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MRF8372中，R1， R2的
RF &微波离散
小功率三极管
MRF8372G ，R1，R2
* G表示符合RoHS标准的无铅端子表面涂层
特点
指定@ 12.5V ， 870 MHz的特点
输出功率= 750毫瓦
最小增益= 8.0分贝
效率60 ％（典型）
成本效益的SO- 8封装
R1后缀磁带和卷轴， 500个单位
R2的后缀磁带和卷轴， 2500单位
SO-8
描述：
主要用于宽带大信号设计阶段
在800 MHz和UHF频率范围。
绝对最大额定值
（温度上限= 25 ° C）
符号
V
首席执行官
V
CBO
V
EBO
I
C
P
D
T
英镑
参数
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
器件总功耗@ TC = 50℃
存储结温范围
价值
16
30
3
200
2.2
-65到+150
单位
V
V
V
mA
W
C
热数据
R
日（J -C ）
热阻结案件
45
° C / W
先进的电源技术保留更改的权利，恕不另行通知，此处包含的规格和信息
请访问我们的网站：
www.advancedpower.com
或者联系我们的厂家直销。
REV A 9/2005
MRF8372中，R1， R2的
MRF8372G ，R1，R2
电气特性（温度上限= 25 ° C）
STATIC
符号
测试条件
分钟。
BV
首席执行官
BV
CES
BV
EBO
I
CES
的hFE
I
C
= 5.0毫安，
IC = 5.0 mA时，
I
E
= 0.1毫安，
V
CE
= 15 V,
V
CE
= 5.0 v,
I
B
= 0
V
BE
= 0
I
C
= 0
V
BE
= 0 V
IC = 50毫安
16
30
3.0
-
30
价值
典型值。
-
-
-
-
-
马克斯。
-
-
-
0.1
200
单位
V
V
V
mA
-
实用
符号
测试条件
分钟。
价值
典型值。
9.5
马克斯。
-
单位
dB
G
PE
η
c
C
OB
F = 870 MHz时，
P
OUT
= 0.75W,
V
CE
= 12.5V
8.0
F = 870MHz的，
P
OUT
= 0.75W,
V
CE
= 12.5V
50
60
-
%
V
CB
= 15 V,
F = 1.0 MHz的
-
-
2.75
pf
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REV A 9/2005
MRF8372中，R1， R2的
MRF8372G ，R1，R2
包装机械数据
PIN 1.辐射源
2.收集
3.收集
4.发射器
5.发射
6.基地
7.基地
8.辐射源
8.
5.
1.
4.
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REV A 9/2005
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供货商
型号
厂家
批号
数量
封装
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    MRF8372G
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    -
    -
    -
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一级代理专营，原装现货，价格优势
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全新原装现货，原厂代理。
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普通
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