飞思卡尔半导体公司
技术参数
文档编号： MRF8S23120H
牧师0 ， 11/2010
射频功率场效应晶体管
N - 沟道增强 - 模式横向的MOSFET
专为LTE基站应用的频率在2300
2400兆赫。可以用在AB类和C类的所有典型的蜂窝基站
站调制格式。
典型的单 - 载波W - CDMA性能： V
DD
= 28伏，我
DQ
=
800毫安，P
OUT
= 28瓦平均， IQ幅度裁剪，通道
带宽= 3.84 MHz的输入信号PAR = 7.5 dB的0.01 ％的概率
在CCDF 。
频率
2300兆赫
2350兆赫
2400兆赫
G
ps
（ dB）的
16.0
16.3
16.6
η
D
(%)
31.9
30.9
31.2
PAR输出
（ dB）的
6.1
6.4
6.3
ACPR
（ DBC）
--37.1
--37.9
--37.5
MRF8S23120HR3
MRF8S23120HSR3
2300-
-2400兆赫， 28瓦平均， 28 V
LTE
横向N-
声道
RF功率MOSFET
能够处理5 ： 1 VSWR ， @ 30伏直流电， 2350兆赫， 138瓦CW
(1)
输出功率（从额定P 2 dB输入过载
OUT
)
典型的P
OUT
@ 1 dB压缩点
107瓦CW
特点
100 ％测试PAR针对有保证的输出功率能力
特点等效串联阻抗大 - 信号阻抗参数
和常见的源极S - 参数
内部匹配的易用性
集成ESD保护
更大的负栅 - 源电压范围为改良C级
手术
专为数字预失真纠错系统
优化的Doherty应用
符合RoHS
在磁带和卷轴。 R3后缀= 250单位，56个毫米磁带宽度， 13英寸的卷轴。
表1.最大额定值
等级
漏 - 源极电压
栅 - 源电压
工作电压
存储温度范围
情况下的工作温度
工作结温
(2,3)
CW操作@ T
C
= 25°C
减免上述25℃
符号
V
DSS
V
GS
V
DD
T
英镑
T
C
T
J
CW
CASE 465-
-06 ，风格1
NI-
-780
MRF8S23120HR3
CASE 465A-
-06 ，风格1
NI-
-780S
MRF8S23120HSR3
价值
--0.5, +65
--6.0, +10
32, +0
--65到150
150
225
109
0.52
单位
VDC
VDC
VDC
°C
°C
°C
W
W / ℃，
表2.热特性
特征
热阻，结到外壳
外壳温度76 ° C， 28瓦CW ， 28伏直流电，我
DQ
= 800毫安， 2400兆赫
外壳温度80 ° C， 120瓦CW
(1)
， 28伏直流，我
DQ
= 800毫安， 2400兆赫
符号
R
θJC
价值
(3,4)
0.50
0.47
单位
° C / W
1.超出推荐的工作条件。见最大额定值表CW操作数据。
在最高温度2，连续使用会影响平均无故障时间。
3. MTTF计算器可在http://www.freescale.com/rf 。选择软件&工具/开发工具/计算器访问MTTF
计算器按照产品。
4.参考AN1955 ，
射频功率Amplifiers.Go热测量方法
到http://www.freescale.com/rf 。
选择文档/应用笔记 - AN1955 。
飞思卡尔半导体公司， 2010年。保留所有权利。
MRF8S23120HR3 MRF8S23120HSR3
1
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
表3. ESD保护特性
测试方法
人体模型（每JESD22 - A114 ）
机器型号（每EIA / JESD22 - A115 ）
充电器型号（每JESD22 - C101 ）
类
2 （最小）
A（最小）
IV （最低）
符号
I
DSS
I
DSS
I
GSS
民
—
—
—
典型值
—
—
—
最大
10
1
1
单位
μAdc
μAdc
μAdc
表4.电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
特征
开关特性
零栅极电压漏极漏电流
(V
DS
= 65伏，V
GS
= 0伏）
