摩托罗拉
射频线
半导体技术资料
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由MRF858 / D
NPN硅
RF功率晶体管
专为24伏超高频大信号，共发射极，A级线性
放大器应用在工业和商业设备的操作
范围800 - 960兆赫。
指定为VCE = 24伏直流， IC = 0.5 ADC特性
输出功率= 3.6瓦CW
最小功率增益= 11分贝
最低ITO = + 44.5 dBm的
典型噪声系数= 6分贝
特点与小信号S参数和等效串联阻抗
大信号参数从800- 960兆赫
氮化硅钝化
100 ％测试负载失配应力在所有相位角为30 ： 1
VSWR @ 24伏直流电， IC = 0.5 ADC和额定输出功率
能够承受0.85 W CW RF输入过载
黄金金属化，发射器碴的长寿命和抗金属
迁移
电路板摄影大师可应要求提供联系
RF战术营销在亚利桑那州凤凰城。
MRF858
MRF858S
A级
800 - 960兆赫
3.6 W（ CW ） ， 24 V
NPN硅
RF功率晶体管
CASE 319-07 ，花柱2
MRF858
CASE 319A -02 ，花柱2
MRF858S
最大额定值
等级
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极 - 基极电压
器件总功耗@ TC = 50℃
减免上述50℃
工作结温
存储温度范围
符号
VCEO
VCBO
VEBO
PD
TJ
TSTG
特征
热电阻（ TJ = 150 ° C， TC = 50 ° C）
符号
R
θJC
符号
民
典型值
价值
30
55
4
20
0.138
200
- 65 + 150
单位
VDC
VDC
VDC
瓦
W / ℃，
°C
°C
热特性
最大
6.9
单位
° C / W
电气特性
特征
开关特性
集电极 - 发射极击穿电压（ IC = 20 mA时， IB = 0 ）
集电极 - 发射极击穿电压（ IC = 20 mA时， VBE = 0 ）
集电极 - 基极击穿电压（ IC = 20 mA时， IE = 0 ）
发射极 - 基极击穿电压（ IE = 1毫安， IC = 0 ）
集电极截止电流（ VCB = 24 V ， IE = 0 ）
特氟隆是杜邦&株式会社的注册商标。
V（ BR ） CEO
V（ BR ） CES
V（ BR ） CBO
V（ BR ） EBO
冰
28
55
55
4
—
35
85
85
5
—
—
—
—
—
1
VDC
VDC
VDC
VDC
mA
（续）
最大
单位
REV 2
摩托罗拉RF设备数据
摩托罗拉公司1995年
MRF858 MRF858S
1
电气特性 - 续
特征
基本特征
直流电流增益
（ IC = 0.1 A ， VCE = 5V）
动态特性
输出电容
（ VCB = 24 V ， F = 1兆赫）
功能特点
共发射功率增益
（ VCE = 24 V ， IC = 0.5 A ， F = 840- 900兆赫，
输出功率= 3.6 W）
负载不匹配
（宝= 3.6 W）
（ VCE = 24 V ， IC = 0.5 A ， F = 840 MHz时，
负载VSWR = 30 ： 1 ，所有相位角）
RF输入过驱动
（ VCE = 24 V ， IC = 0.5 A ， F = 840兆赫）
没有退化
三阶截点
（ VCE = 24 V ， IC = 0.5 A ）
（F1 = 900兆赫， F2 = 900.1兆赫，
MEAS 。 @ IMD三阶= -40 dBc的）
噪声系数
（ VCE = 24 V ， IC = 0.5 A ， F = 900兆赫）
输入回波损耗
（ VCE = 24 V ， IC = 0.5 A ， F = 840- 900兆赫，
输出功率= 3.6 W）
Pg
11
12
—
dB
COB
—
6.5
8
pF
的hFE
30
60
120
—
符号
民
典型值
最大
单位
ψ
在不降低
输出功率
销（超过）
—
—
0.85
W
ITO
+ 44.5
+ 45.5
—
DBM
NF
IRL
—
—
6
– 12
—
–9
dB
dB
表1. MRF858共发射极S参数
VCE
(V)
24
IC
(A)
0.5
f
（兆赫）
800
820
840
860
880
900
920
940
960
S11
|S11|
0.942
0.942
0.941
0.940
0.941
0.940
0.940
0.940
0.940
∠φ
167
166
166
166
165
165
165
164
164
|S21|
1.493
1.453
1.415
1.379
1.351
1.320
1.289
1.252
1.222
S21
∠φ
50
50
49
48
47
46
45
44
43
|S12|
0.027
0.027
0.028
0.028
0.029
0.030
0.030
0.031
0.031
S12
∠φ
