飞思卡尔半导体公司
技术参数
文档编号： MRF7S21210H
第1版， 2009年第1
射频功率场效应晶体管
N - 沟道增强 - 模式横向的MOSFET
专为CDMA基站应用的频率从2110到
2170兆赫。可以用在AB类和C类的所有典型的蜂窝基站
站调制。
典型的单 - 载波W - CDMA性能： V
DD
= 28伏，我
DQ
=
1400毫安，P
OUT
= 63瓦平均，全频段， 3GPP测试模型1 ，
64 DPCH 50 ％裁剪，信道带宽= 3.84 MHz的输入信号
PAR =上CCDF 7.5分贝@ 0.01 ％的概率。
功率增益 - 18.5分贝
漏极效率 - 29 ％
仪输出信号的PAR - 5.9分贝@ CCDF上0.01 ％的概率
ACPR @ 5 MHz偏移 - - 33 dBc的在3.84 MHz信道带宽
能够处理5 ： 1 VSWR ， @ 32 VDC ， 2140兆赫， 190瓦CW
输出功率
典型的P
OUT
@ 1 dB压缩点
]
190瓦CW
特点
100 ％测试PAR针对有保证的输出功率能力
特点等效串联阻抗大 - 信号阻抗参数
内部匹配的易用性
集成ESD保护
更大的负栅 - 源电压范围为改良C级
手术
专为数字预失真纠错系统
符合RoHS
在磁带和卷轴。 R3后缀=每56毫米， 13英寸卷轴250单位。
MRF7S21210HR3
MRF7S21210HSR3
2110年至2170年兆赫， 63 W AVG ， 28 V 。
单W - CDMA
横向N - CHANNEL
RF功率MOSFET
CASE 465 - 06 ，风格1
NI - 780
MRF7S21210HR3
CASE 465A - 06 ，风格1
NI - 780S
MRF7S21210HSR3
表1.最大额定值
等级
漏 - 源极电压
栅 - 源电压
工作电压
存储温度范围
情况下的工作温度
工作结温
(1,2)
CW操作@ T
C
= 25°C
减免上述25℃
符号
V
DSS
V
GS
V
DD
T
英镑
T
C
T
J
CW
价值
- 0.5, +65
- 6.0, +10
32, +0
- 65 + 150
150
225
253
1.5
单位
VDC
VDC
VDC
°C
°C
°C
W
W / ℃，
表2.热特性
特征
热阻，结到外壳
外壳温度80 ° C， 190 W CW
外壳温度72 ° C， 63 W CW
符号
R
θJC
价值
(2,3)
0.33
0.37
单位
° C / W
在最高温度1，连续使用会影响平均无故障时间。
2. MTTF计算器可在http://www.freescale.com/rf 。选择软件&工具/开发工具/计算器访问MTTF
计算器按照产品。
3.请参阅AN1955 ，
射频功率放大器的热测量方法。
去http://www.freescale.com/rf 。
选择文档/应用笔记 - AN1955 。
飞思卡尔半导体公司， 2008-2009 。版权所有。
MRF7S21210HR3 MRF7S21210HSR3
1
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
表3. ESD保护特性
测试方法
人体模型（每JESD22 - A114 ）
机器型号（每EIA / JESD22 - A115 ）
充电器型号（每JESD22 - C101 ）
类
1C （最低）
A（最小）
IV （最低）
表4.电气特性
(T
C
= 25 ° C除非另有说明）
特征
开关特性
零栅极电压漏极漏电流
(V
DS
= 65伏，V
GS
= 0伏）
零栅极电压漏极漏电流
(V
DS
= 28伏，V
GS
= 0伏）
门 - 源极漏电流
(V
GS
= 5伏，V
DS
= 0伏）
基本特征
栅极阈值电压
(V
DS
= 10 VDC ，我
D
= 513
μAdc ）
门静态电压
(V
DS
= 28伏直流，我
D
= 1400 MADC ）
夹具门静态电压
(1)
(V
DD
= 28伏直流，我
D
= 1400 MADC ，测量功能测试）
漏极 - 源极导 - 电压
(V
GS
= 10 VDC ，我
D
= 5.13 ADC）
动态特性
(2)
反向传输电容
(V
DS
= 28伏直流
±
30毫伏（ RMS） AC @ 1 MHz时，V
GS
= 0伏）
输出电容
(V
DS
= 28伏直流
±
30毫伏（ RMS） AC @ 1 MHz时，V