零栅极电压漏极漏电流
(V
DS
= 28伏，V
GS
= 0伏）
门 - 源极漏电流
(V
GS
= 5伏，V
DS
= 0伏）
基本特征
栅极阈值电压
(V
DS
= 10 VDC ，我
D
= 172
μAdc ）
门静态电压
(V
DD
= 28伏直流，我
D
= 800 MADC ，测量功能测试）
漏极 - 源极导 - 电压
(V
GS
= 10 VDC ，我
D
= 1.72 ADC）
V
GS （ TH）
V
GS （ Q）
V
DS （ ON）
1.0
1.8
0.1
1.8
2.6
0.15
2.5
3.3
0.3
VDC
VDC
VDC
功能测试
(1)
（飞思卡尔测试夹具， 50欧姆系统）V
DD
= 28伏直流，我
DQ
= 800毫安， P
OUT
= 28瓦的魅力。 ， F = 2300兆赫，
单 - 载波W - CDMA ， IQ幅度裁剪，输入信号PAR = 7.5 dB的CCDF上0.01 ％的概率。 ACPR测量在3.84兆赫
信道带宽@
±5
MHz偏移。
功率增益
漏EF网络效率
输出峰 - 到 - 平均比@ CCDF上0.01 ％的概率
相邻通道功率比
输入回波损耗
G
ps
η
D
PAR
ACPR
IRL
14.5
29.0
5.7
—
—
16.0
31.9
6.1
--37.1
--12
17.5
—
—
--35.0
--7
dB
%
dB
dBc的
dB
典型的宽带性能
（飞思卡尔测试夹具， 50欧姆系统）V
DD
= 28伏直流，我
DQ
= 800毫安， P
OUT
= 28瓦平均，
单 - 载波W - CDMA ， IQ幅度裁剪，输入信号PAR = 7.5 dB的CCDF上0.01 ％的概率。 ACPR测量在3.84兆赫
信道带宽@
±5
MHz偏移。
频率
2300兆赫
2350兆赫
2400兆赫
1.部分内部对输入和输出匹配两种。
（续）
G
ps
（ dB）的
16.0
16.3
16.6
η
D
(%)
31.9
30.9
31.2
PAR输出
（ dB）的
6.1
6.4
6.3
ACPR
（ DBC）
--37.1
--37.9
--37.5
IRL
（ dB）的
--12
--19
--18
MRF8S23120HR3 MRF8S23120HSR3
2
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
表4.电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
（续）
特征
符号
民
—
—
典型值
107
13
最大
—
—
单位
W
兆赫
典型的表演
（飞思卡尔测试夹具， 50欧姆系统）V
DD
= 28伏直流，我
DQ
= 800毫安， 2300--2400 MHz带宽
P
OUT
@ 1 dB压缩点， CW
IMD对称性@ 84 W PEP ，P
OUT
其中， IMD三阶
互
30 dBc的
上，下之间（增量IMD三阶互调
边带> 2分贝）
VBW共振点
（ IMD三阶互调拐点）
增益平坦度在100 MHz带宽@ P
OUT
= 28瓦的魅力。
增益随温度变化
（ --30C至+ 85C ）
输出功率随温度变化
（ --30C至+ 85C ）
(1)
P1dB
IMD
符号
VBW
水库
G
F
G
P1dB
—
—
—
—
62
0.6
0.002
0.008
—
—
—
—
兆赫
dB
分贝/°C的
分贝/°C的
1.超出推荐的工作条件。见最大额定值表CW操作数据。
MRF8S23120HR3 MRF8S23120HSR3
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
3
B1
C16
C8
C14
C6*
R1
C4
切出区
C13
C2
C5
C1
C15
C3
C7*
C10 C12
MRF8S23120H/S
第0版
* C6和C7是垂直安装的。
图1. MRF8S23120HR3 （ HSR3 ）测试电路元件布局
表5. MRF8S23120HR3 （ HSR3 ）测试电路元件牌号和值
部分
B1
C1, C4
C2, C15
C3
C5, C6, C7