58
58
59
59
59
59
59
59
59
|S22|
0.538
0.541
0.545
0.550
0.553
0.557
0.562
0.566
0.570
S22
∠φ
– 165
– 164
– 165
– 165
– 165
– 165
– 165
– 165
– 165
表2.寻和ZOL *与频率
f
（兆赫）
840
870
900
1.1
1.1
1.2
寻
（欧姆）
2.9
3.5
3.5
9.9
9.5
9
ZOL *
（欧姆）
– 14.4
– 14.6
– 14.5
VCE = 24 V ， IC = 0.5 A ，宝= 3.6 W
ZOL * =共轭的最佳负载阻抗，在其中该装置工作在一个给定的输出功率，电压和频率。
MRF858 MRF858S
2
摩托罗拉RF设备数据
+
R1
R8
VCE
F1
V_SUPPLY
C1
R2
Q1
Q2
R3
R4
R5
R7
C15
R6
+
C2
B1
C3
C4
C7
L3
L4
TL1
C8
C9
DUT
C11
TL4
C12
C10
C13
C14
C15
TL5
产量
C16
C5
B2
+
C6
L2
L1
输入
TL2
TL3
0.685″
B1, B2
C1
C2, C5
C3, C6
C4, C7
C8, C15
C9, C10
C11
C12, C13, C14
C15, C16
F1
L1, L2
L3
L4
Q1
Q2
短铁氧体磁珠，爱色丽展（ 2743021447 ）
250
F,
50伏直流电电解电容
10
F,
50伏直流电电解电容
0.1
F,
贴片电容
100 pF的，贴片电容
43 pF的， 100万片电容
10 pF的，小Unelco
5 pF的，小Unelco
0.8 - 8.0 pF的，约翰森Gigatrim
1000 PF，贴片电容
1微型保险丝
10圈， 20 AWG ， 0.150 “ID （ 10
1/2 W电阻）
4圈， 16 AWG ， 0.101 “ ID
0.5 “ 18 AWG电线
MMBT2222ALT1 ， NPN晶体管
BD136 ， PNP晶体管
R1
R2
R3
R4
R5
R6
R7
R8
TL1 ， TL5
TL2
TL3
TL4
V_SUPPLY
VCE
板
390
,
1/4 W
500
电位器， 1/4 W
7.5K
,
1/4 W
2× 4.7K
,
1/4 W
56
,
2 W
75
,
1/4 W
4.7
,
1/4 W
4
,
10 W
50
,
微带传输线
微带传输线
微带传输线
微带传输线
+ 26伏直流
±
0.5伏由于电阻容差
+ 24伏直流@ 0.5 A
0.030 “格拉斯 - 特富龙
2盎司铜，
ε
r = 2.55
图1. MRF858 A级RF测试夹具示意图
摩托罗拉RF设备数据
MRF858 MRF858S
3
典型特征
13.5
13
PE ，功率增益（分贝）
GPE
12.5
12
11.5
11
VSWR
10.5
830
840
850
860
870
880
男，频率（MHz）
890
900
1
910
VCC = 24伏直流
IC = 500毫安
噘嘴= 3.6 W（ CW）
3
2.5
2
1.5
4
3.5
在VSWR输入VSWR
在宽带电路图2.性能
7
噘嘴，输出功率（瓦）
6
5
4
3
噘
2
1
0
0
0.1
0.2
0.3
0.4 0.5 0.6 0.7
引脚，输入功率（瓦）
0.8
0.9
1
VCC = 24伏直流
IC = 500毫安
F = 870 MHz的
GPE
15
1
4
13
1
2
11
10
9
8
2000
PE ，功率增益（分贝）
1500
IC （ MADC ）
TJ = 150℃
TF = 50℃
1000
500
0
0
2
4
6
8
10 12 14 16 18 20
VCE （VDC ）
22 24 26 28
图3.输出功率&功率增益与
输入功率
图4.直流SOA
1100
1000
900
IC （ MADC ）
800
700
600
50
00
TJ = 175℃
TF = 50℃
MTBF因子（小时X AMPS2 ）
1.00E+08
1.72E+07
1.00E+07
3.58E+06
8.57E+05
2.34E+05
1.00E+05
7.17E+04
2.43E+04
1.00E+04
8.98E+03
3.59E+03
1.53E+03
140
160
180 200
220
240
260
TJ ，结温（ ° C）
1.00E+06
2
4
6
8
10 12 14 16 18 20 22 24 26 28
VCE （VDC ）
1.00E+03
100
120
图5. DC SOA
（该设备是有限的MTBF为VCE
＆ LT ;
20伏直流电）。
图6. MTBF因子与
结温
MRF858 MRF858S
4
摩托罗拉RF设备数据
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