GS
= 0伏）
输入电容
(V
DS
= 28伏，V
GS
= 0伏
±
30毫伏（ RMS） AC @ 1兆赫）
C
RSS
C
OSS
C
国际空间站
—
—
—
2.02
257
516
—
—
—
pF
pF
pF
V
GS （ TH）
V
GS （ Q）
V
GG （ Q）
V
DS （ ON）
1.2
—
4
0.1
2
2.7
5.4
0.2
2.7
—
7
0.3
VDC
VDC
VDC
VDC
I
DSS
I
DSS
I
GSS
—
—
—
—
—
—
10
1
1
μAdc
μAdc
μAdc
符号
民
典型值
最大
单位
功能测试
（飞思卡尔测试夹具， 50欧姆系统）V
DD
= 28伏直流，我
DQ
= 1400毫安，P
OUT
= 63 W平均， F = 2112.5 MHz和F =
2167.5兆赫，单 - 载波W - CDMA ， 3GPP测试模型1 ， 64 DPCH ， 50％的裁剪，输入信号PAR = 7.5 dB的0.01 ％的概率
CCDF 。 ACPR测量在3.84 MHz信道带宽@
±5
MHz偏移。
功率增益
漏EF网络效率
输出峰 - 到 - 平均比@ CCDF上0.01 ％的概率
相邻通道功率比
输入回波损耗
G
ps
η
D
PAR
ACPR
IRL
17
26
5.5
—
—
18.5
29
5.9
- 33
- 15
20.5
—
—
- 31
-8
dB
%
dB
dBc的
dB
1. V
GG
= 2× V
GS （ Q）
。参数测量飞思卡尔测试夹具，由于电路板上的电阻分压器网络。请参考测试电路
原理图。
2.部分内部对输入和输出匹配两种。
（续）
MRF7S21210HR3 MRF7S21210HSR3
2
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
表4.电气特性
(T
C
= 25 ° C除非另有说明）
（续）
特征
IMD对称性@ 130 W PEP ，P
OUT
其中， IMD三阶
互
^
30 dBc的
上，下之间（增量IMD三阶互调
边带> 2分贝）
VBW共振点
（ IMD三阶互调拐点）
增益平坦度为60 MHz带宽@ P
OUT
= 63 W魅力。
从线性相位在60 MHz带宽平均偏差
@ P
OUT
= 190 W CW
平均群时延@ P
OUT
= 190 W CW ， F = 2140 MHz的
部分 - 到 - 部分插入相位变化@ P
OUT
= 190 W CW ，
F = 2140兆赫，六西格玛窗口
增益随温度变化
（ - 30 ° C至+ 85°C ）
输出功率随温度变化
（ - 30 ° C至+ 85°C ）
符号
民
典型值
最大
单位
典型的表演
（飞思卡尔测试夹具， 50欧姆系统）V
DD
= 28伏直流，我
DQ
= 1400毫安， 2110年至2170年MHz带宽
IMD
符号
—
15
—
兆赫
VBW
水库
G
F
Φ
延迟
ΔΦ
ΔG
ΔP1dB
—
—
—
—
—
—
—
60
1.2
1.1
2.5
26
0.019
0.011
—
—
—
—
—
—
—
兆赫
dB
°
ns
°
分贝/°C的
dBm的/°C的
MRF7S21210HR3 MRF7S21210HSR3
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
3
R1
V
BIAS
Z19
V
供应
+
R2
C1
C2
C3
Z17
C10
C11
C12
C19
R3
RF
输入
Z9
Z10 Z11 Z12 Z13
Z14 Z15
RF
C15 Z16输出
Z1
Z2
Z3
C5
Z4
Z5
Z6
Z7
Z8
C13
DUT
C6
Z18
Z20
C14
+
C9
C8
C7
C16
Z11
Z12
Z13
Z14
Z15
Z16
Z17
Z18
Z19, Z20
PCB
C17
C18
C20
Z1
Z2
Z3
Z4
Z5
Z6
Z7
Z8
Z9
Z10
0.402 “× 0.066 ”微带
0.840 “× 0.076 ”微带
0.059 “× 0.118 ”微带
0.059 “× 0.118 ”微带
0.029 “× 0.076 ”微带
0.194 “× 0.076 ”微带
0.051 “× 0.533 ”微带
0.114 “× 0.533 ”微带
0.139 “× 1.268 ”微带
0.304 “× 1.201 ”微带
