【飞思卡尔半导体公司技术参数文档编号： MRF8S21172H第0版， 2011年3月射频功率场效应晶】,IC型号MRF8S21172HR3,MRF8S21172HR3 PDF资料,MRF8S21172HR3经销商,ic,电子元器件-51电子网

飞思卡尔半导体公司

技术参数

文档编号： MRF8S21172H

第0版， 2011年3月

射频功率场效应晶体管

N - 沟道增强 - 模式横向的MOSFET

适用于W - CDMA和LTE基站应用的频率

2110年至2170年兆赫。可以用在AB类和C类的所有典型

蜂窝基站的调制格式。

典型的单 - 载波W - CDMA性能： V

= 28伏，我

1350毫安，P

OUT

= 42瓦平均， IQ幅度裁剪，通道

带宽= 3.84 MHz的输入信号PAR = 7.5 dB的0.01 ％的概率

在CCDF 。

频率

2110兆赫

2140兆赫

2170兆赫

（ dB）的

17.3

17.4

17.5

(%)

32.6

32.0

31.6

PAR输出

（ dB）的

5.9

6.0

5.9

ACPR

（ DBC）

--35.8

--35.9

--35.0

MRF8S21172HR3

MRF8S21172HSR3

2110-

-2170兆赫， 42 W平均， 28 V

W-

-CDMA ， LTE

横向N-

声道

RF功率MOSFET

能够处理10 ： 1 VSWR ， @ 32 VDC ， 2140兆赫， 193瓦CW

输出功率（从额定P 3 dB输入过载

OUT

)

典型的P

OUT

@ 1 dB压缩点

132瓦CW

特点

100 ％测试PAR针对有保证的输出功率能力

特点等效串联阻抗大 - 信号阻抗参数

和常见的源极S - 参数

内部匹配的易用性

集成ESD保护

更大的负栅 - 源电压范围为改良C类操作

专为数字预失真纠错系统

优化的Doherty应用

符合RoHS

在磁带和卷轴。 R3后缀= 250单位，56个毫米磁带宽度， 13英寸的卷轴。

对于R5磁带和卷轴选项，请参见p 。 13 。

表1.最大额定值

等级

漏 - 源极电压

栅 - 源电压

工作电压

存储温度范围

情况下的工作温度

工作结温

(1,2)

CW操作@ T

= 25°C

减免上述25℃

符号

DSS

英镑

CASE 465-

-06 ，风格1

NI-

-780

MRF8S21172HR3

CASE 465A-

-06 ，风格1

NI-

-780S

MRF8S21172HSR3

价值

--0.5, +65

--6.0, +10

32, +0

--65到150

150

225

196

0.98

单位

VDC

°C

W / ℃，

表2.热特性

特征

热阻，结到外壳

外壳温度71 ° C， 42 W CW ， 28伏直流电，我

= 1350毫安， 2170兆赫

外壳温度84 ° C，为160W CW

(4)

， 28伏直流，我

= 1350毫安， 2170兆赫

符号

θJC

价值

(2,3)

0.41

单位

° C / W

在最高温度1，连续使用会影响平均无故障时间。

2. MTTF计算器可在http://www.freescale.com/rf 。选择软件&工具/开发工具/计算器访问MTTF

计算器按照产品。

3.请参阅AN1955 ，

射频功率放大器的热测量方法。

去http://www.freescale.com/rf 。

选择文档/应用笔记 - AN1955 。

4.超出推荐的工作条件。见最大额定值表CW操作数据。

MRF8S21172HR3 MRF8S21172HSR3

RF设备数据

飞思卡尔半导体公司

表3. ESD保护特性

测试方法

人体模型（每JESD22 - A114 ）

机器型号（每EIA / JESD22 - A115 ）

充电器型号（每JESD22 - C101 ）

类

2 （最小）

A（最小）

IV （最低）

表4.电气特性

= 25 ° C除非另有说明）

特征

开关特性

零栅极电压漏极漏电流

= 65伏，V

= 0伏）

零栅极电压漏极漏电流

= 28伏，V

= 0伏）

门 - 源极漏电流

= 5伏，V

= 0伏）

基本特征

栅极阈值电压

= 10 VDC ，我

= 258

μAdc ）

门静态电压

= 28伏直流，我

= 1350 MADC ）

夹具门静态电压

(1)

= 28伏直流，我

= 1350 MADC ，测量功能测试）

漏极 - 源极导 - 电压

= 10 VDC ，我

= 2.5 ADC）

GS （ TH）

GS （ Q）

GG （ Q）

DS （ ON）

1.2

—

4.5

0.1

2.0

2.7

5.4

0.24

2.7

—

6.0

0.3

VDC

DSS

GSS

—

μAdc

符号

民

典型值

最大

单位

功能测试

(2)

