飞思卡尔半导体公司
技术参数
文档编号： MRF7S21150H
牧师0 ， 11/2007
射频功率场效应晶体管
N - 沟道增强 - 模式横向的MOSFET
专为CDMA基站应用的频率从2110到
2170兆赫。适用于CDMA和多载波放大器应用。要
在AB类和C类用于PCN - PCS /蜂窝无线电和WLL
应用程序。
典型的单 - 载波W - CDMA性能： V
DD
= 28伏，我
DQ
=
1350毫安，P
OUT
= 44瓦平均，全频段， 3GPP测试模型1 ，
64 DPCH 50 ％裁剪，信道带宽= 3.84 MHz的输入信号
PAR =上CCDF 7.5分贝@ 0.01 ％的概率。
功率增益 - 17.5分贝
漏极效率 - 31 ％
仪输出信号的PAR - 9.8 dB的CCDF上0.01 ％的概率
ACPR @ 5 MHz偏移 - - 37 dBc的在3.84 MHz信道带宽
能够处理5 ： 1 VSWR ， @ 32 VDC ， 2140兆赫， 150瓦CW
山顶调谐输出功率
P
OUT
@ 1 dB压缩点
w
150瓦CW
特点
100 ％测试PAR针对有保证的输出功率能力
特点等效串联阻抗大 - 信号阻抗参数
内部匹配的易用性
集成ESD保护
更大的负栅 - 源电压范围为改良C级
手术
专为数字预失真纠错系统
符合RoHS
在磁带和卷轴。 R3后缀=每56毫米， 13英寸卷轴250单位。
MRF7S21150HR3
MRF7S21150HSR3
2110年至2170年兆赫， 44 W AVG ， 28 V 。
单W - CDMA
横向N - CHANNEL
RF功率MOSFET
CASE 465- 06 ，风格1
NI - 780
MRF7S21150HR3
CASE 465A - 06 ，风格1
NI - 780S
MRF7S21150HSR3
表1.最大额定值
等级
漏 - 源极电压
栅 - 源电压
工作电压
存储温度范围
情况下的工作温度
工作结温
(1,2)
符号
V
DSS
V
GS
V
DD
T
英镑
T
C
T
J
价值
- 0.5, +65
- 6.0, +10
32, +0
- 65 + 150
150
225
单位
VDC
VDC
VDC
°C
°C
°C
表2.热特性
特征
热阻，结到外壳
外壳温度80 ° C， 147 W CW
外壳温度75 ° C， 45瓦CW
符号
R
θJC
价值
(2,3)
0.33
0.37
单位
° C / W
在最高温度1，连续使用会影响平均无故障时间。
2. MTTF计算器可在http://www.freescale.com/rf 。选择软件&工具/开发工具/计算器访问MTTF
计算器按照产品。
3.请参阅AN1955 ，
射频功率放大器的热测量方法。
去http://www.freescale.com/rf 。
选择文档/应用笔记 - AN1955 。
飞思卡尔半导体公司， 2007。保留所有权利。
MRF7S21150HR3 MRF7S21150HSR3
1
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
表3. ESD保护特性
测试方法
人体模型（每JESD22 - A114 ）
机器型号（每EIA / JESD22 - A115 ）
充电器型号（每JESD22 - C101 ）
类
3A （最低）
A（最小）
IV （最低）
表4.电气特性
(T
C
= 25 ° C除非另有说明）
特征
开关特性
零栅极电压漏极漏电流
(V
DS
= 65伏，V
GS
= 0伏）
零栅极电压漏极漏电流
(V
DS
= 28伏，V
GS
= 0伏）
门 - 源极漏电流
(V
GS
= 5伏，V
DS
= 0伏）
基本特征
栅极阈值电压
(V
DS
= 10 VDC ，我
D
= 348
μAdc ）
门静态电压
(V
DS
= 28伏直流，我
D
= 1350 MADC ）
夹具门静态电压
(1)
(V
DD
= 28伏直流，我
D
= 1350 MADC ，测量功能测试）
漏极 - 源极导 - 电压
(V
GS
= 10 VDC ，我
D
= 2.7 ADC）
动态特性
(2)
反向传输电容
(V
DS
= 28伏直流
±
30毫伏（ RMS） AC @ 1 MHz时，V
GS
= 0伏）
输出电容
(V
DS
= 28伏直流
±
30毫伏（ RMS） AC @ 1 MHz时，V
GS
= 0伏）
输入电容
(V
DS
= 28伏，V
GS
= 0伏
±
30毫伏（ RMS） AC @ 1兆赫）
C
RSS
C
OSS
C
国际空间站
—
—
—
0.9
590
320
—
—
—
pF
pF
pF
V
GS （ TH）
V
GS （ Q）
V
GG （ Q）
V