0.044 “× 0.613 ”微带
0.398 “× 0.102 ”微带
0.071 “× 0.220 ”微带
0.071 “× 0.220 ”微带
0.439 “× 0.066 ”微带
0.764 “× 0.066 ”微带
0.353 “× 0.090 ”微带
0.797 “× 0.090 ”微带
0.660 “× 0.120 ”微带
Taconic的RF35 ， 0.030 “ ，
ε
r
= 3.5
图1.测试电路原理图 - MRF7S21210HR3
表5.测试电路元件标识和价值观 - MRF7S21210HR3
部分
C1, C9, C11, C12, C17, C18
C2, C8
C3, C7, C10, C13, C14, C16
C5
C6
C15
C19, C20
R1, R2
R3
描述
10
μF,
50 V贴片电容
100 nF的贴片电容
6.8 pF的贴片电容
5.6 pF的电容芯片
0.8 pF的贴片电容
0.6 pF的贴片电容
470
μF
电解电容
10 k 1/4 W贴片电阻
10
Ω,
1/4 W贴片电阻
产品型号
C5750X5R1H106MT
12065C104KAT
ATC100B6R8BT500XT
ATC100B5R6BT500XT
ATC100B0R8BT500XT
ATC100B0R6BT500XT
2222 12018471
WCR120610KL
232272461009
生产厂家
TDK
AVX
ATC
ATC
ATC
ATC
BC组件
韦林
PHYCOMP
C4在MRF7S21210HR3部分没有使用。
MRF7S21210HR3 MRF7S21210HSR3
4
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
C10
R1
R3
R2
C1
C2
C5
C3
切出区
C13
C15
C11 C12
C19
C6
C14
C20
C8
C7
C17
C16
C18
C9
MRF7S21210H
第0版
C4在MRF7S21210HR3部分没有使用。
图2.测试电路元件布局 - MRF7S21210HR3
MRF7S21210HR3 MRF7S21210HSR3
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
5
飞思卡尔半导体公司
技术参数
文档编号： MRF7S21210H
第0版， 7/2008
射频功率场效应晶体管
N - 沟道增强 - 模式横向MOSFET
专为CDMA基站应用的频率从2110到
2170兆赫。适用于CDMA和多载波放大器应用。要
在AB类和C类为使用TD - SCDMA ， PCN - PCS /蜂窝无线电和
WLL应用。
典型的单载波W - CDMA性能： V
DD
= 28伏，我
DQ
=
1400毫安，P
OUT
= 63瓦平均，全频段， 3GPP测试模型1 ，
64 DPCH 50 ％裁剪，信道带宽= 3.84 MHz的输入信号
PAR =上CCDF 7.5分贝@ 0.01 ％的概率。
功率增益 - 18.5分贝
漏极效率 - 29 ％
仪输出信号的PAR - 5.9分贝@ CCDF上0.01 ％的概率
ACPR @ 5 MHz偏移 - - 33 dBc的在3.84 MHz信道带宽
能够处理5 ： 1 VSWR ， @ 32 VDC ， 2140兆赫， 190瓦CW
输出功率
典型的P
OUT
@ 1 dB压缩点
]
190瓦CW
特点
100 ％测试PAR针对有保证的输出功率能力
特点等效串联阻抗大 - 信号阻抗参数
内部匹配的易用性
集成ESD保护
更大的负栅 - 源电压范围为改良C级
手术
专为数字预失真纠错系统
符合RoHS
在磁带和卷轴。 R3后缀=每56毫米， 13英寸卷轴250单位。
MRF7S21210HSR3
2110年至2170年兆赫， 63 W AVG ， 28 V 。
单W - CDMA
横向N - CHANNEL
RF功率MOSFET
CASE 465A - 06 ，风格1
NI - 780S
表1.最大额定值
等级
漏源电压
栅 - 源电压
工作电压
存储温度范围
情况下的工作温度
工作结温
(1)
CW操作@ T
C
= 25°C
减免上述25℃
符号
V
DSS
V
GS
V
DD
T
英镑
T
C
T
J
CW
价值
- 0.5, +65
- 6.0, +10
32, +0
- 65 + 150
150
225
