MRF890
NPN硅射频功率晶体管
描述:
该
ASI MRF890
是专为
在超高频类放大器的应用
蜂窝基站设备。
包装风格.205 4L螺柱
C
E
E
产品特点:
Pg
= 9.0分贝分钟。 @ 900 MHz的
P
1dB
= 2.0瓦分钟。在900兆赫
Omnigold
金属化系统
B
最大额定值
I
C
V
CBO
V
CER
V
EBO
P
DISS
T
J
T
英镑
θ
JC
0.5 A
55 V
30 V
4.0 V
7.0W的@ T
C
= 25 °C
-65℃ + 200 ℃,
-65 ° C至+150°C
25 C / W
°
特征
符号
BV
首席执行官
BV
CES
BV
EBO
I
CBO
h
FE
C
OB
P
G
η
C
T
C
= 25 °C
NONETEST
条件
I
C
= 5.0毫安
I
C
= 5.0毫安
I
E
= 5.0毫安
V
CB
= 30 V
V
CE
= 5.0 V
V
CB
= 30 V
V
CC
= 24 V
P
OUT
= 2.0 V
I
C
= 100毫安
F = 1.0 MHz的
F = 900兆赫
最小典型最大
30
55
4.0
500
10
100
2.0
9.0
55
单位
V
V
V
A
---
pF
dB
%
A D V A N c个E D性S E M I C 0 N D ü (C T) R, I N C。
7525 ETHEL AVENUE
北好莱坞, CA 91605
(818) 982-1200
传真( 818 ) 765-3004
特定网络阳离子如有更改,恕不另行通知。
REV 。一
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MRF890
NPN硅射频功率晶体管
描述:
该
ASI MRF890
是专为
在超高频类放大器的应用
蜂窝基站设备。
包装风格.205 4L螺柱
C
E
E
产品特点:
Pg
= 9.0分贝分钟。 @ 900 MHz的
P
1dB
= 2.0瓦分钟。在900兆赫
Omnigold
金属化系统
B
最大额定值
I
C
V
CBO
V
CER
V
EBO
P
DISS
T
J
T
英镑
θ
JC
0.5 A
55 V
30 V
4.0 V
7.0W的@ T
C
= 25 °C
-65℃ + 200 ℃,
-65 ° C至+150°C
25 C / W
°
特征
符号
BV
首席执行官
BV
CES
BV
EBO
I
CBO
h
FE
C
OB
P
G
η
C
T
C
= 25 °C
NONETEST
条件
I
C
= 5.0毫安
I
C
= 5.0毫安
I
E
= 5.0毫安
V
CB
= 30 V
V
CE
= 5.0 V
V
CB
= 30 V
V
CC
= 24 V
P
OUT
= 2.0 V
I
C
= 100毫安
F = 1.0 MHz的
F = 900兆赫
最小典型最大
30
55
4.0
500
10
100
2.0
9.0
55
单位
V
V
V
A
---
pF
dB
%
A D V A N c个E D性S E M I C 0 N D ü (C T) R, I N C。
7525 ETHEL AVENUE
北好莱坞, CA 91605
(818) 982-1200
传真( 818 ) 765-3004
特定网络阳离子如有更改,恕不另行通知。
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