DS （ ON）
1.2
—
4.5
0.1
2
2.7
5.4
0.15
2.7
—
6.5
0.3
VDC
VDC
VDC
VDC
I
DSS
I
DSS
I
GSS
—
—
—
—
—
—
10
1
1
μAdc
μAdc
μAdc
符号
民
典型值
最大
单位
功能测试
（飞思卡尔测试夹具， 50欧姆系统）V
DD
= 28伏直流，我
DQ
= 1350毫安，P
OUT
= 44 W平均， F = 2112.5 MHz和
F = 2167.5兆赫，单 - 载波W - CDMA ， 3GPP测试模型1 ， 64 DPCH ， 50％的裁剪， PAR = 7.5 dB的CCDF上0.01 ％的概率。
ACPR测量在3.84 MHz信道带宽@
±5
MHz偏移。
功率增益
漏EF网络效率
输出峰 - 到 - 平均比@ CCDF上0.01 ％的概率
相邻通道功率比
输入回波损耗
G
ps
η
D
PAR
ACPR
IRL
16.5
29
5.7
—
—
17.5
31
6.1
- 37
- 15
19.5
—
—
- 35
-9
dB
%
dB
dBc的
dB
1. V
GG
= 2× V
GS （ Q）
。参数测量飞思卡尔测试夹具，由于电路板上的电阻分压器网络。请参考测试电路
原理图。
2.部分内部对输入和输出匹配两种。
（续）
MRF7S21150HR3 MRF7S21150HSR3
2
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
表4.电气特性
(T
C
= 25 ° C除非另有说明）
（续）
特征
符号
民
典型值
最大
单位
兆赫
—
10
—
典型的表演
（飞思卡尔测试夹具， 50欧姆系统）V
DD
= 28伏直流，我
DQ
= 1350毫安， 2110年至2170年MHz带宽
视频带宽@ 120瓦特PEP P
OUT
其中， IM3 = - 30 dBc的
（音调间隔从100 kHz到VBW ）
ΔIMD3
= IMD3 @ VBW频率 - IMD3 @ 100千赫<1 dBc的（包括
边带）
增益平坦度为60 MHz带宽@ P
OUT
= 44 W魅力。
从线性相位在60 MHz带宽平均偏差
@ P
OUT
= 150瓦CW
平均群时延@ P
OUT
= 150瓦CW ， F = 2140 MHz的
部分 - 到 - 部分插入相位变化@ P
OUT
= 150瓦CW ，
F = 2140兆赫，六西格玛窗口
增益随温度变化
（ - 30 ° C至+ 85°C ）
输出功率随温度变化
（ - 30 ° C至+ 85°C ）
VBW
G
F
Φ
延迟
ΔΦ
ΔG
ΔP1dB
—
—
—
—
—
—
0.418
36.5
2.82
1.45
0.013
0.007
—
—
—
—
—
—
dB
°
ns
°
分贝/°C的
dBm的/°C的
MRF7S21150HR3 MRF7S21150HSR3
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
3
R1
V
BIAS
C6
R2
C9
Z27
Z26
Z29
R3
RF
输入Z1
Z25
Z2 Z3
Z4
Z5
C1
C4
Z6 Z7
Z8
Z9
DUT
Z31
Z32
Z14
C12
C5
C3
Z10
Z11 Z12 Z13
Z15
Z16
Z17 Z18 Z19 Z20
RF
Z21 Z22 Z23 Z24输出
Z28
+
Z30
C8
C11
V
供应
C2
R4
C10
C7
Z1
Z2
Z3
Z4*
Z5*
Z6
Z7
Z8
Z9
Z10
Z11
0.980 “× 0.138 ”微带
0.461 “× 0.066 ”微带
0.534 “× 0.458 ”微带
0.138 “× 0.126 ”微带
0.536 “× 0.126 ”微带
0.147 “× 0.126 ”微带
0.060 “× 0.513 ”微带
0.151 “× 0.630 ”微带
0.112 “× 0.630 ”微带
0.337 “× 0.957 ”微带
0.176 “× 0.957 ”微带
Z12
Z13
Z14
Z15*
Z16*
Z17*
Z18
Z19
Z20, Z21
Z22
Z23
0.178 “× 0.067 ”微带
0.039 “× 0.095 ”微带
0.079 “× 0.060 ”微带
0.168 “× 0.095 ”微带
0.113 “× 0.095 ”微带
0.128 “× 0.095 ”微带
0.079 “× 0.215 ”微带
0.020 “× 0.095 ”微带
0.070 “× 0.215 ”微带
0.392 “× 0.067 ”微带
0.370 “× 0.089 ”微带
Z24
Z25
Z26
Z27
Z28
Z29, Z31