253
1.5
单位
VDC
VDC
VDC
°C
°C
°C
W
W / ℃，
表2.热特性
特征
热阻，结到外壳
外壳温度80 ° C， 190 W CW
外壳温度72 ° C， 63 W CW
符号
R
θJC
价值
(2)
0.33
0.37
单位
° C / W
在最高温度1，连续使用会影响平均无故障时间。
2.请参阅AN1955 ，
射频功率放大器的热测量方法。
去http://www.freescale.com/rf 。
选择文档/应用笔记 - AN1955 。
飞思卡尔半导体公司， 2008年。保留所有权利。
MRF7S21210HSR3
1
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
表3. ESD保护特性
测试方法
人体模型（每JESD22 - A114 ）
机器型号（每EIA / JESD22 - A115 ）
充电器型号（每JESD22 - C101 ）
类
1C （最低）
A（最小）
IV （最低）
表4.电气特性
(T
C
= 25 ° C除非另有说明）
特征
开关特性
零栅极电压漏极漏电流
(V
DS
= 65伏，V
GS
= 0伏）
零栅极电压漏极漏电流
(V
DS
= 28伏，V
GS
= 0伏）
栅源漏电流
(V
GS
= 5伏，V
DS
= 0伏）
基本特征
栅极阈值电压
(V
DS
= 10 VDC ，我
D
= 513
μAdc ）
门静态电压
(V
DS
= 28伏直流，我
D
= 1400 MADC ）
夹具门静态电压
(1)
(V
DD
= 28伏直流，我
D
= 1400 MADC ，测量功能测试）
漏源开 - 电压
(V
GS
= 10 VDC ，我
D
= 5.13 ADC）
动态特性
(2)
反向传输电容
(V
DS
= 28伏直流
±
30毫伏（ RMS） AC @ 1 MHz时，V
GS
= 0伏）
输出电容
(V
DS
= 28伏直流
±
30毫伏（ RMS） AC @ 1 MHz时，V
GS
= 0伏）
输入电容
(V
DS
= 28伏，V
GS
= 0伏
±
30毫伏（ RMS） AC @ 1兆赫）
C
RSS
C
OSS
C
国际空间站
—
—
—
2.02
257
516
—
—
—
pF
pF
pF
V
GS （ TH）
V
GS （ Q）
V
GG （ Q）
V
DS （ ON）
1.2
—
4
0.1
2
2.7
5.4
0.2
2.7
—
7
0.3
VDC
VDC
VDC
VDC
I
DSS
I
DSS
I
GSS
—
—
—
—
—
—
10
1
1
μAdc
μAdc
μAdc
符号
民
典型值
最大
单位
功能测试
（飞思卡尔测试夹具， 50欧姆系统）V
DD
= 28伏直流，我
DQ
= 1400毫安，P
OUT
= 63 W平均， F = 2112.5 MHz和F =
2167.5兆赫，单 - 载波W - CDMA ， 3GPP测试模型1 ， 64 DPCH ， 50％的裁剪，输入信号PAR = 7.5 dB的0.01 ％的概率
CCDF 。 ACPR测量在3.84 MHz信道带宽@
±5
MHz偏移。
功率增益
漏EF网络效率
输出峰 - 到 - 平均比@ CCDF上0.01 ％的概率
相邻通道功率比
输入回波损耗
G
ps
η
D
PAR
ACPR
IRL
17
26
5.5
—
—
18.5
29
5.9
- 33
- 15
20.5
—
—
- 31
-8
dB
%
dB
dBc的
dB
1. V
GG
= 2× V
GS （ Q）
。参数测量飞思卡尔测试夹具，由于电路板上的电阻分压器网络。请参考测试电路
原理图。
2.部分内部对输入和输出匹配两种。
（续）
MRF7S21210HSR3
2
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
表4.电气特性
(T
C
= 25 ° C除非另有说明）
（续）
特征
IMD对称性@ 130 W PEP ，P
OUT
其中， IMD三阶
互
^
30 dBc的
上，下之间（增量IMD三阶互调
边带> 2分贝）
VBW共振点
（ IMD三阶互调拐点）
增益平坦度为60 MHz带宽@ P
OUT
= 63 W魅力。
从线性相位在60 MHz带宽平均偏差
@ P
OUT
= 190 W CW
平均群时延@ P
OUT
= 190 W CW ， F = 2140 MHz的
部分 - 到 - 部分插入相位变化@ P
