飞思卡尔半导体公司
技术参数
文档编号： MRF7S19080H
第0版， 1/2007
射频功率场效应晶体管
N - 沟道增强 - 模式横向的MOSFET
专为CDMA基站应用的频率，从1930年到
1990年兆赫。适用于CDMA和多载波放大器应用。要
在AB类和C类为使用TD - SCDMA和PCN - PCS /蜂窝无线
应用程序。
典型的单 - 载波W - CDMA性能： V
DD
= 28伏，我
DQ
=
750毫安，P
OUT
= 24瓦平均，全频段， 3GPP测试模型1 ，
64 DPCH 50 ％裁剪，信道带宽= 3.84 MHz的输入信号
PAR =上CCDF 7.5分贝@ 0.01 ％的概率。
功率增益 - 18分贝
漏极效率 - 32 ％
仪输出信号的PAR - 6.2分贝@ CCDF上0.01 ％的概率
ACPR @ 5 MHz偏移 - - 38 dBc的在3.84 MHz信道带宽
能够处理10 ： 1 VSWR ， @ 32 VDC ，1960兆赫， 80瓦CW
山顶调谐输出功率
P
OUT
@ 1 dB压缩点
w
80瓦CW
特点
100 ％测试PAR针对有保证的输出功率能力
特点等效串联阻抗大 - 信号阻抗参数
内部匹配的易用性
集成ESD保护
更大的负栅 - 源电压范围为改良C级
手术
专为数字预失真纠错系统
符合RoHS
在磁带和卷轴。 R3后缀=每56毫米， 13英寸卷轴250单位。
MRF7S19080HR3
MRF7S19080HSR3
1930年 - 1990兆赫， 24瓦AVG ， 28 V 。
单W - CDMA
横向N - CHANNEL
RF功率MOSFET
CASE 465- 06 ，风格1
NI - 780
MRF7S19080HR3
CASE 465A - 06 ，风格1
NI - 780S
MRF7S19080HSR3
表1.最大额定值
等级
漏 - 源极电压
栅 - 源电压
工作电压
存储温度范围
情况下的工作温度
工作结温
(1,2)
符号
V
DSS
V
GS
V
DD
T
英镑
T
C
T
J
价值
- 0.5, +65
- 6.0, +10
32, +0
- 65 + 150
150
225
单位
VDC
VDC
VDC
°C
°C
°C
表2.热特性
特征
热阻，结到外壳
外壳温度81 ° C， 79 W CW
外壳温度79 ° C， 24瓦CW
符号
R
θJC
价值
(2,3)
0.60
0.69
单位
° C / W
在最高温度1，连续使用会影响平均无故障时间。
2. MTTF计算器可在http://www.freescale.com/rf 。选择工具/软件/应用软件/计算器访问MTTF
计算器按照产品。
3.请参阅AN1955 ，
射频功率放大器的热测量方法。
去http://www.freescale.com/rf 。
选择文档/应用笔记 - AN1955 。
飞思卡尔半导体公司， 2007。保留所有权利。
MRF7S19080HR3 MRF7S19080HSR3
1
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
表3. ESD保护特性
测试方法
人体模型（每JESD22 - A114 ）
机器型号（每EIA / JESD22 - A115 ）
充电器型号（每JESD22 - C101 ）
类
1C （最低）
A（最小）
IV （最低）
表4.电气特性
(T
C
= 25 ° C除非另有说明）
特征
开关特性
零栅极电压漏极漏电流
(V
DS
= 65伏，V
GS
= 0伏）
零栅极电压漏极漏电流
(V
DS
= 28伏，V
GS
= 0伏）
门 - 源极漏电流
(V
GS
= 5伏，V
DS
= 0伏）
基本特征
栅极阈值电压
(V
DS
= 10 VDC ，我
D
= 174
μAdc ）
门静态电压
(V
DS
= 28伏直流，我
D
= 750 MADC ，测量功能测试）
漏极 - 源极导 - 电压
(V
GS
= 10 VDC ，我
D
= 1.74 ADC）
动态特性
(1)
反向传输电容
(V
DS
= 28伏直流
±
30毫伏（ RMS） AC @ 1 MHz时，V
GS
= 0伏）
输出电容
(V
DS
= 28伏直流
±
30毫伏（ RMS） AC @ 1 MHz时，V
GS
= 0伏）
C
RSS
C
OSS
—
—
0.64
297
—
—
pF
pF
V
GS （ TH）
V
GS （ Q）
V
DS （ ON）
1.2
2
0.1
2
2.7
0.21
2.7
3.8
0.3
VDC
VDC
VDC
I
DSS
I
DSS
I
GSS
—
—
—
—
—
—
10
1
1
μAdc
μAdc
μAdc
符号
民
典型值
最大
单位
功能测试
（飞思卡尔测试夹具， 50欧姆系统）V
DD
= 28伏直流，我
DQ
= 750毫安， P
OUT
= 24瓦的魅力。 ， F = 1932.5 MHz和F =
1987.5兆赫，单 - 载波W - CDMA ， 3GPP测试模型1 ， 64 DPCH ， 50％的裁剪， PAR = 7.5 dB的CCDF上0.01 ％的概率。
ACPR测量在3.84 MHz信道带宽@
±5
MHz偏移。
功率增益
漏EF网络效率
输出峰 - 到 - 平均比@ CCDF上0.01 ％的概率
相邻通道功率比
输入回波损耗