Z30, Z32
PCB
0.096 “× 0.138 ”微带
0.335 “× 0.066 ”微带
0.069 “× 0.080 ”微带
0.466 “× 0.040 ”微带
R = 0.526″
α
= 60 °微带蝴蝶
0.825 “× 0.066 ”微带
R = 0.526″
α
= 60 °微带蝴蝶
Taconic的TLX8 - 0300 ， 0.030 “ ，
ε
r
= 2.55
*变量的调整
图1. MRF7S21150HR3 （ HSR3 ）测试电路原理图
表5. MRF7S21150HR3 （ HSR3 ）测试电路元件牌号和值
部分
C1
C2, C3
C4, C12
C5
C6, C7, C8
C9, C10
C11
R1, R2
R3
R4
描述
0.7 pF的贴片电容
6.8 pF的贴片电容
0.2 pF的贴片电容
0.3 pF的贴片电容
10
μF
贴片电容
100 nF的贴片电容
220
μF,
63 V电解电容，轴向
10 k 1/4 W贴片电阻
10
Ω,
1/4 W贴片电阻
2.2
Ω,
1/4 W贴片电阻
产品型号
ATC100B0R7BT500XT
ATC100B6R8BT500XT
ATC100B0R2BT500XT
ATC100B0R3BT500XT
C5750X5R1H106M
C1206C104K2RAC
222212018221
CRCW12061002FKEA
CRCW120610R0FKEA
CRCW12062R20FKEA
ATC
ATC
ATC
ATC
TDK
基美
日前，Vishay BC组件
日前，Vishay
日前，Vishay
日前，Vishay
生产厂家
MRF7S21150HR3 MRF7S21150HSR3
4
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
V
GS
C8
V
DD
C6
R1
R2
R3
C11
C9
切出区
C2
C12 C5
C3
C4
C1
MRF7S21150H/S
启示录7
R4
C10
C7
图2. MRF7S21150HR3 （ HSR3 ）测试电路元件布局
MRF7S21150HR3 MRF7S21150HSR3
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
5
飞思卡尔半导体公司
技术参数
文档编号： MRF7S21150H
第1版， 4/2009
射频功率场效应晶体管
N - 沟道增强 - 模式横向的MOSFET
专为CDMA基站应用的频率从2110到
2170兆赫。适用于CDMA和多载波放大器应用。要
在AB类和C类用于PCN - PCS /蜂窝无线电和WLL
应用程序。
典型的单 - 载波W - CDMA性能： V
DD
= 28伏，我
DQ
=
1350毫安，P
OUT
= 44瓦平均，全频波段， IQ幅度
裁剪，信道带宽= 3.84 MHz的输入信号PAR = 7.5 dB的
0.01 ％的概率在CCDF 。
功率增益 - 17.5分贝
漏极效率 - 31 ％
仪输出信号的PAR - 9.8 dB的CCDF上0.01 ％的概率
ACPR @ 5 MHz偏移 - - 37 dBc的在3.84 MHz信道带宽
能够处理5 ： 1 VSWR ， @ 32 VDC ， 2140兆赫， 150瓦CW
输出功率
P
OUT
@ 1 dB压缩点
w
150瓦CW
特点
100 ％测试PAR针对有保证的输出功率能力
特点等效串联阻抗大 - 信号阻抗参数
内部匹配的易用性
集成ESD保护
更大的负栅 - 源电压范围为改良C级
手术
专为数字预失真纠错系统
符合RoHS
在磁带和卷轴。 R3后缀=每56毫米， 13英寸卷轴250单位。
MRF7S21150HR3
MRF7S21150HSR3
2110年至2170年兆赫， 44 W AVG ， 28 V 。
单W - CDMA
横向N - CHANNEL
RF功率MOSFET
CASE 465- 06 ，风格1
NI - 780
MRF7S21150HR3
CASE 465A - 06 ，风格1
NI - 780S
MRF7S21150HSR3
表1.最大额定值
等级
漏 - 源极电压
栅 - 源电压
工作电压
存储温度范围
情况下的工作温度
工作结温
(1,2)
符号
V
DSS
V
GS
V
DD
T
英镑
T
C
T
J
价值
- 0.5, +65
- 6.0, +10
32, +0
- 65 + 150
150
225
单位
VDC
VDC
VDC
°C
°C
°C
表2.热特性
特征
热阻，结到外壳
外壳温度80 ° C， 147 W CW
外壳温度75 ° C， 45瓦CW
符号
R
θJC
价值
(2,3)
0.33
0.37