（飞思卡尔测试夹具， 50欧姆系统）V

= 28伏直流，我

= 1350毫安，P

OUT

= 42 W平均， F = 2170兆赫，

单 - 载波W - CDMA ， IQ幅度裁剪，输入信号PAR = 7.5 dB的CCDF上0.01 ％的概率。 ACPR测量在3.84兆赫

信道带宽@

±5

MHz偏移。

功率增益

漏EF网络效率

输出峰 - 到 - 平均比@ CCDF上0.01 ％的概率

相邻通道功率比

输入回波损耗

PAR

ACPR

IRL

16.5

30.4

5.6

—

17.5

31.6

5.9

--35.0

--13

19.5

—

--33.2

--8

dBc的

典型的宽带性能

（飞思卡尔测试夹具， 50欧姆系统）V

= 28伏直流，我

= 1350毫安，P

OUT

= 42 W平均，

单 - 载波W - CDMA ， IQ幅度裁剪，输入信号PAR = 7.5 dB的CCDF上0.01 ％的概率。 ACPR测量在3.84兆赫

信道带宽@

±5

MHz偏移。

频率

2110兆赫

2140兆赫

2170兆赫

（ dB）的

17.3

17.4

17.5

(%)

32.6

32.0

31.6

PAR输出

（ dB）的

5.9

6.0

5.9

ACPR

（ DBC）

--35.8

--35.9

--35.0

IRL

（ dB）的

--14

--13

1. V

= 2× V

GS （ Q）

。参数测量飞思卡尔测试夹具，由于电路板上的电阻分压器网络。请参考测试电路

原理图。

2.部分内部对输入和输出匹配两种。

（续）

MRF8S21172HR3 MRF8S21172HSR3

RF设备数据

飞思卡尔半导体公司

表4.电气特性

= 25 ° C除非另有说明）

（续）

特征

OUT

@ 1 dB压缩点， CW

IMD对称性@ 104 W PEP ，P

OUT

其中， IMD三阶

互

30 dBc的

上，下之间（增量IMD三阶互调

边带> 2分贝）

VBW共振点

（ IMD三阶互调拐点）

增益平坦度为60 MHz带宽@ P

OUT

= 42 W魅力。

增益随温度变化

（ --30C至+ 85C ）

输出功率随温度变化

（ --30C至+ 85C ）

符号

P1dB

IMD

符号

民

—

典型值

132

最大

—

单位

兆赫

典型的表演

（飞思卡尔测试夹具， 50欧姆系统）V

= 28伏直流，我

= 1350毫安， 2110--2170 MHz带宽

VBW

水库

P1dB

—

0.25

0.017

0.003

—

兆赫

分贝/°C的

MRF8S21172HR3 MRF8S21172HSR3

RF设备数据

飞思卡尔半导体公司

C4 C5

C28 C2

C31

C30

C29

C32

C10 C11

C16

C20

C24

C12

C21

C26

C27

C13

C18

C22

C19

MRF8S21172

第0版

C14 C15

C17

C23

C25

图1. MRF8S21172HR3 （ HSR3 ）测试电路元件布局

表5. MRF8S21172HR3 （ HSR3 ）测试电路元件牌号和值

部分

C1, C5, C7, C11, C15, C16,

C17, C26, C27

C4, C6, C10, C12, C13, C14

C8, C9, C20, C21, C22, C23

C18, C19

C24, C25

C28, C29

C30

C31, C32

R1, R2

R3, R4

PCB

描述

68 pF的贴片电容

1.3 pF的贴片电容

1.5 pF的贴片电容

0.8 pF的贴片电容

μF,

50 V贴片电容

1.1 pF的贴片电容

330

μF,

63 V电解电容器

0.9 pF的贴片电容

0.6 pF的贴片电容

0.5 pF的贴片电容

2 K 1/4 W贴片电阻

2.37

1/4 W贴片电阻

0.030″,

= 3.55

产品型号

ATC800B680JT500XT

ATC800B1R3BT500XT

ATC800B1R5BT500XT

ATC800B0R8BT500XT

GRM55DR61H106KA88L

ATC800B1R1BT500XT

MCRH63V337M13X21--RH

ATC800B0R9BT500XT

ATC800B0R6BT500XT

ATC800B0R5BT500XT

CRCW12062K00FKEA

CRCW12062R37FNEA

RF--35A2

ATC

村田

ATC

MULTICOMP