OUT
= 190 W CW ，
F = 2140兆赫，六西格玛窗口
增益随温度变化
（ - 30 ° C至+ 85°C ）
输出功率随温度变化
（ - 30 ° C至+ 85°C ）
符号
民
典型值
最大
单位
典型的表演
（飞思卡尔测试夹具， 50欧姆系统）V
DD
= 28伏直流，我
DQ
= 1400毫安， 2110- 2170 MHz带宽
IMD
符号
—
15
—
兆赫
VBW
水库
G
F
Φ
延迟
ΔΦ
ΔG
ΔP1dB
—
—
—
—
—
—
—
60
1.2
1.1
2.5
26
0.019
0.011
—
—
—
—
—
—
—
兆赫
dB
°
ns
°
分贝/°C的
dBm的/°C的
MRF7S21210HSR3
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
3
R1
V
BIAS
Z20
V
供应
+
R2
C1
C2
C3
Z18
C10
C11
C12
C19
R3
RF
输入
Z10
Z11 Z12 Z13 Z14
Z15 Z16
RF
C15 Z17输出
Z1
Z2
Z3
Z4
C5
Z5
Z6
Z7
Z8
Z9
C13
DUT
C6
Z19
Z21
C4
C14
+
C9
C8
C7
C16
Z12
Z13
Z14
Z15
Z16
Z17
Z18
Z19
Z20, Z21
PCB
C17
C18
C20
Z1
Z2
Z3
Z4
Z5
Z6
Z7
Z8
Z9
Z10
Z11
0.402 “× 0.066 ”微带
0.840 “× 0.076 ”微带
0.029 “× 0.076 ”微带
0.059 “× 0.118 ”微带
0.059 “× 0.118 ”微带
0.029 “× 0.076 ”微带
0.194 “× 0.076 ”微带
0.510 “× 0.533 ”微带
0.114 “× 0.533 ”微带
0.139 “× 1.268 ”微带
0.304 “× 1.201 ”微带
0.044 “× 0.613 ”微带
0.398 “× 0.102 ”微带
0.071 “× 0.220 ”微带
0.071 “× 0.220 ”微带
0.439 “× 0.066 ”微带
0.764 “× 0.066 ”微带
0.353 “× 0.090 ”微带
0.797 “× 0.090 ”微带
0.660 “× 0.120 ”微带
Taconic的RF35 ， 0.030 “ ，
ε
r
= 3.5
图1. MRF7S21210HSR3测试电路原理图
表5. MRF7S21210HSR3测试电路元件牌号和值
部分
C1, C9, C11, C12, C17, C18
C2, C8
C3, C7, C10, C13, C14, C16
C4
C5
C6
C15
C19, C20
R1, R2
R3
描述
10
μF,
50 V贴片电容
100 nF的贴片电容
6.8 pF的贴片电容
0.3 pF的贴片电容
5.6 pF的电容芯片
0.2 pF的贴片电容
0.4 pF的贴片电容
470
μF
电解电容
10 k 1/4 W贴片电阻
10
Ω,
1/4 W贴片电阻
产品型号
C5750X5R1H106MT
12065C104KAT
ATC100B6R8BT500XT
ATC100B0R3BT500XT
ATC100B5R6BT500XT
ATC100B0R2BT500XT
ATC100B0R4BT500XT
2222 12018471
CRCW12061002FKEA
CRCW12061000FKEA
生产厂家
TDK
AVX
ATC
ATC
ATC
ATC
ATC
BC组件
日前，Vishay
日前，Vishay
MRF7S21210HSR3
4
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
C10
R1
R3
R2
C1
C2
C5
C3
C19
切出区
C13
C15
C11 C12
C4
C6
C14
C8
C7
C20
C17
C16
C18
C9
MRF7S21210HS
第0版
图2. MRF7S21210HSR3测试电路元件布局
MRF7S21210HSR3
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
5
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