单位
° C / W
在最高温度1，连续使用会影响平均无故障时间。
2. MTTF计算器可在http://www.freescale.com/rf 。选择软件&工具/开发工具/计算器访问MTTF
计算器按照产品。
3.请参阅AN1955 ，
射频功率放大器的热测量方法。
去http://www.freescale.com/rf 。
选择文档/应用笔记 - AN1955 。
飞思卡尔半导体公司， 2007年， 2009年。保留所有权利。
MRF7S21150HR3 MRF7S21150HSR3
1
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
表3. ESD保护特性
测试方法
人体模型（每JESD22 - A114 ）
机器型号（每EIA / JESD22 - A115 ）
充电器型号（每JESD22 - C101 ）
类
1C （最低）
A（最小）
IV （最低）
表4.电气特性
(T
C
= 25 ° C除非另有说明）
特征
开关特性
零栅极电压漏极漏电流
(V
DS
= 65伏，V
GS
= 0伏）
零栅极电压漏极漏电流
(V
DS
= 28伏，V
GS
= 0伏）
门 - 源极漏电流
(V
GS
= 5伏，V
DS
= 0伏）
基本特征
栅极阈值电压
(V
DS
= 10 VDC ，我
D
= 348
μAdc ）
门静态电压
(V
DS
= 28伏直流，我
D
= 1350 MADC ）
夹具门静态电压
(1)
(V
DD
= 28伏直流，我
D
= 1350 MADC ，测量功能测试）
漏极 - 源极导 - 电压
(V
GS
= 10 VDC ，我
D
= 2.7 ADC）
动态特性
(2)
反向传输电容
(V
DS
= 28伏直流
±
30毫伏（ RMS） AC @ 1 MHz时，V
GS
= 0伏）
输出电容
(V
DS
= 28伏直流
±
30毫伏（ RMS） AC @ 1 MHz时，V
GS
= 0伏）
输入电容
(V
DS
= 28伏，V
GS
= 0伏
±
30毫伏（ RMS） AC @ 1兆赫）
C
RSS
C
OSS
C
国际空间站
—
—
—
0.9
590
320
—
—
—
pF
pF
pF
V
GS （ TH）
V
GS （ Q）
V
GG （ Q）
V
DS （ ON）
1.2
—
4.5
0.1
2
2.7
5.4
0.15
2.7
—
6.5
0.3
VDC
VDC
VDC
VDC
I
DSS
I
DSS
I
GSS
—
—
—
—
—
—
10
1
1
μAdc
μAdc
μAdc
符号
民
典型值
最大
单位
功能测试
（飞思卡尔测试夹具， 50欧姆系统）V
DD
= 28伏直流，我
DQ
= 1350毫安，P
OUT
= 44 W平均， F = 2112.5 MHz和
F = 2167.5兆赫，单 - 载波W - CDMA ， IQ幅度裁剪， PAR = 7.5 dB的CCDF上0.01 ％的概率。 ACPR测量
3.84 MHz信道带宽@
±5
MHz偏移。
功率增益
漏EF网络效率
输出峰 - 到 - 平均比@ CCDF上0.01 ％的概率
相邻通道功率比
输入回波损耗
G
ps
η
D
PAR
ACPR
IRL
16.5
29
5.7
—
—
17.5
31
6.1
- 37
- 15
19.5
—
—
- 35
-9
dB
%
dB
dBc的
dB
1. V
GG
= 2× V
GS （ Q）
。参数测量飞思卡尔测试夹具，由于电路板上的电阻分压器网络。请参考测试电路
原理图。
2.部分内部对输入和输出匹配两种。
（续）
MRF7S21150HR3 MRF7S21150HSR3
2
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
表4.电气特性
(T
C
= 25 ° C除非另有说明）
（续）
特征
符号
民
典型值
最大
单位
兆赫
—
10
—
典型的表演
（飞思卡尔测试夹具， 50欧姆系统）V
DD
= 28伏直流，我
DQ
= 1350毫安， 2110年至2170年MHz带宽
视频带宽@ 120瓦特PEP P
OUT
其中， IM3 = - 30 dBc的
（音调间隔从100 kHz到VBW ）
ΔIMD3
= IMD3 @ VBW频率 - IMD3 @ 100千赫<1 dBc的（包括
边带）
增益平坦度为60 MHz带宽@ P
OUT
= 44 W魅力。
从线性相位在60 MHz带宽平均偏差
@ P
OUT
= 150瓦CW
平均群时延@ P
OUT
= 150瓦CW ， F = 2140 MHz的
部分 - 到 - 部分插入相位变化@ P
OUT
= 150瓦CW ，
F = 2140兆赫，六西格玛窗口
增益随温度变化