ATC

日前，Vishay

Taconic的

生产厂家

MRF8S21172HR3 MRF8S21172HSR3

RF设备数据

飞思卡尔半导体公司

典型特征

，沥干

效率（％）

17.9

17.8

，功率增益（分贝）

17.7

17.6

17.5

17.4

17.3

17.2

17.1 ACPR

2060

2080

2100

= 28伏直流电，P

OUT

= 42 W（平均），我

= 1350毫安

单 - 载波W - CDMA ， 3.84 MHz信道带宽34

输入信号PAR = 7.5分贝

@ CCDF上0.01 ％的概率

公园

IRL

--31

--32

ACPR （ DBC）

--33

--34

--35

2140

2160

2180

2200

--36

2220

IRL ，输入回波损耗（分贝）

--10

--11

--12

--13

--14

--15

--1.4

--1.6

--1.8

--2

--2.2

--2.4

PARC （分贝）

2120

男，频率（MHz）

图2.输出峰值 - - 平均比例压缩（ PARC ）

- 到 -

宽带性能@ P

OUT

= 42瓦的魅力。

--10

--20

--30

--40

--50

--60

IM7--L

IM7--U

TWO - TONE间隔（MHz ）

100

IMD ，互调失真（ DBC）

= 28伏直流电，P

OUT

= 104 W（ PEP ），我

= 1350毫安

两个 - 音频测量

（ F1 + F2） 2140兆赫/ 2 =中心频率

IM3--U

IM3--L

IM5--U

IM5--L

图3.互调失真产品

与两

-Tone间距

18.5

输出压缩0.01 ％

概率ON CCDF （分贝）

，功率增益（分贝）

17.5

16.5

15.5

--1

--2

--3

--4

--5

--1分贝= 35瓦

--2分贝= 49 W

公园

--3分贝= 65瓦

输入信号PAR =上CCDF 7.5分贝@ 0.01 ％概率

OUT

，输出功率（瓦）

排水 FFI效率（％）

ACPR

--20

--25

--30

--35

--40

--45

--50

ACPR （ DBC）

= 28伏直流，我

= 1350毫安， F = 2140 MHz的

单 - 载波W - CDMA ， 3.84 MHz信道带宽

图4.输出峰值 - - 平均比

- 到 -

压缩（ PARC ）与输出功率

MRF8S21172HR3 MRF8S21172HSR3

RF设备数据

飞思卡尔半导体公司

飞思卡尔半导体公司

技术参数

文档编号： MRF8S21172H

第1版， 3/2012

射频功率场效应晶体管

N - 沟道增强 - 模式横向的MOSFET

适用于W - CDMA和LTE基站应用的频率

2110年至2170年兆赫。可以用在AB类和C类的所有典型

蜂窝基站的调制格式。

典型的单 - 载波W - CDMA性能： V

= 28伏，我

1350毫安，P

OUT

= 42瓦平均， IQ幅度裁剪，通道

带宽= 3.84 MHz的输入信号PAR = 7.5 dB的0.01 ％的概率

在CCDF 。

频率

2110兆赫

2140兆赫

2170兆赫

（ dB）的

17.3

17.4

17.5

(%)

31.6

31.0

30.6

PAR输出

（ dB）的

5.9

6.0

5.9

ACPR

（ DBC）

--35.8

--35.9

--35.0

MRF8S21172HR3

MRF8S21172HSR3

2110-

-2170兆赫， 42 W平均， 28 V

W-

-CDMA ， LTE

横向N-

声道

RF功率MOSFET

能够处理10 ： 1 VSWR ， @ 32 VDC ， 2140兆赫， 193瓦CW

输出功率（从额定P 3 dB输入过载

OUT

)

典型的P

OUT

@ 1 dB压缩点

132瓦CW

特点

100 ％测试PAR针对有保证的输出功率能力

特点等效串联阻抗大 - 信号阻抗参数

和常见的源极S - 参数

内部匹配的易用性

集成ESD保护

更大的负栅 - 源电压范围为改良C类操作

专为数字预失真纠错系统

优化的Doherty应用

在磁带和卷轴。 R3后缀= 250单位，56个毫米磁带宽度， 13英寸的卷轴。

对于R5磁带和卷轴选项，请参见p 。 13 。

表1.最大额定值

等级

漏 - 源极电压

栅 - 源电压

工作电压

存储温度范围

情况下的工作温度

工作结温

(1,2)

