20
--30
--40
--50
--60
IM5--U
IM5--L
IM7--L
IM7--U
IM3--L
IMD ，互调失真（ DBC）
V
DD
= 28伏直流电，P
OUT
= 100 W（ PEP ） ，我
DQ
= 1400毫安
两个 - 音频测量
（ F1 + F2）的748兆赫/ 2 =中心频率
IM3--U
1
10
TWO - TONE间隔（MHz ）
100
图3.互调失真产品
与两
-Tone间距
22
输出压缩0.01 ％
概率ON CCDF （分贝）
21
G
ps
，功率增益（分贝）
20
19
18
17
16
1
0
--1
--2
--3
--4
--5
--1分贝= 59 W
--2分贝= 80瓦
ACPR
--3分贝= 110瓦特
70
η
D
,
排水 FFI效率（ ％ ）
60
50
40
公园
30
20
10
130
--20
--25
--30
--35
--40
--45
--50
ACPR （ DBC）
V
DD
= 28伏直流，我
DQ
= 1400毫安， F = 748 MHz的
单 - 载波W - CDMA ， 3.84 MHz信道带宽
输入信号PAR =上CCDF 7.5分贝@ 0.01 ％概率
G
ps
η
D
30
50
70
90
110
P
OUT
，输出功率（瓦）
图4.输出峰值 - - 平均比
- 到 -
压缩（ PARC ）与输出功率
MRF8S7235NR3
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
5
QQ：2880707522 复制
