飞思卡尔半导体公司
技术参数
文档编号： MRF7S18125AH
牧师0 ， 11/2008
射频功率场效应晶体管
N - 沟道增强 - 模式横向的MOSFET
专为GSM和GSM EDGE基站应用
频率1800至2000年兆赫。可以用在AB类和C类的
所有典型的蜂窝基站调制。
GSM应用
典型的GSM业绩： V
DD
= 28伏，我
DQ
= 1100毫安，P
OUT
=
125瓦CW ， F = 1880兆赫。
功率增益 - 17分贝
漏极效率 - 55 ％
GSM EDGE应用
典型的GSM EDGE性能： V
DD
= 28伏，我
DQ
= 1100毫安，
P
OUT
= 57瓦的魅力，全频段（ 1805年至1880年兆赫） 。
功率增益 - 17分贝
漏极效率 - 38 ％
频谱再生@ 400 kHz偏置= - 63 dBc的
频谱再生@ 600 kHz偏置= - 75 dBc的
EVM - 1.75 ％ RMS
能够处理5 ： 1 VSWR ， @ 28伏直流， 1840兆赫， 125瓦CW
输出功率
典型的P
OUT
@ 1 dB压缩点
]
140瓦CW
特点
特点等效串联阻抗大 - 信号阻抗参数
内部匹配的易用性
集成ESD保护
符合RoHS
在磁带和卷轴。 R3后缀=每56毫米， 13英寸卷轴250单位。
MRF7S18125AHR3
MRF7S18125AHSR3
1805- 1880兆赫， 125瓦CW ， 28 V
GSM ， GSM EDGE
横向N - CHANNEL
RF功率MOSFET
CASE 465 - 06 ，风格1
NI - 780
MRF7S18125AHR3
CASE 465A - 06 ，风格1
NI - 780S
MRF7S18125AHSR3
表1.最大额定值
等级
漏源电压
栅 - 源电压
工作电压
存储温度范围
情况下的工作温度
工作结温
(1,2)
符号
V
DSS
V
GS
V
DD
T
英镑
T
C
T
J
价值
- 0.5, +65
- 6.0, +10
32, +0
- 65 + 150
150
225
单位
VDC
VDC
VDC
°C
°C
°C
表2.热特性
特征
热阻，结到外壳
外壳温度80 ° C， 125瓦CW
外壳温度80 ° C， 71 W CW
符号
R
θJC
价值
(2,3)
0.31
0.34
单位
° C / W
在最高温度1，连续使用会影响平均无故障时间。
2. MTTF计算器可在http://www.freescale.com/rf 。选择软件&工具/开发工具/计算器访问MTTF
计算器按照产品。
3.请参阅AN1955 ，
射频功率放大器的热测量方法。
去http://www.freescale.com/rf 。
选择文档/应用笔记 - AN1955 。
飞思卡尔半导体公司， 2008年。保留所有权利。
MRF7S18125AHR3 MRF7S18125AHSR3
1
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
表3. ESD保护特性
测试方法
人体模型（每JESD22 - A114 ）
机器型号（每EIA / JESD22 - A115 ）
充电器型号（每JESD22 - C101 ）
类
1B （最低）
A（最小）
IV （最低）
表4.电气特性
(T
C
= 25 ° C除非另有说明）
特征
开关特性
零栅极电压漏极漏电流
(V
DS
= 65伏，V
GS
= 0伏）
零栅极电压漏极漏电流
(V
DS
= 28伏，V
GS
= 0伏）
栅源漏电流
(V
GS
= 5伏，V
DS
= 0伏）
基本特征
栅极阈值电压
(V
DS
= 10 VDC ，我
D
= 316
μAdc ）
门静态电压
(V
DS
= 28伏直流，我
D
= 1100 MADC ）
夹具门静态电压
(1)
(V
DD
= 28伏直流，我
D
= 1100 MADC ，测量功能测试）
漏源开 - 电压
(V
GS
= 10 VDC ，我
D
= 3.16 ADC）
动态特性
(2)
反向传输电容
(V
DS
= 28伏直流
±
30毫伏（ RMS） AC @ 1 MHz时，V
GS
= 0伏）
输出电容
(V
DD
= 28伏直流
±
30毫伏（ RMS） AC @ 1 MHz时，V
GS
= 0伏）
输入电容
(V
DS
= 28伏，V
GS
= 0伏
±
30毫伏（ RMS） AC @ 1兆赫）
功率增益
漏EF网络效率
输入回波损耗
C
RSS
C
OSS
C
国际空间站
—
—
—
1.15
675
312
—
—
—
pF
pF
pF
V
GS （ TH）
V
GS （ Q）
V
GG （ Q）
V
DS （ ON）
1.2
—
4
0.1
1.9
2.7
5.3
0.2
2.7
—
7
0.3
VDC
VDC
VDC
VDC
I
DSS
I
DSS
I
GSS
—
—
—
—
—
—
10
1
1
μAdc
μAdc
μAdc
符号
民
典型值
最大
单位
功能测试
（飞思卡尔测试夹具， 50欧姆系统）V
DD
= 28伏直流，我
DQ
= 1100毫安，P
OUT
= 125瓦CW ， F = 1880 MHz的
G
ps
η
D
IRL
15.5
51
—
17
55
- 12
18.5
—
-6
dB
%
dB
1. V
GG
= 2× V
GS （ Q）
。参数测量飞思卡尔测试夹具，由于电路板上的电阻分压器网络。请参考测试电路
