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MRF839F
NPN硅射频功率晶体管
描述：
该
MRF839F
是专为
AB类，共发射极
领域应用最多960兆赫。
.430 D
包装样式0.230 6L FLG
A
.040x45°
4X 0.025
.115
C
B
2X.130
功能包括：
输入匹配网络
高增益
黄金金属化
暗淡
E
.125
G
H
I
与信
L
F
最低
英寸/毫米
最大
英寸/毫米
最大额定值
I
C
V
CES
P
DISS
T
J
T
英镑
θ
JC
0.6 A
36 V
20瓦@ T
C
= 25 C
-55℃至+ 200C
-55℃至+ 150℃
9.0 C / W
O
O
O
O
O
O
A
B
C
D
E
F
G
H
I
J
K
L
.355 / 9.02
.115 / 2.92
.075 / 1.91
.225 / 5.72
.090 / 2.29
.720 / 18.29
.970 / 24.64
.355 / 9.02
.004 / 0.10
.120 / 3.05
.160 / 4.06
.230 / 5.84
.365 / 9.27
.125 / 3.18
.085 / 2.16
.235 / 5.97
.110 / 2.79
.730 / 18.54
.980 / 24.89
.365 / 9.27
.006 / 0.15
.130 / 3.30
.180 / 4.57
.260 / 6.60
1 & 3 & & 4 6 =辐射源
2 - 基
5 =收藏家
特征
符号
BV
CES
BV
首席执行官
BV
EBO
I
CES
h
FE
C
OB
P
G
η
C
T
C
= 25 C
O
测试条件
I
C
= 5.0毫安
I
C
= 5.0毫安
I
E
= 100
A
V
CE
= 15 V
V
CE
= 5.0 V
V
CB
= 15 V
V
CE
= 12.5 V
F
O
= 870兆赫
I
CQ
= 50毫安
I
C
= 100毫安
F = 1.0 MHz的
P
OUT
= 3.0 W
最小典型最大
40
16
3.5
1
10
150
10
8.0
50
10.0
单位
V
V
V
mA
---
pF
dB
%
A D V A N c个E D性S E M I C 0 N D ü （C T） R， I N C。
7525 ETHEL AVENUE
北好莱坞， CA 91605
(818) 982-1200
传真（ 818 ） 765-3004
特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
REV 。一
1/1
MRF839F
NPN硅射频功率晶体管
描述：
该
MRF839F
是专为
AB类，共发射极
领域应用最多960兆赫。
.430 D
包装样式0.230 6L FLG
A
.040x45°
4X 0.025
.115
C
B
2X.130
功能包括：
输入匹配网络
高增益
黄金金属化
暗淡
E
.125
G
H
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与信
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最低
英寸/毫米
最大
英寸/毫米
最大额定值
I
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J
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英镑
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36 V
20瓦@ T
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= 25 C
-55℃至+ 200C
-55℃至+ 150℃
9.0 C / W
O
O
O
O
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.980 / 24.89
.365 / 9.27
.006 / 0.15
.130 / 3.30
.180 / 4.57
.260 / 6.60
1 & 3 & & 4 6 =辐射源
2 - 基
5 =收藏家
特征
符号
BV
CES
BV
首席执行官
BV
EBO
I
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C
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= 25 C
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测试条件
I
C
= 5.0毫安
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= 5.0毫安
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CE
= 15 V
V
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= 5.0 V
V
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= 15 V
V
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= 12.5 V
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O
= 870兆赫
I
CQ
= 50毫安
I
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= 100毫安
F = 1.0 MHz的
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= 3.0 W
最小典型最大
40
16
3.5
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10
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10.0
单位
V
V
V
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---
pF
dB
%
A D V A N c个E D性S E M I C 0 N D ü （C T） R， I N C。
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