CW操作@ T

= 25°C

减免上述25℃

符号

DSS

英镑

CASE 465-

-06 ，风格1

NI-

-780

MRF8S21172HR3

CASE 465A-

-06 ，风格1

NI-

-780S

MRF8S21172HSR3

价值

--0.5, +65

--6.0, +10

32, +0

--65到150

150

225

196

0.98

单位

VDC

°C

W / ℃，

表2.热特性

特征

热阻，结到外壳

外壳温度71 ° C， 42 W CW ， 28伏直流电，我

= 1350毫安， 2170兆赫

外壳温度84 ° C，为160W CW

(4)

， 28伏直流，我

= 1350毫安， 2170兆赫

符号

θJC

价值

(2,3)

0.41

单位

° C / W

在最高温度1，连续使用会影响平均无故障时间。

2. MTTF计算器可在http://www.freescale.com/rf 。选择软件&工具/开发工具/计算器访问MTTF

计算器按照产品。

3.请参阅AN1955 ，

射频功率放大器的热测量方法。

去http://www.freescale.com/rf 。

选择文档/应用笔记 - AN1955 。

4.超出推荐的工作条件。见最大额定值表CW操作数据。

MRF8S21172HR3 MRF8S21172HSR3

RF设备数据

飞思卡尔半导体公司

表3. ESD保护特性

测试方法

人体模型（每JESD22 - A114 ）

机器型号（每EIA / JESD22 - A115 ）

充电器型号（每JESD22 - C101 ）

类

表4.电气特性

= 25 ° C除非另有说明）

特征

开关特性

零栅极电压漏极漏电流

= 65伏，V

= 0伏）

零栅极电压漏极漏电流

= 28伏，V

= 0伏）

门 - 源极漏电流

= 5伏，V

= 0伏）

基本特征

栅极阈值电压

= 10 VDC ，我

= 258

μAdc ）

门静态电压

= 28伏直流，我

= 1350 MADC ）

夹具门静态电压

(1)

= 28伏直流，我

= 1350 MADC ，测量功能测试）

漏极 - 源极导 - 电压

= 10 VDC ，我

= 2.5 ADC）

GS （ TH）

GS （ Q）

GG （ Q）

DS （ ON）

1.2

—

4.5

0.1

2.0

2.7

5.4

0.24

2.7

—

6.0

0.3

VDC

DSS

GSS

—

μAdc

符号

民

典型值

最大

单位

功能测试

(2)

（飞思卡尔测试夹具， 50欧姆系统）V

= 28伏直流，我

= 1350毫安，P

OUT

= 42 W平均， F = 2170兆赫，

单 - 载波W - CDMA ， IQ幅度裁剪，输入信号PAR = 7.5 dB的CCDF上0.01 ％的概率。 ACPR测量在3.84兆赫

信道带宽@

±5

MHz偏移。

功率增益

漏EF网络效率

输出峰 - 到 - 平均比@ CCDF上0.01 ％的概率

相邻通道功率比

输入回波损耗

PAR

ACPR

IRL

16.5

29.2

5.6

—

17.5

30.6

5.9

--35.0

--13

19.5

—

--33.2

--8

dBc的

典型的宽带性能

（飞思卡尔测试夹具， 50欧姆系统）V

= 28伏直流，我

= 1350毫安，P

OUT

= 42 W平均，

单 - 载波W - CDMA ， IQ幅度裁剪，输入信号PAR = 7.5 dB的CCDF上0.01 ％的概率。 ACPR测量在3.84兆赫

信道带宽@

±5

MHz偏移。

频率

2110兆赫

2140兆赫

2170兆赫

（ dB）的

17.3

17.4

17.5

(%)