原理图。
2.部分内部对输入和输出匹配两种。
（续）
MRF7S18125AHR3 MRF7S18125AHSR3
2
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
表4.电气特性
(T
C
= 25 ° C除非另有说明）
（续）
特征
P
OUT
@ 1 dB压缩点
IMD对称性@ 125瓦PEP ，P
OUT
其中， IMD三阶
互
`
30 dBc的
上，下之间（增量IMD三阶互调
边带> 2分贝）
VBW共振点
（ IMD三阶互调拐点）
增益平坦度在75 MHz带宽@ P
OUT
= 125瓦CW
从线性相位在75 MHz带宽平均偏差
@ P
OUT
= 125瓦CW
平均群时延@ P
OUT
= 125瓦CW ， F = 1840 MHz的
部分 - 到 - 部分插入相位变化@ P
OUT
= 125瓦CW ，
F = 1840兆赫，六西格玛窗口
增益随温度变化
（ - 30 ° C至+ 85°C ）
输出功率随温度变化
（ - 30 ° C至+ 85°C ）
符号
P1dB
IMD
符号
民
—
—
典型值
140
8
最大
—
—
单位
W
兆赫
典型的表演
（飞思卡尔测试夹具， 50欧姆系统）V
DD
= 28伏直流，我
DQ
= 1100毫安， 1805至1880年MHz带宽
VBW
水库
G
F
Φ
延迟
ΔΦ
ΔG
ΔP1dB
—
—
—
—
—
—
—
35
0.8
0.49
1.21
8.66
0.016
0.01
—
—
—
—
—
—
—
兆赫
dB
°
ns
°
分贝/°C的
dBm的/°C的
典型的GSM EDGE表演
（飞思卡尔GSM EDGE测试夹具， 50欧姆系统）V
DD
= 28伏直流，我
DQ
= 1100毫安，P
OUT
= 57 W
平均， 1805 - 1880 MHz的EDGE调制
功率增益
漏EF网络效率
误差矢量幅度
频谱再生频率为400 kHz偏移
频谱再生，在600 kHz偏置
G
ps
η
D
EVM
SR1
SR2
—
—
—
—
—
17
38
1.75
- 63
- 75
—
—
—
—
—
dB
%
RMS ％
dBc的
dBc的
MRF7S18125AHR3 MRF7S18125AHSR3
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
3
R1
V
BIAS
Z12
V
供应
+
R2
C1
C8
Z11
C9
C2
C3
C6
R3
RF
输入
Z6
Z7
Z8
C13
C14 Z9
C10
C15
Z13
Z10
RF
产量
Z1
C7
Z2
Z3
Z4
Z5
DUT
C12
C11
C4
C5
Z1
Z2
Z3
Z4
Z5
Z6
Z7
0.227 “× 0.083 ”微带
1.180 “× 0.083 ”微带
0.135 “× 0.083 ”微带
0.568 “× 1.000 ”微带
0.092 “× 1.000 ”微带
0.095 “× 1.000 ”微带
0.565 “× 1.000 ”微带
Z8
Z9
Z10
Z11
Z12, Z13
PCB
0.200 “× 0.083 ”微带
1.116 “× 0.083 ”微带
0.227 “× 0.083 ”微带
1.175 “× 0.080 ”微带
0.760 “× 0.080 ”微带
Taconic的TLX - 8 RF35 ， 0.031 “ ，
ε
r
= 2.55
图1. MRF7S18125AHR3 （ HSR3 ）测试电路原理图
表5. MRF7S18125AHR3 （ HSR3 ）测试电路元件牌号和值
部分
C1
C2, C3, C4, C5
C6
C7, C8, C9, C10, C11
C12, C13, C14
C15
R1, R2
R3
描述
1
μF,
50 V贴片电容
4.7
μF,
50 V贴片电容
220
μF,
63 V电解贴片电容
8.2 pF的贴片电容
0.2 pF的贴片电容
0.5 pF的贴片电容
10 k 1/4 W贴片电阻
10
Ω,
1/4 W贴片电阻
产品型号
C3216X5R1H105K
C4532X5R1H475M
2222 136 68221
ATC100B8R2BT500XT
ATC100B0R2BT500XT
ATC100B0R5BT500XT
CRCW12061001FKEA
CRCW120610R0FKEA
生产厂家
TDK
TDK
日前，Vishay
ATC
ATC
ATC
日前，Vishay
日前，Vishay
MRF7S18125AHR3 MRF7S18125AHSR3
4
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
V
DD
R1
V
GS
R2
C1 C8
C9
C2
C3
R3
C13
C14
C6
C10
C15
C7
C12
切出区
C11
C4
C5
MRF7S18125AH
第0版
图2. MRF7S18125AHR3 （ HSR3 ）测试电路元件布局
MRF7S18125AHR3 MRF7S18125AHSR3
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
5
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