C8
C9, C10, C11, C12, C14
C13
C16
R1
PCB
铁氧体磁珠
5.6 pF的贴片电容
0.5 pF的贴片电容
1.8 pF的贴片电容
8.2 pF的贴片电容
3.3
μF,
100 V贴片电容
10
μF,
50 V贴片电容
470
μF,
63 V电解电容
330 nF的， 100 V贴片电容
4.75
,
1/4 W贴片电阻
0.030″,
ε
r
= 2.55
描述
产品型号
MPZ2012S300A
ATC100B5R6CT500XT
ATC100B0R5BT500XT
ATC100B1R5BT500XT
ATC100B8R2CT500XT
C5750X7R2A335MT
C5750X7R1H106KT
MCGPR63V477M13X26--RH
C3225JB2A334KT
CRCW12064R75FNEA
AD255A
生产厂家
TDK
ATC
ATC
ATC
ATC
TDK
TDK
MULTICOMP
TDK
日前，Vishay
阿尔隆
MRF8S23120HR3 MRF8S23120HSR3
4
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
+
C9
C11
典型特征
V
DD
= 28伏直流电，P
OUT
= 28 W（平均） ，我
DQ
= 800毫安
单 - 载波W - CDMA ， 3.84 MHz信道带宽
输入信号PAR =上CCDF 7.5分贝@ 0.01 ％概率
η
D
，沥干
效率（％）
17.2
17
16.8
G
ps
，功率增益（分贝）
16.6
16.4
16.2
16
15.8
15.6
15.4
15.2
2290
ACPR
2305
2320
2335
2350
2365
2380
2395
IRL
G
ps
公园
η
D
34
33
32
31
30
--34
--35
ACPR （ DBC）
--36
--37
--38
--39
2410
IRL ，输入回波损耗（分贝）
--10
--15
--20
--25
--30
--35
--1
--1.2
--1.4
--1.6
--1.8
--2
PARC （分贝）
男，频率（MHz）
图2.输出峰值 - - 平均比例压缩（ PARC ）
- 到 -
宽带性能@ P
OUT
= 28瓦的魅力。
--10
--20
--30
--40
--50
--60
IMD ，互调失真（ DBC）
V
DD
= 28伏直流电，P
OUT
= 84 W（ PEP ） ，我
DQ
= 800毫安
两个 - 音频测量
（ F1 + F2） 2350兆赫/ 2 =中心频率
IM3--U
IM3--L
IM5--U
IM5--L
IM7--L
IM7--U
1
10
TWO - TONE间隔（MHz ）
100
图3.互调失真产品
与两
-Tone间距
17
输出压缩0.01 ％
概率ON CCDF （分贝）
16.6
G
ps
，功率增益（分贝）
16.2
15.8
15.4
15
14.6
1
0
--1
--2
--3
--4
--5
ACPR
--1分贝= 26.5 W
--2分贝= 36.5 W
公园
G
ps
20
10
0
65
60
η
D
,
排水 FFI效率（ ％ ）
50
η
D
40
30
--20
--25
--30
--35
--40
--45
--50
ACPR （ DBC）
V
DD
= 28伏直流，我
DQ
= 800 mA时， F = 2350 MHz的
单 - 载波W - CDMA ， 3.84 MHz信道带宽
--3分贝= 48.5 W
输入信号PAR =上CCDF 7.5分贝@ 0.01 ％概率
15
25
35
45
55
P
OUT
，输出功率（瓦）
图4.输出峰值 - - 平均比
- 到 -
压缩（ PARC ）与输出功率
MRF8S23120HR3 MRF8S23120HSR3
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
5
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