31.6

31.0

30.6

PAR输出

（ dB）的

5.9

6.0

5.9

ACPR

（ DBC）

--35.8

--35.9

--35.0

IRL

（ dB）的

--14

--13

1. V

= 2× V

GS （ Q）

。参数测量飞思卡尔测试夹具，由于电路板上的电阻分压器网络。请参考测试电路

原理图。

2.部分内部对输入和输出匹配两种。

（续）

MRF8S21172HR3 MRF8S21172HSR3

RF设备数据

飞思卡尔半导体公司

表4.电气特性

= 25 ° C除非另有说明）

（续）

特征

OUT

@ 1 dB压缩点， CW

IMD对称性@ 104 W PEP ，P

OUT

其中， IMD三阶

互

30 dBc的

上，下之间（增量IMD三阶互调

边带> 2分贝）

VBW共振点

（ IMD三阶互调拐点）

增益平坦度为60 MHz带宽@ P

OUT

= 42 W魅力。

增益随温度变化

（ --30C至+ 85C ）

输出功率随温度变化

（ --30C至+ 85C ）

符号

P1dB

IMD

符号

民

—

典型值

132

最大

—

单位

兆赫

典型的表演

（飞思卡尔测试夹具， 50欧姆系统）V

= 28伏直流，我

= 1350毫安， 2110--2170 MHz带宽

VBW

水库

P1dB

—

0.25

0.017

0.003

—

兆赫

分贝/°C的

MRF8S21172HR3 MRF8S21172HSR3

RF设备数据

飞思卡尔半导体公司

C4 C5

C28 C2

C31

C30

C29

C32

C10 C11

C16

C20

C24

C12

C21

C26

C27

C13

C18

C22

C19

MRF8S21172

第0版

C14 C15

C17

C23

C25

图1. MRF8S21172HR3 （ HSR3 ）测试电路元件布局

表5. MRF8S21172HR3 （ HSR3 ）测试电路元件牌号和值

部分

C1, C5, C7, C11, C15, C16,

C17, C26, C27

C4, C6, C10, C12, C13, C14

C8, C9, C20, C21, C22, C23

C18, C19

C24, C25

C28, C29

C30

C31, C32

R1, R2

R3, R4

PCB

描述

68 pF的贴片电容

1.3 pF的贴片电容

1.5 pF的贴片电容

0.8 pF的贴片电容

μF,

50 V贴片电容

1.1 pF的贴片电容

330

μF,

63 V电解电容器

0.9 pF的贴片电容

0.6 pF的贴片电容

0.5 pF的贴片电容

2 K 1/4 W贴片电阻

2.37

1/4 W贴片电阻

0.030″,

= 3.55

产品型号

ATC800B680JT500XT

ATC800B1R3BT500XT

ATC800B1R5BT500XT

ATC800B0R8BT500XT

GRM55DR61H106KA88L

ATC800B1R1BT500XT

MCRH63V337M13X21--RH

ATC800B0R9BT500XT

ATC800B0R6BT500XT

ATC800B0R5BT500XT

CRCW12062K00FKEA

CRCW12062R37FNEA

RF--35A2

ATC

村田

ATC

MULTICOMP

ATC

日前，Vishay

Taconic的

生产厂家

MRF8S21172HR3 MRF8S21172HSR3

RF设备数据

飞思卡尔半导体公司

典型特征

，沥干

效率（％）

17.9

17.8

，功率增益（分贝）

17.7

17.6

17.5

17.4

17.3

17.2

17.1 ACPR

2060

2080

2100

= 28伏直流电，P

OUT

= 42 W（平均），我

= 1350毫安

单 - 载波W - CDMA ， 3.84 MHz信道带宽34

输入信号PAR = 7.5分贝

@ CCDF上0.01 ％的概率

公园

IRL

--31

--32

ACPR （ DBC）

--33

--34

--35

2140

2160

2180

2200

--36

2220

IRL ，输入回波损耗（分贝）

--10

--11

--12

--13

--14

--15

--1.4

--1.6

--1.8

--2

--2.2

--2.4

PARC （分贝）

2120

男，频率（MHz）

图2.输出峰值 - - 平均比例压缩（ PARC ）

- 到 -

宽带性能@ P

OUT

= 42瓦的魅力。

--10

--20

--30

--40

--50

--60

IM7--L

IM7--U

TWO - TONE间隔（MHz ）

100

IMD ，互调失真（ DBC）

= 28伏直流电，P

OUT

= 104 W（ PEP ），我

= 1350毫安

两个 - 音频测量

（ F1 + F2） 2140兆赫/ 2 =中心频率

IM3--U

IM3--L

IM5--U

IM5--L

图3.互调失真产品

与两

-Tone间距

18.5

输出压缩0.01 ％

概率ON CCDF （分贝）

，功率增益（分贝）

17.5

16.5

15.5

--1

--2

--3

--4

--5

--1分贝= 35瓦

--2分贝= 49 W

公园

--3分贝= 65瓦

输入信号PAR =上CCDF 7.5分贝@ 0.01 ％概率

OUT

，输出功率（瓦）

排水 FFI效率（％）

ACPR

--20

--25

--30

--35

--40

--45

--50

ACPR （ DBC）

= 28伏直流，我

= 1350毫安， F = 2140 MHz的

单 - 载波W - CDMA ， 3.84 MHz信道带宽

图4.输出峰值 - - 平均比

- 到 -

压缩（ PARC ）与输出功率

MRF8S21172HR3 MRF8S21172HSR3

RF设备数据

飞思卡尔半导体公司