1.部分内部对输入和输出匹配两种。
（续）
G
ps
η
D
PAR
ACPR
IRL
17
30
5.7
—
—
18
32
6.2
- 38
- 20
20
—
—
- 35
-9
dB
%
dB
dBc的
dB
MRF7S19080HR3 MRF7S19080HSR3
2
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
表4.电气特性
(T
C
= 25 ° C除非另有说明）
（续）
特征
视频带宽@ 80瓦PEP P
OUT
其中， IM3 = - 30 dBc的
（音调间隔从100 kHz到VBW ）
ΔIMD3
= IMD3 @ VBW频率 - IMD3 @ 100千赫<1 dBc的（包括
边带）
增益平坦度为60 MHz带宽@ P
OUT
= 24瓦的魅力。
从线性相位在60 MHz带宽平均偏差
@ P
OUT
= 80瓦CW
平均群时延@ P
OUT
= 80瓦CW ， F = 1960 MHz的
部分 - 到 - 部分插入相位变化@ P
OUT
= 80瓦CW ，
F = 1960兆赫，六西格玛窗口
增益随温度变化
（ - 30 ° C至+ 85°C ）
输出功率随温度变化
（ - 30 ° C至+ 85°C ）
符号
VBW
—
90
—
民
典型值
最大
单位
兆赫
典型的表演
（飞思卡尔测试夹具， 50欧姆系统）V
DD
= 28伏直流，我
DQ
= 750毫安， 1930年 - 1990 MHz带宽
G
F
Φ
延迟
ΔΦ
ΔG
ΔP1dB
—
—
—
—
—
—
0.165
1.14
2.25
22.3
0.009
0.017
—
—
—
—
—
—
dB
°
ns
°
分贝/°C的
dBm的/°C的
MRF7S19080HR3 MRF7S19080HSR3
RF设备数据
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3
R2
V
BIAS
+
R1
C2
C3
C4
C5
Z7
Z9
Z6
Z10
Z12
C7
Z13
RF
产量
C6
Z8
C8
C9
C10
C11
C12
+
C13
V
供应
RF
输入
Z3
Z1
C1
Z2
Z4
Z5
Z11
DUT
Z1
Z2
Z3
Z4
Z5
Z6
Z7
0.530 “× 0.084 ”微带
0.336 “× 0.084 ”微带
0.211 “× 0.180 ”× 0.084 “锥
0.704 “× 0.216 ”微带
0.220 “× 0.216 ”× 0.084 “锥
0.504 “× 0.800 ”× 0.084 “锥
0.265 “× 0.313 ”× 0.332 “× 0.040 ”锥
Z8
Z9
Z10
Z11
Z12
Z13
PCB
0.306 “× 0.388 ”× 0.090 “锥
0.880 “× 0.201 ”× 0.795 “锥
0.415 “× 0.084 ”微带
0.191 “× 0.243 ”× 0.084 “锥
0.510 “× 0.084 ”微带
0.525 “× 0.084 ”微带
阿尔隆， GX - 0300 - 55 - 22 ， 0.030 “ ，
ε
r
= 2.55
图1. MRF7S19080HR3 （ HSR3 ）测试电路原理图
表5. MRF7S19080HR3 （ HSR3 ）测试电路元件牌号和值
部分
C1, C7
C2, C11
C3
C4
C5, C10
C6
C8
C9
C12
C13
R1
R2
描述
15 pF的贴片电容
13 pF的贴片电容
10
μF
贴片电容
1000 pF的电容芯片
0.1
μF
贴片电容
5.1 pF的贴片电容
6.8 pF的贴片电容
2.2
μF
贴片电容
470
μF,
63 V电解电容
100
μF,
50 V电解电容
330
Ω,
1/4 W贴片电阻
10
Ω,
1/4 W贴片电阻
产品型号
ATC100B150JT500XT
ATC100B130JT500XT
GRM31MF51A106ZA01B
ATC100B102JT50XT
C1206C104K5RAC
ATC100B5R1CT500XT
ATC100B6R8CT500XT
C1825C225J5RAC
MCR63V477M13X26
MCR50V107M8X11
CRCW12063300FKTA
CRCW120610R0FKTA
生产厂家
ATC
ATC
TDK
ATC
基美
ATC
ATC
基美
MULTICOMP
MULTICOMP
日前，Vishay
日前，Vishay
MRF7S19080HR3 MRF7S19080HSR3
4
RF设备数据
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C12
R1
R2
C6
C8
C9
C13
C2 C3 C4
C5
C10
C11
C1
切出区
C7
HV7
2.1 GHz的
NI780
第1版
图2. MRF7S19080HR3 （ HSR3 ）测试电路元件布局
MRF7S19080HR3 MRF7S19080HSR3
RF设备数据
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5
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