（ - 30 ° C至+ 85°C ）
输出功率随温度变化
（ - 30 ° C至+ 85°C ）
VBW
G
F
Φ
延迟
ΔΦ
ΔG
ΔP1dB
—
—
—
—
—
—
0.418
36.5
2.82
1.45
0.013
0.007
—
—
—
—
—
—
dB
°
ns
°
分贝/°C的
dBm的/°C的
MRF7S21150HR3 MRF7S21150HSR3
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
3
R1
V
BIAS
C6
R2
C9
Z27
Z26
Z29
R3
RF
输入Z1
Z25
Z2 Z3
Z4
Z5
C1
C4
Z6 Z7
Z8
Z9
DUT
Z31
Z32
Z14
C12
C5
C3
Z10
Z11 Z12 Z13
Z15
Z16
Z17 Z18 Z19 Z20
RF
Z21 Z22 Z23 Z24输出
Z28
+
Z30
C8
C11
V
供应
C2
R4
C10
C7
Z1
Z2
Z3
Z4*
Z5*
Z6
Z7
Z8
Z9
Z10
Z11
0.980 “× 0.138 ”微带
0.461 “× 0.066 ”微带
0.534 “× 0.458 ”微带
0.138 “× 0.126 ”微带
0.536 “× 0.126 ”微带
0.147 “× 0.126 ”微带
0.060 “× 0.513 ”微带
0.151 “× 0.630 ”微带
0.112 “× 0.630 ”微带
0.337 “× 0.957 ”微带
0.176 “× 0.957 ”微带
Z12
Z13
Z14
Z15*
Z16*
Z17*
Z18
Z19
Z20, Z21
Z22
Z23
0.178 “× 0.067 ”微带
0.039 “× 0.095 ”微带
0.079 “× 0.060 ”微带
0.168 “× 0.095 ”微带
0.113 “× 0.095 ”微带
0.128 “× 0.095 ”微带
0.079 “× 0.215 ”微带
0.020 “× 0.095 ”微带
0.070 “× 0.215 ”微带
0.392 “× 0.067 ”微带
0.370 “× 0.089 ”微带
Z24
Z25
Z26
Z27
Z28
Z29, Z31
Z30, Z32
PCB
0.096 “× 0.138 ”微带
0.335 “× 0.066 ”微带
0.069 “× 0.080 ”微带
0.466 “× 0.040 ”微带
R = 0.526″
α
= 60 °微带蝴蝶
0.825 “× 0.066 ”微带
R = 0.526″
α
= 60 °微带蝴蝶
Taconic的TLX8 - 0300 ， 0.030 “ ，
ε
r
= 2.55
*变量的调整
图1. MRF7S21150HR3 （ HSR3 ）测试电路原理图
表5. MRF7S21150HR3 （ HSR3 ）测试电路元件牌号和值
部分
C1
C2, C3
C4, C12
C5
C6, C7, C8
C9, C10
C11
R1, R2
R3
R4
描述
0.7 pF的贴片电容
6.8 pF的贴片电容
0.2 pF的贴片电容
0.3 pF的贴片电容
10
μF
贴片电容
100 nF的贴片电容
220
μF,
63 V电解电容，轴向
10 k 1/4 W贴片电阻
10
Ω,
1/4 W贴片电阻
2.2
Ω,
1/4 W贴片电阻
产品型号
ATC100B0R7BT500XT
ATC100B6R8BT500XT
ATC100B0R2BT500XT
ATC100B0R3BT500XT
C5750X5R1H106M
C1206C104K2RAC
222212018221
CRCW12061002FKEA
CRCW120610R0FKEA
CRCW12062R20FKEA
ATC
ATC
ATC
ATC
TDK
基美
日前，Vishay BC组件
日前，Vishay
日前，Vishay
日前，Vishay
生产厂家
MRF7S21150HR3 MRF7S21150HSR3
4
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
V
GS
C8
V
DD
C6
R1
R2
R3
C11
C9
切出区
C2
C12 C5
C3
C4
C1
MRF7S21150H/S
启示录7
R4
C10
C7
图2. MRF7S21150HR3 （ HSR3 ）测试电路元件布局
MRF7S21150HR3 MRF7S21150HSR3
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
5
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